產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 156 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 48 ns
正向跨導 - 最小值: 27 S
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: MOSFETs
上升時間: 60 ns
400
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 55 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
LM321MFX
LMV358IDR
LMV324IDR
LMV324IPWR
LM358DR2G
LM393DR2G
LM339DR2G
LM324DR2G
LMV321IDCKR
LMV358IDGKR
LMV358IPWR
OP07CDRG4
TL431AIDR
MC34063ADR2G
LM78L05AIMX/NOPB
UC3842BD1013TR
UC3843BD1013TR
UC3844BD1013TR
UC3845BD1013TR
AT24C02C-STUM-T
