SI3134KU6 是一款 20 V 雙 N 溝道 MOSFET，專為高速開關而精心設計。其超緊湊 DFN1010 封裝僅占用 1 mm x 1 mm 的空間，同時提供低輸入柵極電荷和高達 2 kV 的 ESD 保護柵極輸入。
在需要考慮元件密度時，MCC 的 MOSFET 是適用于計算、工業、電信或消費應用的產品。
溝槽 LV MOSFET 技術與 MCC 可靠性相結合，為工程師提供主板、充電電路、自動化控制等的理想組件。
特性 溝槽低壓 (LV) MOSFET 技術 單功能雙 N 溝道 MOSFET 緊湊型 1 毫米 x 1 毫米尺寸 DFN1010 封裝 ESD 保護高達 2kV 低柵極電荷 250 mΩ RDS(ON) 非常適合高速切換 空間效率 高速性能 耐用性更好 內置高達 2 kV 的 ESD 保護 節能設計 由于柵極電荷低，可確保節能運行 應用 智能手機和平板電腦的電源管理 便攜式設備充電電路 主板穩壓模塊 高速計算接口驅動程序 工業自動化機械控制系統 工業傳感器接口 用于高速數據傳輸的線路驅動器
