IRF630NPBF Infineon英飛凌NMOS 200V 9.3A 82W

IRF630NPBF特性
先進的工藝技術
動態 dv/dt 額定值
175°C 工作溫度
快速開關
完全雪崩額定值
易于并聯
驅動要求簡單
無鉛

IRF630NPBF說明
IRF630NPBF采用International Rectifier 的第五代 HEXFET® 功率 MOSFET 采用先進的加工技術，單位硅面積導通電阻極低。
IRF630NPBF這一優勢與 HEXFET 功率 MOSFET 眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合，為設計人員提供了極其高效和可靠的器件，可用于各種應用。
在功率耗散水平達到約 50 瓦時，TO-220 封裝是所有商業-工業應用的普遍首選。TO-220 的低熱阻和低封裝成本使其在整個行業得到廣泛認可。

產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 9.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 300 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 23.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 15 ns
正向跨導 - 最小值: 4.9 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFETs
上升時間: 14 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 7.9 ns
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g

IRF530NPBF
IRF530NSTRLPBF
IRF540NPBF
IRF540ZPBF
IRF540NSTRLPBF
IRF630NPBF
IRF640NPBF
IRF640NSTRLPBF
IRF200P222
IRF200S234
IRF2804PBF
IRF7103TRPBF
IRF7314TRPBF
IRF7341TRPBF
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IRF8788TRPBF
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