制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 34 A
Rds On-漏源導通電阻: 100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 56 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: 650V Ultra Junction X2
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 30 ns
正向跨導 - 最小值: 12 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 64 ns
典型接通延遲時間: 37 ns
單位重量: 2 g
IXFH70N65X3
IXFH72N30X3
IXFH78N60X3
IXFH80N25X3
IXFH90N20X3
IXFH90N65X3
IXFH98N60X3
IXFJ80N25X3
IXFK150N30X3
IXFK170N25X3
IXFK210N30X3
