制造商：EPC
系列：eGaN®
包裝：卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態：在售
FET 類型：N 通道
技：”GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：65 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：4A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：130 毫歐 @ 500mA，5V不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：0.45 nC @ 5 V
Vgs（最大值）：+6V，-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：52 pF @ 32.5 V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：模具
封裝/外殼：模具
