IRF530NSTRLPBF Infineon英飛凌NMOS 100V 17A
IRF530NSTRLPBF是一款由Infineon（英飛凌）制造的晶體管芯片，具體為N溝道MOSFET。以下是關于IRF530NSTRLPBF的詳細解析：
IRF530NSTRLPBF基本信息
制造商：Infineon（英飛凌）
類型：N溝道MOSFET
電壓與電流能力：
漏源電壓(Vdss)：100V
連續漏極電流(Id) (25°C時)：17A
封裝：TO-263-3
工作溫度：-55°C至175°C（TJ）
IRF530NSTRLPBF主要規格參數
柵源極閾值電壓：2V @ 250uA
漏源導通電阻：100mΩ @ 9A, 10V（不同條件下可能有所變化）
最大功率耗散：
Ta=25°C時：3.8W
Tc（特定條件下）時：高達70W
其他特性：
雪崩能效等級(Eas)：150 mJ
外殼連接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏極電流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏源導通電阻：0.12 Ω（在某些條件下）
FET 技術：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRF530NSTRLPBF應用領域
IRF530NSTRLPBF因其高電壓與電流能力、低導通電阻、快速開關能力及高可靠性，在多個領域有廣泛應用：
電源管理系統：用于高效的開關電源、電池管理系統以及DC-DC轉換器中，提升系統的響應速度和能源轉換效率。
汽車電子系統：驅動高功率的電動機，控制汽車電子控制單元(ECU)及其他需要高耐壓和高電流的電子設備。
可再生能源技術：在太陽能和風能系統中，特別是逆變器和能量轉換設備中，提高系統對能量的處理能力和整體效率。
高頻通信設備：由于其極高的開關速率，適用于無線電發射器和接收器等高頻通信領域，確保信號的快速準確傳輸。
IRF530NSTRLPBF是一款功能強大的N溝道MOSFET，憑借其優異的電氣性能和高可靠性，在多個工業和技術領域發揮著重要作用。無論是傳統工業應用還是新興技術，IRF530NSTRLPBF都是一個值得信賴的選擇。
產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 17 A
Rds On-漏源導通電阻: 90 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 37 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 25 ns
正向跨導 - 最小值: 12 S
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFETs
上升時間: 22 ns
工廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 9.2 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
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