TL082IDR的詳細參數 參數名稱 參數值
Source Content uid TL082IDR
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1420631333
零件包裝代碼 SOIC
包裝說明 GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
針數 8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia, Mexico
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.33.00.01
風險等級 0.5
Samacsys Description Dual High Slew Rate JFET-Input Operational Amplifier
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
放大器類型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架構 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置電流 (IIB) 0.02 µA
25C 時的最大偏置電流 (IIB) 0.0002 µA
最小共模抑制比 75 dB
標稱共模抑制比 86 dB
頻率補償 YES
最大輸入失調電流 (IIO) 0.01 µA
最大輸入失調電壓 6000 µV
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e4
長度 4.9 mm
低-偏置 YES
低-失調 NO
微功率 NO
濕度敏感等級 1
負供電電壓上限 -18 V
標稱負供電電壓 (Vsup) -15 V
功能數量 2
端子數量 8
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
包裝方法 TR
峰值回流溫度（攝氏度） 260
功率 NO
可編程功率 NO
認證狀態 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
最小擺率 8 V/us
標稱壓擺率 13 V/us
子類別 Operational Amplifier
最大壓擺率 5.6 mA
供電電壓上限 18 V
標稱供電電壓 (Vsup) 15 V
表面貼裝 YES
技術 BIPOLAR
溫度等級 INDUSTRIAL
端子面層 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子節距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
標稱均一增益帶寬 3000 kHz
最小電壓增益 25000
寬帶 NO
寬度 3.9 mm

TL082IDR 輸入運算放大器的特性與應用

運算放大器（Operational Amplifier, Op-Amp）是一種廣泛應用于模擬電路中的基本構件，其主要用于信號放大、濾波、加法、減法以及各種復雜的數學運算。在眾多的運算放大器中，TL082IDR是一款特備受到青睞的低噪聲、低功耗雙路運算放大器，主要用于音頻處理、數據采集、信號調理等領域。

1. TL082IDR的基本參數

TL082IDR屬于TL08x系列的運算放大器，采用JFET輸入技術，使得其輸入阻抗非常高，通常可達到1MΩ以上。其功耗在靜態狀態下較低，適合便攜式設備和低功耗應用。TL082IDR的主要參數如下：

- 增益帶寬產品（Gain-Bandwidth Product）：約為3 MHz - 輸入偏置電流：最大約為50 pA - 輸出擺幅：可以達到接近電源電壓的范圍，具體取決于負載條件 - 共模抑制比（CMRR）：高達100 dB - 溫度范圍：工作溫度從-40°C到+85°C

上述參數使得TL082IDR非常適合用于高精度、高速信號處理的場合。

2. 輸入和輸出特性

TL082IDR的輸入端口采用JFET設計，具有高輸入阻抗和低輸入偏置電流，這使得它能夠與各種傳感器和信號源相連接，而不會顯著影響信號源的工作狀態。因此，當需要對信號進行處理而又不希望對傳感器的負載造成影響時，TL082IDR是理想的選擇。

此外，TL082IDR的輸出端電壓可以幾乎達到電源電壓的上下限，這增加了它在實際應用中的靈活性。其優異的輸出驅動能力使得它能夠直接驅動多種負載，包括電阻和電容性負載。

3. 應用領域

TL082IDR由于其出色的特性被廣泛應用于多個領域，從音頻設備到醫療儀器，其用途可謂多種多樣。在音頻放大器中，TL082IDR可以用于音頻信號的前級放大和后級驅動，確保信號的高保真度和低失真。

在數據采集和信號調理系統中，TL082IDR可以用作精密放大器，幫助將微弱的傳感器信號放大到適合后續處理的水平。尤其是在傳輸過程中，信號的衰減不可避免，而高增益和低噪聲的特性使TL082IDR能夠有效提高信號的質量，與后續的ADC（模數轉換器）配合使用時，可以顯著提升系統整體的性能。

在醫療儀器中，TL082IDR常用于心電圖（ECG）、血壓監測等設備中，對生物信號進行放大和處理。由于其低噪聲特性，使得信號的干擾最小化，這對于需要精準監測的生物醫學應用至關重要。

4. 電路設計實例

在實際的電路中，TL082IDR可以實現多種功能，以下是幾個電路設計的典型實例。

4.1 反相放大器

反相放大器是一種常用的應用場合，其結構簡單而功耗低。基本電路圖如下：

+V | R1 | |----> 輸出 | +---|\ | | \ | | \ TL082IDR -- | \ Vin--|____| | R2 | GND

在該電路中，Vin通過電阻R1連接到TL082IDR的反相輸入端，而非反相輸入端連接到地。輸出與輸入的關系為：

\[ V_{\text{out}} = -\left(\frac{R2}{R1}\right) V_{\text{in}} \]

4.2 加法器電路

TL082IDR同樣可以用于加法器電路，常見的加法器電路如下：

+V | Ra | +---|\ | | \ R1 | \ TL082IDR | | \ Vin--|----| | R2 | GND

在該電路中，輸入信號Vin通過電阻R1和R2連接至運算放大器，輸出信號則是輸入信號的加權和，增益和輸出的關系依賴于電阻的選擇。

4.3 濾波器電路

TL082IDR還經常用于設計算法濾波器，如巴特沃斯濾波器，通過適當選擇電阻和電容，以達到所需的頻率響應特性。其基本原理是在保證信號通暢的同時，抑制不必要的高頻噪聲。

5. 可獲得性與封裝

TL082IDR一般以DIP封裝和SMD（表面貼裝）封裝形式提供，廣泛適用于多種PCB設計。其兼容性和易得性使得開發者可以容易地進行原型設計和量產。

在采購方面，注意選擇合適的分銷商，以確保零部件的質量。當設計團隊進行零件選擇時，考慮其兼容性和未來的可擴展性是至關重要的。TL082IDR憑借其良好的性能和穩定性，成為了眾多工程師的優先選擇。

以上是TL082IDR輸入運算放大器的詳細介紹，其獨特的特性和廣泛的應用使其成為模擬電路設計中的重要工具。不同的電路配置和設計可以充分發揮其優越性能，為各種電子產品提供了非常有效的解決方案。

TL082IDR TI(德州儀器)
W25Q16JVSNIQ WINBOND(華邦)
XC7VX690T-2FFG1761I XILINX(賽靈思)
ADIS16488BMLZ ADI(亞德諾)
TEF6638HW/V106Z NXP(恩智浦)
ADS1256IDBR TI(德州儀器)
TLV62130RGTR TI(德州儀器)
EP3C10E144I7N ALTERA(阿爾特拉)
MP2143DJ-LF-Z MPS(美國芯源)
AD5422BREZ ADI(亞德諾)
AD9833BRMZ ADI(亞德諾)
AFGB30T65SQDN ON(安森美)
BAV99LT1G CJ(江蘇長電/長晶)
SN74LVC1G32DBVR TI(德州儀器)
DS3231MZ+TRL Maxim(美信)
ATMEGA32-16AU Atmel(愛特梅爾)
STM32F429VIT6 ST(意法)
BTS3408G Infineon(英飛凌)
NSI45020AT1G ON(安森美)
INA114BU Burr-Brown(TI)
SP3232EEN SIPEX(西伯斯)
ADUM1201ARZ-RL7 ADI(亞德諾)
CSD25402Q3A TI(德州儀器)
L6234PD013TR ST(意法)
TLC5926IPWPR TI(德州儀器)
TMS320C6678ACYPA25 TI(德州儀器)
STM32F429VGT6 ST(意法)
OPA2188AIDR Burr-Brown(TI)
MCF5282CVF66 Freescale(飛思卡爾)
MC33161DMR2G ON(安森美)
TLE4271-2G Infineon(英飛凌)
TPS79801QDGNRQ1 TI(德州儀器)
SN74LVC2G17DBVR TI(德州儀器)
TXB0104PWR TI(德州儀器)
ATXMEGA128A3U-MH Microchip(微芯)
W25Q64FVSSIG WINBOND(華邦)
STM32F030C6T6 TI(德州儀器)
GD32E230C8T6 GD(兆易創新)
LM5155QDSSRQ1 TI(德州儀器)
DRV8837DSGR TI(德州儀器)
MK10DN512VLK10 NXP(恩智浦)
TPS3808G01DBVR TI(德州儀器)
LMZ10501SILR TI(德州儀器)
FDV301N ST(意法)
TMS320F2812ZHHA TI(德州儀器)
INA240A1PWR TI(德州儀器)
ATMEGA8515L-8AU Atmel(愛特梅爾)
TJA1051T/3 NXP(恩智浦)
DSPIC30F6014A-30I/PF Microchip(微芯)
ATMEGA128L-8AU Atmel(愛特梅爾)
BC846B Philips(飛利浦)
STM32F107RCT6 ST(意法)
WGI211AT INTEL(英特爾)
PIC16F676-I/SL MIC(昌福)
STM32F205RGT6 ST(意法)
NCV7520FPR2G ON(安森美)
AD9364BBCZ ADI(亞德諾)
SN74LVC8T245DGVR TI(德州儀器)
STWD100NYWY3F ST(意法)
MCP2515-I/SO Microchip(微芯)
MCF54418CMJ250 Freescale(飛思卡爾)
DP83848IVVX/NOPB NS(國半)
SN74LVC2G17DCKR TI(德州儀器)
TPS60403DBVR TI(德州儀器)
TMS320F28069PZT TI(德州儀器)
FDB33N25TM ON(安森美)
STM32F303CBT6 TI(德州儀器)
UC3844BVD1R2G ON(安森美)
TMP102AIDRLR TI(德州儀器)
OPA170AIDBVR TI(德州儀器)
INA193AIDBVR TI(德州儀器)
ATMEGA32U4－MU Atmel(愛特梅爾)
SX1276IMLTRT Semtech(商升特)
MC74HC595ADTR2G ON(安森美)
BCM56340A0KFSBLG Broadcom(博通)
UCC27517DBVR TI(德州儀器)
DS3231SN#T&R Dallas (達拉斯)
ULN2003D1013TR TI(德州儀器)
ADS8422IBPFBR TI(德州儀器)
TL494CDR TI(德州儀器)
STM8L051F3P6 ST(意法)
LPC2478FBD208 NXP(恩智浦)
88Q2112-A2-NYD2A000 Marvell(美滿)
TJA1055T/1 NXP(恩智浦)
L6562ADTR ST(意法)
TPS40210DGQR TI(德州儀器)
MC56F8345VFGE NXP(恩智浦)
DRV8432DKDR TI(德州儀器)
MIMX8MM6CVTKZAA Freescale(飛思卡爾)
GD32F303RET6 GD(兆易創新)
XTR106UA Burr-Brown(TI)
STM32F091RCT6 ST(意法)
VN5770AKPTR-E ST(意法)
HMC677LP5E ADI(亞德諾)
ALC269Q-VB6-CG REALTEK(瑞昱)
TPS3808G33DBVR TI(德州儀器)
SN74LVC2T45DCUR TI(德州儀器)
MURA160T3G ON(安森美)
L6234PD ST(意法)
USB2514BI-AEZG smsc
LM393DT Rohm(羅姆)
FS32K144HFT0VLL NXP(恩智浦)
DS90UB947TRGCRQ1 ST(意法)
NCP3063BDR2G ON(安森美)
EN5329QI ALTERA(阿爾特拉)
TMS320DM6435ZWT7 TI(德州儀器)
STM32L031G6U6 ST(意法)
LL4148 Vishay(威世)
TMS320F28377SPTPT TI(德州儀器)
AMC1200SDUBR TI(德州儀器)
STM32F446VET6 ST(意法)
MCF5213CAF80 Freescale(飛思卡爾)
MAX3232EUE Maxim(美信)
MK64FN1M0VMD12 Freescale(飛思卡爾)
STM32F207VGT6 ST(意法)
LM2902DR ON(安森美)
ATXMEGA256A3BU-AU Microchip(微芯)
PM-DB2745S Holt Integrated Circuits Inc.
LIS3LV02DL ST(意法)
SN74LVC1T45DBVR TI(德州儀器)