DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。DIP封裝的DS1230器件可以用來替代現有的32k x 8靜態RAM，符合通用的單字節寬、28引腳DIP標準。DIP器件還與28256 EEPROM的引腳匹配，可直接替換并增強其性能。小尺寸模塊封裝的DS1230器件專為表面貼裝應用設計。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

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