產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-254-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 27.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 105 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 130 ns
高度: 13.84 mm
長度: 13.84 mm
產品類型: MOSFETs
上升時間: 190 ns
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 170 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
寬度:6.6 mm
