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ZLDO1117QG33TA 線性穩壓器

發布時間:2024/10/12 15:08:00 訪問次數:47 發布企業:深圳市展鵬富裕科技有限公司


ZLDO1117QG33TA的詳細參數

參數名稱 參數值
是否無鉛 含鉛含鉛
是否Rohs認證 符合符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1236740576
包裝說明 HLSOP, SOT-223
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
Factory Lead Time 8 weeks
風險等級 6.93
Samacsys Description LDO Voltage Regulators 1A Low Dropout 1.2V Adj or Fixed
Samacsys Manufacturer Diodes Incorporated
Samacsys Modified On 2024-06-25 08:04:19
YTEOL 3
可調性 FIXED
最大回動電壓 1 1.2 V
標稱回動電壓 1 1.11 V
最大絕對輸入電壓 18 V
最大輸入電壓 18 V
最小輸入電壓 4.8 V
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
長度 6.5 mm
最大電網調整率 0.04752%
最大負載調整率 0.013%
濕度敏感等級 1
功能數量 1
輸出次數 1
端子數量 3
工作溫度TJ-Max 125 °C
工作溫度TJ-Min -40 °C
最大輸出電流 1 1 A
最大輸出電壓 1 3.365 V
最小輸出電壓 1 3.235 V
標稱輸出電壓 1 3.3 V
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 HLSOP
封裝等效代碼 SOT-223
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE
包裝方法 TR
峰值回流溫度(攝氏度) 260
認證狀態 Not Qualified
調節器類型 FIXED POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR
篩選級別 AEC-Q100
座面最大高度 1.65 mm
表面貼裝 YES
技術 BIPOLAR
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子節距 2.3 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
最大電壓容差 2%
寬度 3.5 mm



ZLDO1117QG33TA 線性穩壓器的設計與應用

在現代電子設備中,穩定的電源供應至關重要,特別是在對電壓具有嚴格要求的應用場合。線性穩壓器作為一種簡單而有效的電壓調節解決方案,廣泛應用于消費電子、通信設備和工業控制系統等領域。本文將詳細探討ZLDO1117QG33TA線性穩壓器的特性、應用范圍及其在電路設計中的實際考慮。

一、線性穩壓器概述

線性穩壓器是一種將輸入電壓轉化為穩定輸出電壓的電源管理組件。傳統的線性穩壓器通過調整內部的電阻來保持輸出電壓的穩定。相較于開關穩壓器,線性穩壓器的設計和實現更為簡單,而且在低噪聲和低電磁干擾的應用中表現出色。然而,其效率通常低于開關模式電源,尤其是在輸入與輸出電壓差值較大時。

二、ZLDO1117QG33TA的基本參數

ZLDO1117QG33TA是一款固定輸出電壓為3.3V的低壓差(LDO)線性穩壓器。其工作電壓范圍為1.25V至15V,能夠為多種系統提供所需的工作電壓。該壓器的最大輸出電流可以達到1A,足以滿足大多數低功耗設備的需求。還有如下主要參數:

1. 低壓差特性:其低壓差特性使得在大多數情況下輸入與輸出電壓之間的差異保持在1.2V以下,這對于電池供電或其他對效率要求較高的應用尤為重要。 2. 溫度范圍:工作溫度范圍廣(-40℃至+125℃),確保其在不同環境下的穩定性和可靠性。

3. 過流保護與熱關斷:ZLDO1117QG33TA具有過流保護和熱關斷特性,有效防止在短路等異常條件下的損壞。

4. 輸出電壓精度:其輸出電壓的精度通常在±1%范圍內,能夠滿足對電壓要求嚴格的電子設備。

三、應用場景

ZLDO1117QG33TA由于其良好的電氣性能和低成本,適用于多種應用場景。

1. 微處理器供電:在許多微控制器和單片機項目中,3.3V是一個常見的供電電壓。ZLDO1117QG33TA可為這些器件提供穩定的電源。

2. 通信設備:在Wi-Fi、藍牙等無線通信模塊中,ZLDO1117QG33TA能夠為模塊的射頻部分提供低噪聲電源,保障信號的穩定性。

3. 傳感器和執行器:各類傳感器和執行器的工作電壓通常較低,使用ZLDO1117QG33TA可以確保它們正常工作,準確傳輸數據。

4. 便攜式設備:在便攜式設備中,考慮到電池供電的限制,ZLDO1117QG33TA的低壓差特性使得能更高效地利用電池能量。

四、電路設計中的考慮

在使用ZLDO1117QG33TA進行電路設計時,需要考慮多種因素,以確保穩壓器能夠在各種情況下正常工作。

1. 輸入和輸出電容:合理選擇輸入和輸出電容的類型和容量至關重要。輸入電容可以有效降低輸入電壓的噪聲,而輸出電容對輸出電壓的瞬態響應有很大影響。通常,建議在輸出端并聯瓷片電容和鋁電解電容以獲得最佳性能。

2. 布局設計:PCB的布局設計同樣 impor于線性穩壓器的性能。尤其是輸入、輸出和地線的布線,應盡量縮短以減少寄生電感與電阻。同時,穩壓器附近的載流路徑需確保充足的散熱能力,以降低過熱的風險。

3. 散熱管理:在高負載條件下,ZLDO1117QG33TA可能會產生較高的熱量。設計時需要考慮適當的散熱措施,如加裝散熱片或針對性增加PCB的散熱面積,確保器件在規定溫度范圍內正常工作。

4. 過流及短路保護:雖然ZLDO1117QG33TA自帶過流和熱關斷功能,但在電路設計中需考慮額外的保護電路,以應對異常的工作情況。使用保險絲或其他保護元件可以進一步提高系統的安全性。

五、性能提升與優化

在一些應用中,為了提高ZLDO1117QG33TA的性能,可以考慮以下幾個方面的優化:

1. 提升輸入電壓和輸出電流:通過合理設計電路,使輸入電壓盡量高于輸出電壓,從而充分發揮ZLDO1117QG33TA的工作優勢。

2. 選擇合適的外部元件:選擇符合規格的輸出電容和輸入電容,可以使穩壓器在大負載下仍然保持較好的動態響應能力。

3. 搭配濾波器:在ZLDO1117QG33TA的輸入和輸出端可以加裝低通濾波器,有效降低電源的噪聲,提升系統的穩定性和可靠性。

4. 多輸出設計:在多種電壓需求的系統中,可以通過并聯多個穩壓器來實現不同電壓的輸出,以滿足不同模塊的需求。

六、總結

在如今的電子設計中,線性穩壓器的重要性不言而喻。ZLDO1117QG33TA憑借其優良的性能和廣泛的應用場景,成為了設計者們常用的選擇之一。通過合理的電路設計和細致的元件選型,可以充分發揮其性能優勢,確保整個系統的穩定性和可靠性。


本公司主營是二三極管,MOS管和邏輯芯片等,如果你這邊有需要的話,可以添加上面的聯系方式

ZLDO1117G33TA DIODES(美臺)
ADP150AUJZ-2.5-R7 ADI(亞德諾)
DSEP60-06A IXYS(艾賽斯)
NTB004N10G ON(安森美)
NVTFS5826NLTAG ON(安森美)
SN65LV1023ADBR TI(德州儀器)
SN74LVC8T245DWR TI(德州儀器)
TS3A5018DR TI(德州儀器)
BZV55-C4V7 Philips(飛利浦)
FDS3992 Fairchild(飛兆/仙童)
INA129MDREP Burr-Brown(TI)
MMPQ2907A ON(安森美)
S912XDP512J1MAL Freescale(飛思卡爾)
TPS54620RGYT TI(德州儀器)
AT32F407VGT7
CSD85301Q2 TI(德州儀器)
ES1D-13-F Diodes(美臺)
MT40A1G16RC-062E:B micron(鎂光)
RTC-7301SF EPSON(愛普生)
SC16C2550BIB48 Philips(飛利浦)
SMAJ5.0A-TR Vishay(威世)
SN65LV1224BDBR TI(德州儀器)
BQ7695204PFBR TI(德州儀器)
DG412DY-T1-E3 Infineon(英飛凌)
MC9S12C32CFAE25 Freescale(飛思卡爾)
STW48NM60N ST(意法)
TL3845BDR-8 TI(德州儀器)
BLM31PG500SN1L MURATA(村田)
LD1086DTTR ST(意法)
LFCN-190+ Mini-Circuits
MM5Z5V6T1G ON(安森美)
SI1000-E-GM2R SILICON LABS(芯科)
TLE94110EL Infineon(英飛凌)
ADG1408YCPZ-REEL7 ADI(亞德諾)
FQPF8N80C Fairchild(飛兆/仙童)
LM4562MAX/NOPB TI(德州儀器)
PIC16F18326-I/SL Microchip(微芯)
SN74AHCT32QPWRQ1 TI(德州儀器)
TC4427EOA713 MIC(昌福)
TLV62565DBVT TI(德州儀器)
TS3USB30RSWR TI(德州儀器)
XC3S200A-4VQG100I XILINX(賽靈思)
7914J-1-000E Bourns(伯恩斯)
ASMB-MTB1-0A3A2 Avago(安華高)
INA240A1EDRQ1 TI(德州儀器)
MCP2515-E/ST Microchip(微芯)
MK26FN2M0VLQ18 NXP(恩智浦)
NVMFS5C604NLWFT1G ON(安森美)
10CL055YU484I7G INTEL(英特爾)
ADS42LB69IRGCT TI(德州儀器)
ASL5115SHN NXP(恩智浦)
ISO1042BDWR TI(德州儀器)
LFXP2-8E-5TN144C Lattice(萊迪斯)
NIS5232MN1TXG ON(安森美)
SGM2054XTD10G/TR SGMICRO(圣邦微)
SGM2211-ADJXN5G/TR SGMICRO(圣邦微)
STM32G071G8U6N ST(意法)
XC6SLX75-3FGG484C XILINX(賽靈思)
744222 Wurth(伍爾特)
DMP2160UW-7 Opto Diode Corporation
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay(威世)
VLS6045EX-150M TDK(東電化)
10CL040YU484C8G ALTERA(阿爾特拉)
ACM9070-701-2PL-TL01 TDK(東電化)
ADS1015IDGST TI(德州儀器)
AON7401 AOS(萬代)
BSZ520N15NS3G Infineon(英飛凌)
HT66F0021 HOLTEK(合泰)
LM317D2TG ON(安森美)
MGA-86563-TR1G Avago(安華高)
MSB92ASWT1G ON(安森美)
SI8422BB-D-ISR SILICON LABS(芯科)
SN7002NH6327 Infineon(英飛凌)
SN74LVC1G139DCUR TI(德州儀器)
SN75452BP TI(德州儀器)
1050170001 Molex(莫仕)
2N7002DW ON(安森美)
AT24CM02-SSHM-B Microchip(微芯)
ATA6614Q-PLQW-1 Atmel(愛特梅爾)
IRLR2905ZTRPBF Infineon(英飛凌)
PIC16F1828-I/SO Microchip(微芯)
TLP621-4GB ISOCOM COMPONENTS
TOP234YN Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ZXGD3004E6TA Diodes(美臺)
ACPL-H342-500E Avago(安華高)
ATMEGA324PB-MU Microchip(微芯)
CS5368-CQZR CirrusLogic(凌云邏輯)
FM24V05-GTR Cypress(賽普拉斯)
LT1513-2IT7#PBF LINEAR(凌特)
LTM4624EY#PBF LINEAR(凌特)
MADP-000907-14020P MACOM
MC78M12ABDTRKG ON(安森美)
TIP107 ON(安森美)
TS3A4741DCNR TI(德州儀器)
AD7686BRMZ ADI(亞德諾)
ATMEGA128-16AI Microchip(微芯)
ATMEGA328PB-AN Microchip(微芯)
DS2Y-S-DC24V Panasonic(松下)
HSMF-C155 Broadcom(博通)
ISO7310CDR TI(德州儀器)
M25P10-AVMN6P ST(意法)
SN74LVC827APWR TI(德州儀器)
STM32L051C8T6TR ST(意法)
TEMT1020 Vishay(威世)
ADS1240E TI(德州儀器)
AT25256B-MAHL-T Atmel(愛特梅爾)
AT89C51CC03UAT-RLTUM Microchip(微芯)
AT89S51-24JU Microchip(微芯)
ATSAMD51J20A-AUT Microchip(微芯)
AZC099-04S.R7G AMAZING(晶焱)
BCM5720A0KFBG Broadcom(博通)
CMV4000-3E12M1PP AMS(艾邁斯)
CY62167DV30LL-55ZXIT Cypress(賽普拉斯)

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