IRLR2905TRPBF INFINEON英飛凌55V 42A 110W NMOS

IRLR2905TRPBF特性
邏輯級柵極驅動
超低導通電阻
表面貼裝 (IRLR2905)
先進工藝技術
快速開關
完全雪崩額定值
無鉛

IRLR2905TRPBF說明
International Rectifier 的第五代 HEXFET 采用先進的加工技術，實現了單位硅面積上最低的導通電阻。IRLR2905TRPBF這一優勢與 HEXFET 功率 MOSFET 眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合，為設計人員提供了可用于各種應用的極為高效的器件。
PAK 設計用于使用氣相、紅外或波峰焊技術進行表面貼裝。在典型的表面貼裝應用中，功率耗散水平可高達 1.5 瓦。

產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 36 A
Rds On-漏源導通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 15 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 84 ns
工廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg

IRFR024NTRPBF
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