製造商: Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 750 V
Id - C連續漏極電流: 64 A
Rds On - 漏-源電阻: 25 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 5 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.6 V
Qg - 閘極充電: 49 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 273 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolSiC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 9 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 12 ns
系列: 750V G1
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 24 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns
零件號別名: AIMBG75R027M1H SP005596202