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CSD15571Q2 德州儀器N溝道MOS

發布時間:2024/6/6 10:43:00 訪問次數:35

CSD15571Q2 TI德州儀器采用 2mm x 2mm SON 封裝的單通道、19.2mΩ、20V、N 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET


CSD15571Q2特性
超低 Qg和 Qgd
低熱阻
雪崩級
無鉛端子鍍層
符合 RoHS 標準
無鹵素
小外形尺寸無引線 (SON) 2mm × 2mm 塑料封裝
CSD15571Q2應用范圍
針對負載開關應用進行了優化
存儲、平板電腦和手持類器件
針對控制場效應晶體管 (FET) 應用進行了優化
負載點同步降壓轉換器

CSD15571Q2說明
CSD15571Q2此 NexFET 功率 MOSFET 被設計成在功率轉換和負載管理應用中大大降低功率損耗。 小外形尺寸無引線 (SON) 2mm x 2mm 封裝提供針對封裝尺寸的出色散熱性能。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WSON-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 22 A
Rds On-漏源導通電阻: 15 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V
Qg-柵極電荷: 5.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD15571Q2
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 4.1 ns
正向跨導 - 最小值: 25 S
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 17.2 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 9.9 ns
典型接通延遲時間: 4.7 ns
寬度: 2 mm
單位重量: 5.600 mg

UC3846N
UCC21520DWR
UCC23513DWYR
UCC24624DR
UCC25600DR
UCC25710DWR
UCC27201ADR
UCC27201ADRMR
UCC27201DDAR
UCC27201DR
UCC27201DRMR
UCC27211AQDDARQ1
UCC27211DR
UCC27321DR
UCC27322DR
UCC27324DGNR
UCC27424DGNR
UCC27424DR
DIR9001PWR
LM46002PWPR
OPA376AIDCKR
O3853QDCARQ1
TPS54140ADGQR
TAS5630BPHDR
TCAN1042HDRQ1
TL432AIDBZR
TLV71333PDBVR
BQ77PL900DLR
LM25011MYX/NOPB
AM3356BZCZA80
LM22676TJ-ADJ/NOPB
OPA454AIDDAR
SN65HVD251DR
INA301A1IDGKR
ISO7340FCDWR
LM833DGKR
TMS320F28027PTT
TPS62150RGTR
TPS70936DBVR
TPS73501DRVR
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OPA171AIDR
OPA171AQDBVRQ1
OPA188AIDR
OPA209AIDGKR
OPA211AIDR
OPA1654AIDR
OPA1654AIPWR
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OPA2322AIDR
OPA2330AIDGKR
OPA2333AIDGKR
OPA2335AIDR
TPA3255DDVR
ADS1110A1IDBVR
DP83640TVVX/NOPB
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MAX3221IPWR
MSP430G2302IPW20R
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SN74LVC1G97DCKR
SN74LVC07APWR
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TLC5917IDR
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TPS24770RGER
TPS51225CRUKR
TPS54060DGQR
TPS568215RNNR
TS5A623157DGSR
UCC27524ADR
UCD7138DRSR
SN74LVC2G126DCTR
ADS8689IPWR
CSD15380F3
CSD15571Q2

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