制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.05 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: HyperFET
系列: HiPerFET
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 32 ns
正向跨導 - 最小值: 10 S
高度: 21.46 mm
長度: 16.26 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 33 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 62 ns
典型接通延遲時間: 21 ns
寬度: 5.3 mm
單位重量: 6 g
IXTF6N200P3
IXTH04N300P3HV
IXTH05N250P3HV
IXTH06N220P3HV
IXTH1N200P3
IXTH1N200P3HV
IXTH1N300P3HV
IXTH1R4N250P3
IXTH1R8N220P3HV
IXTH2N300P3HV
IXTH3N200P3HV
