SN65HVD3082EDR的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid SN65HVD3082EDR
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1971936279
零件包裝代碼 SOIC
包裝說明 GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
針數 8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia, Mexico
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
風險等級 1.27
Samacsys Description Half-Duplex RS-485 Transceiver
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
差分輸出 YES
驅動器位數 1
高電平輸入電流最大值 0.0001 A
輸入特性 DIFFERENTIAL SCHMITT TRIGGER
接口集成電路類型 LINE TRANSCEIVER
接口標準 EIA-485-A; TIA-485-A
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e4
長度 4.9 mm
濕度敏感等級 1
功能數量 1
端子數量 8
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
最小輸出擺幅 1.5 V
輸出特性 DIFFERENTIAL
最大輸出低電流 0.008 A
輸出極性 TRUE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
認證狀態 Not Qualified
最大接收延遲 200 ns
接收器位數 1
座面最大高度 1.75 mm
最大壓擺率 0.9 mA
最大供電電壓 5.5 V
最小供電電壓 4.5 V
標稱供電電壓 5 V
電源電壓1-最大 5.5 V
電源電壓1-分鐘 4.5 V
電源電壓1-Nom 5 V
表面貼裝 YES
技術 CMOS
溫度等級 INDUSTRIAL
端子面層 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING
端子節距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
最大傳輸延遲 1300 ns
寬度 3.9 mm

SN65HVD3082EDR 接口芯片的分析與應用

引言

隨著信息技術的迅速發展，數據通信日益成為電子設備不可或缺的一部分。在現代化的自動化系統和工業控制中，接口芯片就像是技術交流的橋梁，它們負責不同設備或模塊之間的信號傳遞。在眾多接口芯片中，SN65HVD3082EDR 作為一款高性能的差分信號收發器，因其優越的特性和廣泛的應用領域而備受關注。

SN65HVD3082EDR 的特性

1. 電氣特性

SN65HVD3082EDR 主要用于 CAN（控制器局域網絡）通信，工作電壓范圍一般為 4.5V 至 5.5V。其接收和發送的數據速率可達到 1Mbps，同時該芯片具有較高的抗干擾能力，能夠支持長達 1km 的通信距離。這些特性使得 SN65HVD3082EDR 在噪聲較大的工業環境中依然能夠保持穩定的信號傳輸。

2. 低功耗設計

該芯片在待機模式下功耗極低，能夠有效延長設備的使用壽命，成為低功耗應用中不可或缺的選擇。這種低功耗設計特別適合電池供電的設備，同時對環境保護也具有積極的影響。

3. 充足的保護功能

SN65HVD3082EDR 的內部防護設計提升了其在極端工作條件下的可靠性。例如，其具有過流保護、熱關斷以及靜電放電（ESD）保護功能，這使得芯片具備較強的生存能力，能在不良環境下穩定工作。

應用領域

1. 工業控制

在現代工業自動化中，SN65HVD3082EDR 常用于設備間的串行通信。由于其優異的抗干擾性，廣泛應用于機械手臂、傳感器及控制器等設備的連接。這不僅提高了工業設備的通信效率，還降低了因信號干擾而導致的故障率。

2. 智能交通系統

在智能交通系統中，SN65HVD3082EDR 也發揮著重要的作用。交通信號控制、車輛之間的通信以及交通監控系統都依賴于該芯片。在交通管理中，各種實時數據的快速傳輸對于應對突發情況至關重要，而 SN65HVD3082EDR 則提供了高效、可靠的支持。

3. 醫療設備

隨著醫療行業的智能化發展，SN65HVD3082EDR 在醫療設備中的應用也越來越廣泛。醫療檢測設備、監護儀以及其它診斷設備的通信均會使用到該芯片。其高穩定性和抗干擾能力在醫療環境中顯得尤為重要，確保了數據傳輸的準確性與實時性。

設計考慮

1. 布線與信號完整性

在設計采用 SN65HVD3082EDR 的電路板時，布線是一個關乎信號完整性的關鍵因素。需要盡量縮短差分信號線的長度，避免產生不必要的延遲和信號衰減。此外，為了降低外部噪聲的影響，建議采用屏蔽線纜并合理布置地線。

2. 電源設計

合適的電源設計對 SN65HVD3082EDR 的正常工作至關重要。推薦使用穩壓電源，確保提供給芯片的電壓在符合規格范圍內。此外，電源去耦電容的合理布局也能提高電源的穩定性，從而提升整體性能。

3. 溫度管理

由于芯片工作時可能產生熱量，適當的散熱管理也不可忽視。使用適當的散熱措施，例如散熱片或風扇，可以有效降低芯片的工作溫度，延長其使用壽命。同時，環境溫度的變化對芯片的性能也會產生影響，因此在選擇應用場景時需要加以考慮。

未來發展方向

隨著工業4.0和物聯網的普及，對高性能接口芯片的需求將會不斷增長。SN65HVD3082EDR 作為這一領域的重要產品，其性能和特性將促使其在未來的應用中表現出更大的潛力。在智能設備、自動化生產線以及智能城市建設中，能否充分利用 SN65HVD3082EDR 進行高效的數據傳輸，將成為決定未來技術競爭力的重要因素。

結語

盡管 SN65HVD3082EDR 作為一款接口芯片在行業中已展現出其獨特的優勢，但其在具體應用中的探索仍然是一個持續的過程。未來的研究將聚焦于如何優化其在不同環境中的性能表現，以滿足更多應用需求。 通過不斷的技術創新和優化設計，SN65HVD3082EDR 將繼續在數據通信領域發揮著重要的作用。

SN65HVD3082EDR TI(德州儀器)
TPA3118D2DAPR TI(德州儀器)
AT24C64D-SSHM-T Atmel(愛特梅爾)
IHW20N135R5 Infineon(英飛凌)
XCF02SVOG20C XILINX(賽靈思)
BTS50055-1TMA Infineon(英飛凌)
L78L05ABUTR ST(意法)
FS32K144HAT0MLHT ST(意法)
88E1111-B2-NDC2I000 Marvell(美滿)
LM258DR TI(德州儀器)
LM2904DR XINBOLE(芯伯樂)
STM32F767ZIT6 ST(意法)
STM32F105RCT6 ST(意法)
ATXMEGA128A4U-AU TI(德州儀器)
NCP1342AMDCDAD1R2G ON(安森美)
STM32F767BIT6 ST(意法)
XC7A100T-2FGG484I XILINX(賽靈思)
MK10DN512VLL10 Freescale(飛思卡爾)
DS18B20+ XINBOLE(芯伯樂)
MMBT3904LT1G CJ(江蘇長電/長晶)
SZNUP2105LT1G ON(安森美)
LMX2594RHAR TI(德州儀器)
MCP6002T-I/SN Microchip(微芯)
STM32F030R8T6 ST(意法)
STM32F103VBT6 ST(意法)
STM8S003F3U6TR ST(意法)
IRFR5305TRPBF VBsemi(臺灣微碧)
L7805CV ST(意法)
TJA1043T/1 NXP(恩智浦)
VN5E010AHTR-E ST(意法)
LMD18200T TI(德州儀器)
SN74LVC1G08DBVR TI(德州儀器)
LM3481MMX/NOPB NS(國半)
OPA2277UA/2K5 TI(德州儀器)
EP4CE6F17C8N XILINX(賽靈思)
GD25Q127CSIG GD(兆易創新)
TMS320F28377DPTPT TI(德州儀器)
LM1117IMPX-3.3 TI(德州儀器)
FS32K144HAT0MLLT NXP(恩智浦)
VNB35N07TR-E ST(意法)
MBRS140T3G ON(安森美)
TPS54302DDCR TI(德州儀器)
TPS74801DRCR TI(德州儀器)
AD9914BCPZ ADI(亞德諾)
MBRS1100T3G ON(安森美)
STW11NK100Z ST(意法)
88E1111-B2-BAB1I000 Marvell(美滿)
DSPB56367AG150 MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F429ZGT6 ST(意法)
STM32G030F6P6 ST(意法)
ADS7924IRTER TI(德州儀器)
ATTINY13A-SSU Atmel(愛特梅爾)
XTR115UA TI(德州儀器)
LSM6DS3TR-C ST(意法)
MK24FN1M0VLQ12 NXP(恩智浦)
MK60DN512VMD10 NXP(恩智浦)
XTR111AIDGQR TI(德州儀器)
S9S12G128AMLFR NXP(恩智浦)
LM3481MMX TI(德州儀器)
XC7Z100-2FFG900I XILINX(賽靈思)
MC33078DR2G ON(安森美)
AD623ARZ ADI(亞德諾)
XC7A35T-2FGG484I XILINX(賽靈思)
ULN2803ADW TI(德州儀器)
MT41K256M16TW-107IT:P micron(鎂光)
2N7002 LRC(樂山無線電)
LP8867QPWPRQ1 TI(德州儀器)
REF3025AIDBZR TI(德州儀器)
BAT54S Diodes(美臺)
DAC7612U TI(德州儀器)
SSD2832G24 SOLOMON(晶門科技)
MBRS360T3G Vishay(威世)
MS51FB9AE Nuvoton(新唐)
LMR33620CQRNXRQ1 TI(德州儀器)
TMS320F28377DZWTT TI(德州儀器)
IXFB44N100P IXYS(艾賽斯)
MCF52223CAF66 Freescale(飛思卡爾)
TPS54202DDCR TI(德州儀器)
MK70FN1M0VMJ12 Freescale(飛思卡爾)
SP3485EN-L/TR SIPEX(西伯斯)
EPM240T100I5N ALTERA(阿爾特拉)
ATMEGA162-16AU Atmel(愛特梅爾)
TPS54160DGQR TI(德州儀器)
BC817-40 NXP(恩智浦)
PIC16F1947-I/PT Microchip(微芯)
MK10DX256VLK7 Freescale(飛思卡爾)
5M240ZT100A5N ALTERA(阿爾特拉)
LIS2DW12TR TI(德州儀器)
LM2675MX-5.0/NOPB TI(德州儀器)
TPS7A4901DGNR TI(德州儀器)
SN74LVC8T245PWR TI(德州儀器)
IKZ75N65EH5 Infineon(英飛凌)
PCA9306DCUR TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-20A-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
MT41K128M16JT-125IT:K micron(鎂光)
CC1101RGPR TI(德州儀器)
KLMAG1JETD-B041 SAMSUNG(三星)
MT41K256M16TW-107 micron(鎂光)
MCP6001T-I/OT MIC(昌福)
EPCQ128ASI16N ALTERA(阿爾特拉)
P4080NSE7PNC NXP(恩智浦)
LM324DT ST(意法)
XTR117AIDGKR TI(德州儀器)
STM32H743BIT6 ST(意法)
STM32F722RET6 ST(意法)
KSZ8999 Microchip(微芯)
EP3C25E144I7N ALTERA(阿爾特拉)