制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 2 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.3 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 4.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 55 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: X2-Class
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 14 ns
正向跨導 - 最小值: 1.1 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
單位重量: 2 g
IXFA60N25X3
IXFA72N20X3
IXFA72N30X3
IXFA80N25X3
IXFA90N20X3
IXFH100N30X3
IXFH120N25X3
IXFH120N30X3
IXFH130N15X3
IXFH140N20X3
IXFH150N25X3
IXFH150N30X3
IXFH170N15X3
