EPCQ4ASI8N 的詳細參數

參數名稱 參數值
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 8285725387
包裝說明 SOIC-8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 3A991
HTS代碼 8542.32.00.51
Date Of Intro 2017-08-04
風險等級 7.61
Samacsys Description FPGA - Configuration Memory
Samacsys Manufacturer Intel
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.1
最大時鐘頻率 (fCLK) 100 MHz
數據保留時間-最小值 20
耐久性 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e3
長度 4.9 mm
內存密度 4194304 bit
內存集成電路類型 CONFIGURATION MEMORY
內存寬度 8
濕度敏感等級 3
功能數量 1
端子數量 8
字數 524288 words
字數代碼 512000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
組織 512KX8
輸出特性 3-STATE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
峰值回流溫度（攝氏度） 260
座面最大高度 1.75 mm
最大待機電流 0.00005 A
最大壓擺率 0.005 mA
最大供電電壓 (Vsup) 3.6 V
最小供電電壓 (Vsup) 2.7 V
標稱供電電壓 (Vsup) 3.3 V
表面貼裝 YES
技術 CMOS
溫度等級 INDUSTRIAL
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子節距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
寬度 3.9 mm

EPCQ4ASI8N 配置用存儲器的研究與應用

隨著信息科技的飛速發展，集成電路的復雜度和功能性日益增強。這種趨勢推動了配置用存儲器的研究與應用，尤其是在FPGA（現場可編程門陣列）和CPLD（復雜可編程邏輯器件）等領域。EPCQ4ASI8N是一款具有代表性的配置存儲器，廣泛應用于現代電子設計中。本文將深入探討EPCQ4ASI8N的技術規格、工作原理、應用場景以及與其他存儲器的比較。

1. EPCQ4ASI8N的技術規格

EPCQ4ASI8N是由英特爾（Intel）公司推出的一種串行閃存配置存儲器。據該器件的技術文檔，EPCQ4ASI8N具有以下幾個關鍵特征：

- 存儲容量：該存儲器提供高達4Mb的存儲容量，能夠滿足大部分FPGA的配置需求。 - 接口類型：EPCQ4ASI8N采用了四線并行接口（Quad SPI），實現了更高的數據傳輸速率。四線架構不僅提高了數據的讀寫速度，還大幅度減少了控制信號的數量，具有較好的可靠性。 - 供電要求：該器件的工作電壓范圍為1.65V到3.6V，廣泛適用于各種低功耗系統。 - 數據傳輸速度：最大傳輸速率可達104MHz，對于高性能FPGA來說，能夠快速地實現實時數據加載和處理。 - 編程與擦除：EPCQ4ASI8N支持塊編程及電擦除功能，提升了閃存的寫入效率，縮短了配置時間。

2. EPCQ4ASI8N的工作原理

EPCQ4ASI8N的工作原理可以分為幾個主要部分。首先，在數據存儲方面，該存儲器采用了EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）技術。與傳統的PROM（可編程只讀存儲器）不同，EEPROM可以進行電擦除和重新編程，因此適合用于頻繁更改配置文件的應用場景。

其次，EPCQ4ASI8N通過串行接口進行數據傳輸。設備通過命令字控制數據的讀取與寫入，用戶可以根據需要發送不同的指令，以實現配置過程的靈活控制。其傳輸協議遵循SPI協議，使其易于與主控FPGA或微控制器連接。

最后，EPCQ4ASI8N的應用并不限于簡單的數據存儲。當FPGA設備上電后，它會自動讀取EPCQ4ASI8N中的配置數據，從而完成自我配置的過程。在此過程中，EPCQ4ASI8N有效地實現了數據管理，確保FPGA能夠按照預定的邏輯進行運行。

3. EPCQ4ASI8N的應用場景

EPCQ4ASI8N在多個領域得到了廣泛應用，包括工業控制、消費電子、網絡設備以及通訊設備等。以工業控制為例，現代工控系統常常依賴FPGA進行高速數據處理與控制邏輯實現。EPCQ4ASI8N的高存儲容量和高速傳輸特性使其成為這些系統中理想的配置存儲方案。

在消費電子產品中，EPCQ4ASI8N可以被用于智能家居設備、數字媒體播放器等的配置存儲。其低功耗特性在電池供電的設備中顯得尤為重要。此外，由于其能夠快速配置，消費者在使用新設備時，更加順暢的用戶體驗得以保證。

在網絡設備中，EPCQ4ASI8N可以用于路由器和交換機等設備的核心控制邏輯的配置。通過快速讀取與編程，網絡供應商可以在滿足高帶寬性能的前提下，實現靈活的固件更新，進一步提升設備的穩定性和安全性。

4. EPCQ4ASI8N與其他存儲器的比較

在配置存儲器市場上，EPCQ4ASI8N并非唯一選擇。市面上還有多種存儲器可供選擇，例如傳統的NAND閃存、NOR閃存、以及其他串行閃存等。與這些存儲器相比，EPCQ4ASI8N的優勢主要體現在以下幾個方面：

- 讀寫速度：EPCQ4ASI8N支持高達104MHz的傳輸速率，相比一些傳統的NAND閃存，其速率明顯更高，能更迅速地加載FPGA配置數據。 - 編程與擦除效率：EPCQ4ASI8N支持塊編程功能，減少了單次編程的時間，使得配置過程更加高效。而一些存儲器在擦除和編程效率上則可能相對較低。 - 功耗表現：相較于某些高功耗的存儲器，如并行NOR閃存，EPCQ4ASI8N在低功耗狀態下表現優異，特別適合在嵌入式系統及移動設備中使用。

盡管EPCQ4ASI8N的眾多優點使其在市場上占據了一席之地，但也有其局限性。例如，EPCQ4ASI8N的存儲容量相對較小，不適合需要大容量數據存儲的應用場景。此外，隨著技術的進步，新的存儲解決方案也在不斷涌現，可能會對EPCQ4ASI8N的市場份額產生影響。

伴隨著物聯網、人工智能等領域的迅猛發展，未來對存儲器的需求將更加多樣化與復雜化。EPCQ4ASI8N憑借其優越的性能、靈活的應用以及便捷的安裝方式，將繼續在眾多電子設備中發揮重要作用。

EPCQ4ASI8N ALTERA(阿爾特拉)
LM339DR2G TI(德州儀器)
STM8L151K6T6 ST(意法)
OP27GSZ ADI(亞德諾)
LM5164DDAR TI(德州儀器)
TMS320VC5416PGE160 TI(德州儀器)
LM317DCYR TI(德州儀器)
TPS61021ADSGR TI(德州儀器)
TPS2H160BQPWPRQ1 TI(德州儀器)
IRFB4227PBF Vishay(威世)
VNH7100BASTR ST(意法)
74HC00D NXP(恩智浦)
PIC18F45K80-I/PT Microchip(微芯)
TMS320VC33PGEA120 TI(德州儀器)
ADSP-TS201SABP-050 ADI(亞德諾)
XC7K325T-1FFG900I XILINX(賽靈思)
STM32L053R8T6 ST(意法)
TLP2362 TOSHIBA(東芝)
FS32K144HFT0MLL NXP(恩智浦)
LD1117S33TR ST(意法)
TPS1H200AQDGNRQ1 TI(德州儀器)
MK60DN512VLQ10 Freescale(飛思卡爾)
NCV1117ST33T3G ON(安森美)
REF5050AIDR TI(德州儀器)
STM32F051K8U6 ST(意法)
LPC1778FBD208 NXP(恩智浦)
MC68HC11E1CFNE2 Freescale(飛思卡爾)
TM4C1230C3PMI7R TI(德州儀器)
MKV46F256VLL16 Freescale(飛思卡爾)
DP83848KSQ TI(德州儀器)
SN65LVDT2DBVR TI(德州儀器)
ADS1299IPAGR TI(德州儀器)
SIM800C SIMCOM(芯訊通無線)
FQD17P06TM Fairchild(飛兆/仙童)
TPS5410DR TI(德州儀器)
VNHD7008AYTR ST(意法)
MT48LC16M16A2P-6A:G micron(鎂光)
MK20DX256VLH7 Freescale(飛思卡爾)
LM3886TF TI(德州儀器)
K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG(三星)
NUC029LAN Nuvoton(新唐)
FQT5P10TF Freescale(飛思卡爾)
MPC5200CVR400B MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32L151C8T6A ST(意法)
MSP430G2553IPW20R TI(德州儀器)
KSZ8895MQXIA Microchip(微芯)
1SMB5920BT3G ON(安森美)
LMR16030SDDAR TI(德州儀器)
1N4007 China(國產)
MIMXRT1064CVL5B NXP(恩智浦)
LMV321ILT ST(意法)
ISL8204MIRZ-T Renesas(瑞薩)
88E1518-A0-NNB2C000 Marvell(美滿)
K4B2G1646F-BYMA SAMSUNG(三星)
OPA2171AIDR TI(德州儀器)
TMS320F2811PBKA TI(德州儀器)
PIC16F1503-I/SL MIC(昌福)
EP3C10E144C8N ALTERA(阿爾特拉)
MCP3421A0T-E/CH MIC(昌福)
AT91SAM7X256C-AU Atmel(愛特梅爾)
INA2133U TI(德州儀器)
AT28HC64B-12JU Atmel(愛特梅爾)
TAS5630BDKDR TI(德州儀器)
TPA3251D2DDVR TI(德州儀器)
MKL16Z128VFT4 Freescale(飛思卡爾)
XCKU040-2FFVA1156I XILINX(賽靈思)
ADM7150ACPZ-5.0 ADI(亞德諾)
EPCQ16ASI8N INTEL(英特爾)
TMS320F28377SPTPS TI(德州儀器)
74HC595PW NXP(恩智浦)
LMV324IDR TI(德州儀器)
TMS320F28075PTPT TI(德州儀器)
FGH60N60SMD ON(安森美)
UC3843BD1013TR ST(意法)
EP4CE30F23C7N ALTERA(阿爾特拉)
KSZ8463RLI Microchip(微芯)
FS32K144HAT0MLHR NXP(恩智浦)
MKE02Z64VLC4 Freescale(飛思卡爾)
MAX232CSE Maxim(美信)
STM32F769BIT6 ST(意法)
LTM4622IY#PBF ADI(亞德諾)
AT45DB321E-SHF-T ADESTO(領迎)
VN5T006ASPTR-E ST(意法)
PIC12F675-I/P Microchip(微芯)
TMS320VC5502PGF300 TI(德州儀器)
W25Q256JVFIQ WINBOND(華邦)
PCA9685PW NXP(恩智浦)
MT41K128M16JT-125 micron(鎂光)
SCTH40N120G2V7AG ST(意法)
DP83848IVVX NS(國半)
INA128UA/2K5 TI(德州儀器)
1N4148W-7-F Diodes(美臺)
VN808TR-E ST(意法)
STM32F746BGT6 ST(意法)
BC847C Diodes(美臺)
TLV73333PDBVR TI(德州儀器)
LM2675MX-ADJ NS(國半)
LM2678SX-ADJ TI(德州儀器)
AD7193BRUZ ADI(亞德諾)
SN74LVC1G07DCKR TI(德州儀器)
SM712.TCT TASUND(泰盛達)
EP3C40F484I7N ALTERA(阿爾特拉)
HI-1573PSI Holt Integrated Circuits Inc.
MBR2H200SFT1G ON(安森美)
SPW47N60C3 Infineon(英飛凌)
MJD122T4G ON(安森美)
LPC1768FBD100K NXP(恩智浦)
MCP2515T-I/SO Microchip(微芯)
STM32F401RET6 ST(意法)
S912ZVCA96F0MLF NXP(恩智浦)
LSM6DS3TR ST(意法)
EN5311QI Echelon Corporation
PCF8563T Philips(飛利浦)
ADIS16470AMLZ ADI(亞德諾)
AD823ARZ TI(德州儀器)
ADXL345BCCZ-RL7 ADI(亞德諾)
TPS53319DQPR TI(德州儀器)
PGA281AIPWR TI(德州儀器)
MCP73831T-2ACI/OT Microchip(微芯)
DAC8760IPWPR TI(德州儀器)
AD698APZ ADI(亞德諾)
ATMEGA328PB-MU Microchip(微芯)
ADSP-BF537BBCZ-5A ADI(亞德諾)
TLV70033DDCR TI(德州儀器)
SN74LVC1G125DCKR TI(德州儀器)
AT27C256R-70PU Atmel(愛特梅爾)
TP8485E-SR 3PEAK(思瑞浦)
AT89C51ED2-RLTUM Atmel(愛特梅爾)
SRV05-4.TCT TASUND(泰盛達)
AT91SAM7X512B-AU Microchip(微芯)
BQ7694003DBTR TI(德州儀器)
TL431BIDBZR Nexperia(安世)
ATF1504AS-10JU44 Microchip(微芯)
ATMEGA324PA-AU Atmel(愛特梅爾)