STP8N120K5的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid STP8N120K5
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 8326083156
包裝說明 TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 14 weeks
Date Of Intro 2018-05-31
風險等級 2.27
Samacsys Description MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.28
雪崩能效等級（Eas） 415 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 1200 V
最大漏極電流 (ID) 6 A
最大漏源導通電阻 2 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 12 A
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

STP8N120K5場效應管的特性與應用分析

引言

在現代電子技術中，場效應管（Field Effect Transistor, FET）作為一種重要的半導體器件，廣泛應用于信號放大、開關控制以及電源管理等領域。其中，STP8N120K5作為一款N溝道功率場效應管，以其優良的性能和廣泛的應用前景受到廣泛關注。本文將系統闡述STP8N120K5的特性、工作原理以及應用場景。

STP8N120K5的基本特性

STP8N120K5是一種N溝道功率MOSFET，其額定電壓高達1200V，額定電流為8A，能夠在高壓、高功率的環境下進行穩定操作。這種器件采用了先進的制造工藝，以降低開關損耗、提高開關速度為目標。其導通電阻（R_DS(on)）相對較低，通常在1.6Ω左右，保證在導通狀態下有較小的功率損耗。這些特性使其在高壓應用中展現出優越的效率和穩定性。

在封裝上，STP8N120K5采用了TO-220型封裝，這種封裝不僅便于散熱，還能夠承受較高的電流，大大增強了其在實際應用中的靈活性。此外，STP8N120K5的柵極閾值電壓（V_GS(th)）通常在2到4V之間，這意味著在相對較低的柵電壓下即可實現導通，適合與多種控制電路配合使用。

工作原理

場效應管的工作原理基于電場對半導體載流子的調控。在N溝道MOSFET中，柵極施加的電壓會在半導體材料上產生電場，進而控制導電通道的形成。當柵極電壓高于閾值電壓時，N型材料中的電子借助電場的作用被吸引到源極和漏極之間，形成導電通道；當柵極電壓低于這一值時，導電通道消失，器件進入關閉狀態。

STP8N120K5的工作過程可以分為幾個階段。在開啟階段，當施加的柵極電壓達到閾值后，器件導通，漏電流隨之增大。在導通過程中，隨著柵極電壓的進一步增加，導通電阻逐漸降低，從而降低功耗。在關斷階段，通過降低柵極電壓，電流逐步減小，最終實現完全關閉。

性能參數分析

STP8N120K5在實際應用中的性能參數不僅取決于其自身設計，也受到溫度、頻率等多方面的影響。其開關速度是評價功率MOSFET性能的重要指標，通常通過開關損耗來考慮。在硬開關狀態下，關閉和開啟所需的時間會直接影響到系統的整體效率。因此，STP8N120K5的開關速度設計得非常合理，適合用于要求快速開關的應用場景。

根據制造商提供的數據，STP8N120K5在工作頻率達到幾百kHz時仍能保持良好的性能，這使其在轉換電源及開關電源等高頻高效電源轉換領域具備廣泛應用潛力。此外，STP8N120K5的耐壓特性使其能夠輕松應對高壓應用，延長系統的使用壽命。

應用領域

STP8N120K5的應用涵蓋多個領域，其在開關電源、直流電機驅動、電源管理IC以及其它高壓電源設計中均表現出色。在開關電源中，STP8N120K5能夠有效降低轉換損耗，從而提高電源的整體效率。由于其高耐壓和高電流能力，該器件非常適合在高壓環境下驅動負載，特別是電力電子設備中。

在電機驅動領域，STP8N120K5廣泛應用于工業自動化、機器人技術以及電動工具等產品中。在這些產品中，要求瞬時啟動電流和高效的運行模式，STP8N120K5能夠在不損失性能的情況下，提供所需的電流和電壓，確保設備穩定運行。

同樣，在高頻應用中，STP8N120K5也得到了重視。其快速的開關特性使其成為開關電源和逆變器設計的重要選擇，這類產品對功率管的響應速度和效率要求極高。

實際設計中的注意事項

在實際設計中，選擇STP8N120K5時需要注意多種因素。首先，要充分了解其工作環境，包括溫度、頻率和電壓等，以確保其在設計中能夠處于最佳工作狀態。散熱設計同樣至關重要，良好的散熱能有效提高器件的可靠性，減少損壞的風險。此外，在電路設計中，應合理選擇驅動電路，以確保柵極電壓能夠快速達到驅動器件所需的閾值電壓，避免因開關延遲造成的效率損失。

對于STP8N120K5的驅動電路，應考慮使用合適的驅動芯片來實現高效開關。對于高頻應用，驅動電路應具備快速響應能力，以確保器件能夠在極短時間內完成開關操作。這一點在電源轉換效率的提升方面顯得尤為重要。

在布局設計上，應合理安排STP8N120K5的引腳位置，以減小寄生電感和寄生電容的影響，這對提升開關速度和工作穩定性至關重要。同時，應在電路板中為器件留出必要的散熱空間，避免因過熱導致性能下降。

STP8N120K5作為一種高性能的功率MOSFET，其先進的特性和廣泛的應用前景使其在現代電子設計中愈發重要。無論是在典型的開關電源應用中，還是在更為復雜的電力電子設備中，STP8N120K5都能以其卓越的性能滿足各種需求，成為工程師在設計時的重要選擇。隨著電子技術的不斷進步，STP8N120K5及其相似器件將會在未來的電子產品開發中發揮更加重要的作用。

STP8NK120K5 ST(意法)
TAS6422QDKQRQ1 TI(德州儀器)
TL2575-05IKTTR TI(德州儀器)
TMP175AIDR TI(德州儀器)
TP5532-SR 3PEAK(思瑞浦)
TQP9218 Qorvo(威訊聯合)
VIPER26HN ST(意法)
XC2C64A-7CPG56C XILINX(賽靈思)
XC7A15T-1CPG236C XILINX(賽靈思)
XC7Z045-3FFG676E XILINX(賽靈思)
AD5348BCPZ ADI(亞德諾)
AD7171BCPZ-500RL7 ADI(亞德諾)
AD7495BRZ ADI(亞德諾)
AD8606ACBZ-REEL7 ADI(亞德諾)
ADUM7440CRQZ ADI(亞德諾)
ADV7343BSTZ ADI(亞德諾)
APM32F103TBU6
ATTINY1614-SSNR Microchip(微芯)
ESP8285H16 ESPRESSIF 樂鑫
FQA8N100C ON(安森美)
G3VM-61G1 OMRON(歐姆龍)
MC9S08QE64CLH Freescale(飛思卡爾)
N80C196KC20 INTEL(英特爾)
OPA2340EA Burr-Brown(TI)
SN1702001RTER TI(德州儀器)
SN74AVCH4T245RGYR TI(德州儀器)
SN74HC10DR TI(德州儀器)
TLC27M2CDR TI(德州儀器)
TLV2372QDRQ1 TI(德州儀器)
USB5807-I/KD Microchip(微芯)
W25Q32JVSSIM WINBOND(華邦)
XCZU4EV-2FBVB900E XILINX(賽靈思)
5CSEMA6F31I7N ALTERA(阿爾特拉)
AD5362BSTZ ADI(亞德諾)
ADS131E04IPAG TI(德州儀器)
ADS7828EB/250 Burr-Brown(TI)
ADSP-BF525BBCZ-5A ADI(亞德諾)
CY14B256LA-SZ25XI Cypress(賽普拉斯)
EL5171ISZ-T7 Intersil(英特矽爾)
EPM3064ATC100-10 ALTERA(阿爾特拉)
ESP32-S3FN8 ESPRESSIF 樂鑫
ESP32-WROOM-32D-N16 ESPRESSIF 樂鑫
GD32F310C8T6 GD(兆易創新)
HCF4051YM013TR ST(意法)
IS25LP128-JLLE ISSI(美國芯成)
LS1240AD1 ST(意法)
MC74HC08ADTR2G ON(安森美)
MIC2026-1BM Microchip(微芯)
NCV2901DTBR2G ON(安森美)
NVTFS5C471NLWFTAG ON(安森美)
PCA9600DP NXP(恩智浦)
PIC18F2685-I/SO Microchip(微芯)
QCN-6102-0-DRQFN116-TR-01-0 Qualcomm(高通)
STM32L433CCT3 ST(意法)
TMS320C6745DPTP3 TI(德州儀器)
TPS40305DRCR TI(德州儀器)
TPS73125DBVR TI(德州儀器)
TPS73HD318PWPR TI(德州儀器)
UCC27323DGN TI(德州儀器)
W9425G6KH-5 WINBOND(華邦)
AD8223ARMZ ADI(亞德諾)
AD8497ARMZ ADI(亞德諾)
ADA4430-1YKSZ ADI(亞德諾)
ADA4932-1YCPZ-R2 ADI(亞德諾)
ADP3338AKCZ-5 ADI(亞德諾)
ATA5291-GJQW Microchip(微芯)
FCPF11N60NT ON(安森美)
FQA140N10 Freescale(飛思卡爾)
FQD2P40TM Fairchild(飛兆/仙童)
HMC5983 Honeywell(霍尼韋爾)
IMZ120R060M1H Infineon(英飛凌)
LM2675N-5.0 NS(國半)
LMR14020QDPRTQ1 TI(德州儀器)
MCIMX6G3CVM05AB Freescale(飛思卡爾)
MKW36Z512VHT4 NXP(恩智浦)
MOC207M Fairchild(飛兆/仙童)
MSP430FR5994IPN TI(德州儀器)
NX3L4051PW NXP(恩智浦)
P2041NXE7PNC NXP(恩智浦)
R5F1096AJSP#X0 Renesas(瑞薩)
RT9527GQW RICHTEK(臺灣立锜)
ST485ERBDR ST(意法)
STP20N95K5 ST(意法)
STW45NM50 ST(意法)
TPS389033QDSERQ1 TI(德州儀器)
TPS650243RHBR TI(德州儀器)
XCVU9P-2FLGA2577I XILINX(賽靈思)
2SC2712 TOSHIBA(東芝)
82551ER INTEL(英特爾)
AD8648ARUZ ADI(亞德諾)
AD9251BCPZ-20 ADI(亞德諾)
AP3407KTR-G1 Diodes(美臺)
BMI220 Bosch(博世)
CA-IF1051HS Chipanalog(川土微)
CNY17F-3 Vishay(威世)
DG411DY SI-EN(矽恩)
DP83TG720SWRHARQ1 TI(德州儀器)
ESD5481MUT5G ON(安森美)
INA250A4PW TI(德州儀器)
LMV324DR2G ON(安森美)
LP3783B NICOMATIC LP
MT41K256M16TW-125:P micron(鎂光)
OP292GS ADI(亞德諾)
PCM1863DBTR TI(德州儀器)
S1D13700F02A100 EPSON(愛普生)
TLV274CPWR TI(德州儀器)
XPT8871 XPT(矽普特)
YT8531SH
ADS8695IPWR TI(德州儀器)
ATMEGA2560-16AUR Microchip(微芯)
ATSAMD51J20A-AU Microchip(微芯)
BSP171P Infineon(英飛凌)
EM4095 EMC
EP2AGX125EF35I5G ALTERA(阿爾特拉)
EPM7128AETI100-7 ALTERA(阿爾特拉)