CSD15380F3 TI德州儀器采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、1460mΩ、20V、N 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD15380F3特性
超低 CiSS 和 COSS
超低 Qg 和 Qgd
超小尺寸
0.73mm × 0.64mm
超薄型封裝
最大厚度為 0.36mm
集成型 ESD 保護二極管
額定值 > 4kV HBM
額定值 > 2kV CDM
無鉛且無鹵素
符合 RoHS

CSD15380F3說明
CSD15380F3該 20V、990mΩ N 溝道 FemtoFET™ MOSFET 經過設計和優化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動應用中占用的空間。超低電容提高了開關速度。在數據線應用中使用時，低電容可最大限度地降低噪聲耦合。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時大幅減小封裝尺寸。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PICOSTAR-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 500 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1.46 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V
Qg-柵極電荷: 216 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
商標名: PicoStar
系列: CSD15380F3
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 7 ns
高度: 0.35 mm
長度: 0.73 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 1 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 7 ns
典型接通延遲時間: 3 ns
寬度: 0.64 mm
單位重量: 0.300 mg

AM3356BZCZA80
LM22676TJ-ADJ/NOPB
OPA454AIDDAR
SN65HVD251DR
INA301A1IDGKR
ISO7340FCDWR
LM833DGKR
TMS320F28027PTT
TPS62150RGTR
TPS70936DBVR
TPS73501DRVR
INA129UA/2K5
OPA171AIDR
OPA171AQDBVRQ1
OPA188AIDR
OPA209AIDGKR
OPA211AIDR
OPA1654AIDR
OPA1654AIPWR
OPA1679IDR
OPA2132U/2K5
OPA2172IDR
OPA2189IDR
OPA2237UA/2K5
OPA2244EA/2K5
OPA2322AIDR
OPA2330AIDGKR
OPA2333AIDGKR
OPA2335AIDR
TPA3255DDVR
ADS1110A1IDBVR
DP83640TVVX/NOPB
INA181A3IDBVR
ISO7421DR
MAX3221IPWR
MSP430G2302IPW20R
OPA4171AIPWR
SN65HVD1781DR
SN74AVC4T774PWR
SN74CBTLV3126PWR
SN74LVC1G97DCKR
SN74LVC07APWR
TCAN1145DRQ1
TLC6C598QPWRQ1
TLC5917IDR
TLV70718PDQNR
TMP1075DSGR
TPS24770RGER
TPS51225CRUKR
TPS54060DGQR
TPS568215RNNR
TS5A623157DGSR
UCC27524ADR
UCD7138DRSR
SN74LVC2G126DCTR
ADS8689IPWR
CSD15380F3