產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3LD
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 2.26 V
柵極/發射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續集電極電流: 200 A
Pd-功率耗散: 866 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: FGY100T120SWD
封裝: Tube
商標: onsemi
集電極最大連續電流 Ic: 200 A
產品類型: IGBT Transistors
450
子類別: IGBTs
優勢物料！！！
ATMEGA128A-MU
ADC10065CIMTX/NOPB
STM32F303VCT6
STM32F767IGT6
STM32F767IGT6
ADF5610BCCZ
ADF5610BCCZ
LM5642MTCX/NOPB
LM5642MTC/NOPB
TLP621-1GB
LAN8720A-CP-TR
FKC05-24S05
TLE7233G
MAX9931EUA+T
MAX5822LEUA+T
ATA5781-WNQW
MAX6618AUB+T
ADXL1002BCPZ
