SG3525AP013TR的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
SG3525AP013TR
Brand Name
STMicroelectronics
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
1969196334
零件包裝代碼
SOIC
包裝說明
SO-16
針數
16
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
13 weeks 6 days
風險等級
0.68
Samacsys Description
STMICROELECTRONICS - SG3525AP013TR - PWM Controller, 4.5V - 35V Supply, 400 kHz, 35V In, 5.1V/100 mA Out, NSOIC-16
Samacsys Manufacturer
STMicroelectronics
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.9
模擬集成電路 - 其他類型
SWITCHING CONTROLLER
控制模式
VOLTAGE-MODE
控制技術
PULSE WIDTH MODULATION
最大輸入電壓
35 V
最小輸入電壓
8 V
標稱輸入電壓
20 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-G16
JESD-609代碼
e4
長度
9.9 mm
濕度敏感等級
3
功能數量
1
端子數量
16
最高工作溫度
70 °C
最低工作溫度
最大輸出電流
0.5 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認證狀態
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
表面貼裝
YES
切換器配置
PUSH-PULL
最大切換頻率
500 kHz
溫度等級
COMMERCIAL
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子節距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
寬度
3.9 mm
SG3525AP013TR 電源芯片的應用與特性分析
引言
電源管理在現代電子設備中占據著至關重要的地位，其核心在于如何高效地轉換和調節電能。在眾多電源芯片中，SG3525AP013TR以其優異的性能和廣泛的應用而受到關注。SG3525AP013TR是一款基于脈寬調制（PWM）技術的電源管理集成電路，通常用于多種電源轉換和控制應用，包括開關電源、直流-直流變換器等。該芯片的設計旨在提供高效能、穩定性和簡易的應用。
SG3525AP013TR 的基本特性
SG3525AP013TR的主要功能是驅動功率MOSFET或IGBT，以實現對電流和電壓的控制。該芯片的工作電壓范圍廣泛，一般為10V至35V，適用于不同電源電壓要求的產品。SG3525AP013TR具有雙路輸出功能，能夠靈活地調節主電源和輔助電源的輸出。
該芯片集成了許多外圍電路，從而簡化了設計，降低了組件數量和成本。例如，其內部具有高精度的參考電壓源、可調的頻率輸出、過流保護和過溫保護功能，這些都增強了產品的可靠性和安全性。
工作原理
SG3525AP013TR的工作原理基于脈寬調制技術。在工作過程中，芯片通過控制輸出信號的寬度，從而調節所需的輸出電壓和電流。具體而言，芯片內的比較器會實時監測反饋電壓，并將其與參考電壓進行比較。當反饋電壓低于參考電壓時，芯片會增加輸出信號的寬度，反之亦然。這樣形成的閉環控制機制使得SG3525AP013TR能夠高效穩定地輸出所需電壓。
該芯片的頻率范圍一般可以調節至100kHz至500kHz，用戶可以通過外部元件設置工作頻率。在高頻下，開關損耗會增加，因此在設計時需要綜合考慮頻率與效率之間的平衡。
應用場景
SG3525AP013TR因其優異特性而廣泛應用于多個領域。首先，在電源適配器中，SG3525AP013TR常用于實現高效的AC-DC和DC-DC轉換。這種芯片能夠支持寬范圍的輸入電壓，滿足不同國家和地區的電力標準。
其次，SG3525AP013TR在工業自動化及控制系統中也有應用。在這種環境中，電源的穩定性和可靠性是至關重要的，SG3525AP013TR通過內置的保護機制，可以有效降低設備故障的風險。
此外，在新能源領域，如光伏系統和風能發電中，SG3525AP013TR也展示了良好的適應性。其高效率和靈活的電壓調節能力能夠幫助提高能量轉換效率，為清潔能源的發展作出貢獻。
優勢與挑戰
SG3525AP013TR電源芯片的設計使其具備諸多優勢。首先，其內置的保護功能極大地提升了應用的安全性。通過實時監測電流和溫度，SG3525AP013TR能夠在異常情況下進行自我保護，從而減少故障發生的概率。
其次，芯片的高功率密度和能效比為各種應用提供了靈活的設計可能。用戶可以根據具體需求在不同頻率和輸出條件下使用SG3525AP013TR，極大提高了設計的靈活性。
然而，SG3525AP013TR也面臨一些挑戰。例如，在高頻操作時，系統的EMI（電磁干擾）可能會增加，這在某些敏感應用中可能引發問題。設計師需要采取有效的濾波和屏蔽措施，以應對潛在的電磁干擾。
此外，雖然SG3525AP013TR的集成度高，但在特定環境下，外部元件的選擇和布局設計仍對整體性能有很大影響。在高頻下，布局的設計尤為重要，信號的完整性和穩定性可能因布局不當而受損。設計人員需具備扎實的電路設計基礎，以充分利用SG3525AP013TR的優良特性。
設計實例
在基于SG3525AP013TR的設計中，通常需要考慮的幾個部分包括：電源輸入、輸出濾波、反饋環節以及驅動電路。設計師可根據具體需求選擇適合的外圍元件，如電感、電容和電阻，合理規劃電路布局。
在輸出電濾波部分，選用合適的電容可以減少輸出波紋，同時也改善系統的動態響應。而在反饋環節中，設計師需設計合適的反饋網絡，以確保系統的穩定性和響應速度。
未來展望
隨著電子產品對電源性能和能效的要求不斷提高，SG3525AP013TR作為一款成熟的電源管理解決方案，顯示出了良好的應用潛力。未來，隨著技術的進步，SG3525AP013TR的設計和應用可能會迎來新的變革。對電源管理功能的進一步集成和簡化將使得這一芯片在越來越多的應用場景中被采用。
SG3525AP013TR
ST(意法)
SN74LVC1G00DBVR
TI(德州儀器)
MC56F8323VFBE
NXP(恩智浦)
EP53A8LQI
INTEL(英特爾)
PMA3-83LN+
Mini-Circuits
TMP431ADGKR
TI(德州儀器)
STM32F407VGT7
ST(意法)
SN74LVC14ADR
TI(德州儀器)
STM32F746NGH6
ST(意法)
IRLML0100TRPBF
IR(國際整流器)
FDC6330L
Fairchild(飛兆/仙童)
IRF3710PBF
Infineon(英飛凌)
FQD6N40CTM
Freescale(飛思卡爾)
MT25QL128ABA1EW9-0SIT
micron(鎂光)
SN74LVC2G08DCUR
TI(德州儀器)
VNQ7E100AJTR
ST(意法)
ATSAMA5D27C-CU
Microchip(微芯)
BQ24133RGYR
TI(德州儀器)
HEF4052BT
Philips(飛利浦)
SN75179BDR
TI(德州儀器)
EP4CE40F29C8N
INTEL(英特爾)
TS12A12511DCNR
TI(德州儀器)
MAX9275GTN/V+T
Maxim(美信)
DM9000AEP
DAVICOM(聯杰國際)
VND7004AYTR
ST(意法)
LM2576SX-ADJ
TI(德州儀器)
LM317
NS(國半)
PGA2311UA
TI(德州儀器)
ADV7611BSWZ
ADI(亞德諾)
LM22675MRX-5.0
TI(德州儀器)
REF195GSZ
ADI(亞德諾)
S912XEG128J2MAL
Freescale(飛思卡爾)
MK61FN1M0VMJ15
NXP(恩智浦)
ADG408BRZ
ADI(亞德諾)
STM32H733ZGT6
ST(意法)
AD633JRZ
ADI(亞德諾)
AD766SD/883B
ADI(亞德諾)
NLAS4684FCT1G
ON(安森美)
VN800PSTR-E
ST(意法)
LM2594MX-5.0/NOPB
NS(國半)
SN74LVC1G32DCKR
TI(德州儀器)
ADUM1401BRWZ-RL
ADI(亞德諾)
TMS3705DDRQ1
TI(德州儀器)
TPS7B8250QDGNRQ1
TI(德州儀器)
SN74LV1T34DBVR
TI(德州儀器)
MCP7940N-I/SN
MIC(昌福)
SS34
MIC(昌福)
MJD31CT4G
ON(安森美)
VND14NV04TR-E
ST(意法)
REF3040AIDBZR
TI(德州儀器)
TL431IDBZR
TI(德州儀器)
XC6SLX45-2CSG324C
XILINX(賽靈思)
HX711
HX(恒佳興)
TLE6368G2
Infineon(英飛凌)
MPC5125YVN400
Freescale(飛思卡爾)
SN74LVCC3245APWR
TI(德州儀器)
BMA253
Bosch(博世)
RHRP8120
Freescale(飛思卡爾)
LM75BD
NXP(恩智浦)
TIP42C
ON(安森美)
ADSP-BF706BCPZ-4
ADI(亞德諾)
AD9643BCPZ-250
ADI(亞德諾)
TBD62083AFNG
TOSHIBA(東芝)
STM32G431RBT6
ST(意法)
MT29F16G08ABABAWP-IT:B
micron(鎂光)
XC7A35T-2CSG325I
XILINX(賽靈思)
LM319DT
ST(意法)
1SMB5955BT3G
ON(安森美)
ADSP-2191MKSTZ-160
ADI(亞德諾)
AD536AJQ
ADI(亞德諾)
GD32F103ZET6
ST(意法)
5M570ZT144C5N
ALTERA(阿爾特拉)
ADUM1200BRZ
ADI(亞德諾)
STHV800L
ST(意法)
TJA1042TK/3/1J
NXP(恩智浦)
BCM53128KQLEG
Broadcom(博通)
INA128U
TI(德州儀器)
TD62783AFG
TOSHIBA(東芝)
W25Q512JVEIQ
WINBOND(華邦)
ISP1582BSUM
Ericsson
BQ27542DRZR-G1
TI(德州儀器)
IPW60R060P7
Infineon(英飛凌)
88E1514-A0-NNP2C000
Marvell(美滿)
AD8512ARMZ
ADI(亞德諾)
ADG719BRTZ
ADI(亞德諾)
OPA277UA
TI(德州儀器)
RK808-B
RockChip(瑞芯微)
FM25V02-G
RAMTRON
SAK-TC387QP-160F300S
Infineon(英飛凌)
MAX3471EUA
Maxim(美信)
TLP291(GB
TOSHIBA(東芝)
LMC6482AIMX/NOPB
TI(德州儀器)
NC7SZ125P5X
Fairchild(飛兆/仙童)
PTN78020WAH
TI(德州儀器)
TPS73733DCQR
TI(德州儀器)
TPS2051BDGNR
TI(德州儀器)
VND5N07TR-E
ST(意法)
AT25640B-SSHL-T
Atmel(愛特梅爾)
TPS548A20RVER
TI(德州儀器)
W25Q128JVSIM
WINBOND(華邦)
EP3C5E144C8N
INTEL(英特爾)
EP5358HUI
ALTERA(阿爾特拉)
H11L1SR2M
Freescale(飛思卡爾)
MX25L1606EM2I-12G
MXIC(旺宏)
AUIPS7111STRL
Infineon(英飛凌)
ADS124S06IPBSR
TI(德州儀器)
VND7020AJTR
ST(意法)
PIC16F616-I/SL
MIC(昌福)
SN74LVC2G125DCUR
TI(德州儀器)
LP2985A-33DBVR
TI(德州儀器)
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
micron(鎂光)
STM8L052C6T6TR
ST(意法)
IP5306
INJOINIC(英集芯)
