STD15NF10T4的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid STD15NF10T4
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1519030228
零件包裝代碼 TO-252
包裝說明 DPAK-3
針數 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 26 weeks
風險等級 1.67
Samacsys Description STD15NF10T4, N-channel MOSFET Transistor 23 A 100 V, 3-Pin TO-252
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.75
雪崩能效等級（Eas） 75 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (ID) 15 A
最大漏源導通電阻 0.08 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-252
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 70 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 60 A
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

STD15NF10T4 場效應管的特性與應用研究

引言

場效應管（Field Effect Transistor, FET）是一種重要的半導體器件，廣泛應用于電子電路中。STD15NF10T4 是一種 N 型增強型場效應管，其具有優異的性能特點，因而在現代電子設備中得到了廣泛的應用。本文將對 STD15NF10T4 的基本特性、工作原理以及其在實際應用中的表現進行詳細探討。

一、基本特性

STD15NF10T4 具有多個引腳，其中源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）是其三個基本引腳。該器件的額定電壓為 100V，最大電流為 15A，且具有較低的導通電阻（R_DS(on)），這使得它在高頻和高功率應用中表現優秀。根據廠家提供的參數數據，其 R_DS(on) 通常在 0.15Ω 左右，這意味著在正常工作條件下的導通損耗非常低。

此外，STD15NF10T4 的開關速度較快，通常在數十納秒到數百納秒之間。這一特性使得它能夠在開關電源、逆變器等高頻應用中表現出色。值得注意的是，在高頻工作條件下，場效應管的傳輸特性會因寄生電容和電感的影響而有所變化，因此在設計電路時需充分考慮這些因素。

二、工作原理

STD15NF10T4 的工作原理基于電場效應。與傳統的雙極型晶體管不同，場效應管通過柵極電壓控制其導通狀態。當柵極施加正電壓時，半導體材料中的電子濃度增加，形成導電通道；反之，當柵極電壓為零或負時，導電通道就會關閉，從而實現信號的開關控制。

在 N 型場效應管中，源極是裝有多余電子的區域，而漏極則是缺少電子的區域。柵極則通過絕緣層與半導體材料相隔，當外加電壓作用于柵極時，將在半導體材料中形成反向電場，從而影響其電導特性。控制柵極電壓的變化可以精準地調節電流的流通狀態，這也是場效應管在現代電路中得到廣泛應用的原因之一。

三、應用領域

STD15NF10T4 的廣泛應用涉及多個領域，其主要應用包括開關電源、直流-直流轉換器、逆變器以及電動機驅動電路等。在開關電源中，該器件通過快速的開關動作實現高效的能量轉換。由于其低導通損耗，能夠有效降低電源的熱損耗，從而提升整體系統效率。

在直流-直流轉換器中，STD15NF10T4 被用作開關元件，可實現高效的電能變換。此外，其高開關頻率的特性使得轉換器可以設計得更為緊湊，從而適應空間有限的應用場合。在逆變器中，該器件則發揮了將直流電轉化為交流電的關鍵作用，廣泛應用于新能源發電系統，如太陽能發電、風能發電等領域。

電動機驅動電路則是另一個重要的應用場景。在現代自動化控制系統中，電動機驅動電路需要求高效能和準確的控制，而 STD15NF10T4 能夠通過其快速的開關特性實現對電動機的精確調節，提升系統的性能和可靠性。

四、性能優化及注意事項

在實際應用中，為了發揮 STD15NF10T4 的最佳性能，設計者需要注意多項因素。首先，散熱設計是一個不容忽視的環節。盡管該器件在導通狀態下的熱損耗較低，但在高功率應用中，依然會產生大量熱量，因此優化散熱設計可以有效延長器件的使用壽命，確保系統的穩定性。

其次，開關頻率的設計也至關重要。在高頻工作時，寄生電容和電感會顯著影響開關性能，為此設計者需要仔細選擇合適的電路拓撲結構，并使用低寄生參數的布局設計。在 PCB 設計中，應盡量縮短導線長度，避免不必要的電感增加。

此外，選擇適當的驅動電路也很重要，特別是在高頻情況下，確保驅動電壓能夠快速變化以降低開關損耗，提升工作效率。不同的驅動方式會影響開關的速度，從而影響整個電路的性能。因此，在設計階段應綜合考量這些因素，以達到最佳的工作效果。

五、市場前景

隨著電子技術的不斷進步，市場對高效能與低功耗器件的需求日益增加。STD15NF10T4 的性能特性正好契合了這一發展趨勢。尤其是在新能源、智能電網和電動車行業中，相關市場對高效電源管理解決方案的需求正在急劇增加。這為 STD15NF10T4 的應用提供了廣闊的市場前景。

同樣，隨著推進綠色能源和可再生能源的倡導，電源轉換效率的提高與器件的節能特性成為新的研究方向。因此，STD15NF10T4 有望在未來的技術發展中繼續發揮重要作用，為現代化的能源管理和電子設備設計提供強有力的支持。

STD15NF10T4 ST（意法）
TDA8551T Philips(飛利浦)
LM2903MX/NOPB NS(國半)
AD7490BRUZ-REEL7 ADI(亞德諾)
LM2676S-ADJ/NOPB TI(德州儀器)
OPA2171AIDCUR TI(德州儀器)
SN74LVCH16T245DGGR TI(德州儀器)
LT1763CS8-5#TRPBF ADI(亞德諾)
NCP45521IMNTWG-H ON(安森美)
ASSR-1218-503E Broadcom(博通)
LM22676MRX-ADJ/NOPB NS(國半)
AD8032ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
LM431BIM3X/NOPB NS(國半)
SN74AHC14PWR TI(德州儀器)
REF5050AIDGKR TI(德州儀器)
TPS92612QDBVRQ1 TI(德州儀器)
UCC27324DGNR TI(德州儀器)
STM32F030C8T6TR ST(意法)
ADA4096-2ARMZ-R7 ADI(亞德諾)
S29GL256P10TFI010 Cypress(賽普拉斯)
LAN9500AI-ABZJ-TR smsc
STM32F417IGH6 ST(意法)
TLE2022IDR TI(德州儀器)
BFT92 NXP(恩智浦)
AR8031-AL1B-R Qualcomm(高通)
LTST-C190KGKT LITEON(臺灣光寶)
TPS76325DBVR TI(德州儀器)
XC2C128-7VQG100I XILINX(賽靈思)
ATF1502AS-10JU44 Microchip(微芯)
IR2106STRPBF IR(國際整流器)
FDB3632 Fairchild(飛兆/仙童)
STN1NK80Z ST(意法)
TCA785P SIEMENS(德國西門子)
HFCN-880+ Mini-Circuits
ADG508AKRZ-REEL7 ADI(亞德諾)
MKL16Z64VFM4 NXP(恩智浦)
LSF0102DCTR TI(德州儀器)
MOCD217R2M Fairchild(飛兆/仙童)
LMR14020SSQDDARQ1 TI(德州儀器)
MGA-82563-TR1G Agilent(安捷倫)
XC7A35T-2CSG324I XILINX(賽靈思)
ACS758KCB-150B-PFF-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
AD736ARZ-R7 ADI(亞德諾)
ADP1741ACPZ-R7 ADI(亞德諾)
AT45DB321D-TU Atmel(愛特梅爾)
ISO7220ADR TI(德州儀器)
AD7671ASTZ ADI(亞德諾)
TMP121AIDBVR TI(德州儀器)
FDB2532 ON(安森美)
LMK00304SQ/NOPB TI(德州儀器)
LM2931ADT-5.0RKG ON(安森美)
AT89C55WD-24JU Atmel(愛特梅爾)
LM2901DT ST(意法)
TLC272IDR TI(德州儀器)
XC3S500E-4PQG208C XILINX(賽靈思)
LFCN-160+ Mini-Circuits
BTS7200-2EPA Infineon(英飛凌)
MMUN2211LT1G ON(安森美)
OPA4377AIPWR TI(德州儀器)
UCD7242RSJR TI(德州儀器)
AT24CM02-SSHM-T Atmel(愛特梅爾)
AUIR2085STR Infineon(英飛凌)
LTM4700IY#PBF ADI(亞德諾)
MAX17823BGCB/V+T Maxim(美信)
MT28EW128ABA1HJS-0SIT micron(鎂光)
TPS65235RUKR TI(德州儀器)
MBR20100CT ON(安森美)
MCP25625T-E/ML Microchip(微芯)
NDS332P Freescale(飛思卡爾)
TLV2374IPWR TI(德州儀器)
CY7C1071DV33-12BAXI Cypress(賽普拉斯)
MSP430F417IPMR TI(德州儀器)
LM2594M-5.0 TI(德州儀器)
XC7A35T-2FGG484C XILINX(賽靈思)
TJA1051T/1J NXP(恩智浦)
LPC1114FHN33/302 NXP(恩智浦)
CLRC66303HNE NXP(恩智浦)
TAJB107M010RNJ AVX(京瓷)
EP1C6F256I7N ALTERA(阿爾特拉)
MCP6001T-I/LT MIC(昌福)
FCB070N65S3 ON(安森美)
A3P250-VQG100I Microchip(微芯)
OP27GPZ ADI(亞德諾)
BAT54T1G ON(安森美)
TOP225YN Raspberry Pi
MC14081BDR2G MOT(仁懋)
PEF22552EV1.1 Infineon(英飛凌)
ULQ2003D1013TR ST(意法)
AD7771BCPZ ADI(亞德諾)
NSR1020MW2T1G ON(安森美)
TMS320F28335ZJZQ TI(德州儀器)
5CEBA4F17C8N ALTERA(阿爾特拉)
FQD19N10LTM Freescale(飛思卡爾)
LT3045EDD#PBF ADI(亞德諾)
SIR681DP-T1-RE3 Vishay(威世)
VSC7428XJG-02 Microchip(微芯)
TMP01FSZ ADI(亞德諾)
MC33879APEKR2 NXP(恩智浦)
TPS53317ARGBR TI(德州儀器)
TS472IQT ST(意法)
HFCN-1000+ Mini-Circuits
MKL26Z128VLL4 NXP(恩智浦)