制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: PLUS-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 52 A
Rds On-漏源導通電阻: 125 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 245 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 mW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: X-Class
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 9 ns
正向跨導 - 最小值: 23 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 107 ns
典型接通延遲時間: 34 ns
單位重量: 6 g
IXTH62N65X2
IXTH80N65X2
IXTK102N65X2
IXTK120N65X2
IXTN102N65X2
IXTP12N65X2
IXTP12N65X2M
IXTP12N70X2
IXTP12N70X2M
IXTP14N60X2
IXTP20N65X2
IXTP20N65X2M
IXTP24N65X2
