NLVASB3157DFT2G的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
NLVASB3157DFT2G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
End Of Life
Objectid
1001078129
零件包裝代碼
SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD
包裝說明
WDFN-6
針數
6
制造商包裝代碼
419B-02
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
HTS代碼
8542.39.00.01
風險等級
7.23
Samacsys Description
Analog Switch, Singe SPDT
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
0.25
模擬集成電路 - 其他類型
SPDT
JESD-30 代碼
R-PDSO-N6
JESD-609代碼
e3
長度
1.2 mm
濕度敏感等級
1
信道數量
2
功能數量
1
端子數量
6
標稱斷態隔離度
57 dB
通態電阻匹配規范
0.5 Ω
最大通態電阻 (Ron)
15 Ω
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
VSON
封裝等效代碼
TSSOP6,.08
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認證狀態
Not Qualified
座面最大高度
0.8 mm
最大供電電壓 (Vsup)
5.5 V
最小供電電壓 (Vsup)
1.65 V
標稱供電電壓 (Vsup)
2.3 V
表面貼裝
YES
最長斷開時間
13 ns
最長接通時間
24 ns
切換
BREAK-BEFORE-MAKE
技術
CMOS
溫度等級
MILITARY
端子面層
MATTE TIN
端子形式
NO LEAD
端子節距
0.4 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
寬度
1 mm
NLVASB3157DFT2G 模擬開關的應用與發展
引言
模擬開關是一種重要的電子元件，在現代電子系統中扮演著至關重要的角色。隨著科技的進步，各種新型模擬開關不斷涌現，以滿足日益多樣化的應用需求。在眾多模擬開關中，NLVASB3157DFT2G因其獨特的性能特點和應用靈活性而備受關注。
NLVASB3157DFT2G 模塊的主要特性
NLVASB3157DFT2G是一款高性能的模擬開關，具有高輸入阻抗和低輸出阻抗的特性，這使得其在開關狀態下能夠幾乎不引入額外的電流損耗。其工作電壓范圍寬廣，通常在3V至15V之間，能夠適應多種電源輸入條件。此開關的一個顯著特點是其低開關電壓，通常在1V以下，這使得其在許多要求精確控制的應用中顯得尤為重要。此外，該開關的導通電阻極低，通常在幾歐姆，保持了信號傳輸的高效率。
NLVASB3157DFT2G 的工作原理
NLVASB3157DFT2G的工作原理基于場效應管（FET）的控制。該開關在其控制端接入控制信號時，可以有效地打開或關閉通道。其內部電路結構通常包括多個FET和相應的驅動電路，能夠實現高度集成化的設計。這種設計能夠極大地減小了元件尺寸，并提高了元件的可靠性。
模擬開關的輸入端和輸出端之間的連接狀態可以通過控制端的電壓進行改變。當控制信號為高電平時，模擬開關會進入導通狀態，使得輸入信號能夠順利傳輸。而當控制信號為低電平時，開關則切換至截止狀態，信號路由被斷開，這在信號處理和切換應用中具有重要的意義。
應用場景
NLVASB3157DFT2G在多個領域中找到了其應用。首先，在音頻設備中，該開關常被用來選擇不同的音源，或在不同的音頻信號之間進行切換。其低失真特性確保了音頻信號的純凈性，使得用戶能夠享受到更高質量的聽覺體驗。
其次，在數據采集系統中，該開關可以用于選擇不同的傳感器輸入，從而實現多通道信號的切換。這對于需要同時監測多種環境變量的應用（如氣象監測、工業檢測）尤為重要。此外，NLVASB3157DFT2G的高速特性確保了快速響應時間，可以滿足實時監控的需求。
在醫療設備中，模擬開關同樣具有廣泛的應用。例如，它們可以在不同類型的生物信號測量儀器中選擇不同的信號路徑，以提高測量的準確性和靈活性。對于需要高精度信號處理的醫療設備而言，NLVASB3157DFT2G提供了理想的解決方案。
技術參數分析
從技術參數來看，NLVASB3157DFT2G具有重要的性能指標，包括低功耗特性和高信噪比。具體而言，該設備的功耗通常在毫瓦級別，這使其成為便攜式設備和其它對功耗敏感的應用中的理想選擇。高信噪比則確保了信號在傳輸過程中的清晰度，能夠有效抑制噪聲對信號質量的影響。
此外，該開關的工作溫度范圍通常在-40°C到85°C之間，能夠在極端環境條件下穩定工作。這為其在工業自動化及環境監測等應用提供了堅實的基礎。
未來發展趨勢
隨著電子技術的快速發展，對模擬開關的需求將持續增長。這一點在物聯網（IoT）和智能家居等領域表現得尤為突出。未來的模擬開關需要具備更低的功耗、更高的集成度和更靈活的控制方式。NLVASB3157DFT2G作為市場上較為領先的設備之一，必將在滿足這些新需求方面發揮重要作用。
此外，模擬開關的智能化也是一大趨勢。通過集成更多的智能控制算法，模擬開關可以更好地適應不同的應用情境。結合大數據和人工智能技術，未來的模擬開關有望實現更加智能的信號路由管理，進一步提升系統的整體性能。
與此同時，隨著納米技術的發展，越來越多的微型化和集成化的模擬開關將會進入市場。這將為更小型設備提供更多靈活的設計選擇，并推動技術進步與創新。NLVASB3157DFT2G作為現有技術的一部分，必將在這一發展趨勢中持續發揮其重要作用。
結語
在現代電子系統中，模擬開關的角色愈發重要，NLVASB3157DFT2G作為一種功能強大的組件，其卓越的性能和廣泛的應用領域為其在未來的發展奠定了基礎。隨著技術的不斷進步和應用需求的多樣化，NLVASB3157DFT2G將在更為廣泛的領域中展現其潛力和價值。
NLVASB3157DFT2G
ON(安森美)
S9KEAZN8AMTGR
NXP(恩智浦)
SN74CB3Q3251PWR
TI(德州儀器)
TDA5100
Infineon(英飛凌)
ULN2803LW
UTC(友順)
VNQ810PTR-E
ST(意法)
3-1827253-6
TE(泰科)
AD8566ARMZ-REEL
ADI(亞德諾)
EP3C25F324C6N
ALTERA(阿爾特拉)
F280049PMS
TI(德州儀器)
FT2820P
fangtek(方泰)
MC74ACT14DR2G
ON(安森美)
MCP6291T-E/OT
Microchip(微芯)
PIC16C57C-04I/P
Microchip(微芯)
PIC18F26K40-I/SS
Microchip(微芯)
TCM809TENB713
Microchip(微芯)
TLIN1024ARGYRQ1
TI(德州儀器)
TPS22930AYZVR
TI(德州儀器)
AD7892ARZ-1
ADI(亞德諾)
AD9548BCPZ
ADI(亞德諾)
HMC980LP4E
Hittite Microwave
IPD70R600P7S
Infineon(英飛凌)
MBR1045G
ON(安森美)
N25Q128A11ESE40G
micron(鎂光)
RT6206BHGSP
RICHTEK(臺灣立锜)
SNJ54AC14W
TI(德州儀器)
STM32G030K6T6TR
ST(意法)
TLV2374QPWRQ1
TI(德州儀器)
74LVC2G07GW
Philips(飛利浦)
AD8422ARMZ
ADI(亞德諾)
BZX84-C9V1
Philips(飛利浦)
CD4028BE
TI(德州儀器)
CD74HC4052M96
TI(德州儀器)
EGF1T-E3/67A
Vishay(威世)
L974113TR
ST(意法)
MC14049UBDR2G
ON(安森美)
MC74HC04ADR2G
ON(安森美)
MPM3620GQV-Z
MPS(美國芯源)
OPA2313IDR
TI(德州儀器)
PIC18F46K22-E/PT
Microchip(微芯)
PIC18F65K90-I/PT
Microchip(微芯)
REF5025IDGKT
TI(德州儀器)
SN74LVC1G332DCKR
TI(德州儀器)
AO4803A
AOS(萬代)
AOD413A
AOS(萬代)
BD681
ST(意法)
BSC074N15NS5
Infineon(英飛凌)
CY7C65630-56LTXC
Cypress(賽普拉斯)
ET1100-0000-0250
LXES15AAA1-133
MURATA(村田)
MCP73833T-AMI/MF
Microchip(微芯)
MMA8451QT
NXP(恩智浦)
OB2358AP
LINEAR(凌特)
TLV431BIDBZR
TI(德州儀器)
74LCX16245MTDX
ON(安森美)
ADA4084-4ARUZ
ADI(亞德諾)
CL32B106KBJNNNE
SAMSUNG(三星)
EPM3128ATC100-7N
ALTERA(阿爾特拉)
HI-8422PQT
Holt Integrated Circuits Inc.
IM01GR
TE(泰科)
MCIMX6L3DVN10AB
Freescale(飛思卡爾)
MCP73832T-2ACI/MC
MIC(昌福)
MIC28511-1YFL-TR
Microchip(微芯)
RT6302GSP
RICHTEK(臺灣立锜)
TEMT6200FX01
Vishay(威世)
W29N08GVSIAA
WINBOND(華邦)
ACS730KLCTR-20AB-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
ASSR-1410-003E
Avago(安華高)
BF998
Philips(飛利浦)
BZX84C15
ON(安森美)
LM2575HVSX-5.0
NS(國半)
LPC2478FET208
NXP(恩智浦)
MAX3232ECUE+T
Maxim(美信)
MCP41HV51-103E/ST
Microchip(微芯)
MCP9808-E/MS
Microchip(微芯)
NCP718ASN500T1G
ON(安森美)
NCV7517BFTR2G
ON(安森美)
SLVU2.8-4A1
ST(意法)
TLV73333PDQNR
TI(德州儀器)
10M08SCU169A7G
ALTERA(阿爾特拉)
DAC7678SPWR
Burr-Brown(TI)
DRV8662RGPR
TI(德州儀器)
ETA5050V0S2F
ETA(鈺泰)
MC14011BDR2G
ON(安森美)
MCP3204-BI/SL
Microchip(微芯)
MUN5311DW1T1G
ON(安森美)
MX25L3233FM1I-08G
MXIC(旺宏)
RH6015C
TAIWAN(臺產)
STM32F205ZFT6
ST(意法)
6TPE100MAZB
Panasonic(松下)
74LVCH162245ADGG
Nexperia(安世)
FOD817CSD
ON(安森美)
ISO7021DR
TI(德州儀器)
MPQ4420HGJ-AEC1-Z
MPS(美國芯源)
NS4251
Nsiway(納芯威)
S9S12G96F0MLF
Freescale(飛思卡爾)
TPS3803-01QDCKRQ1
TI(德州儀器)
AD8014ARZ
ADI(亞德諾)
FM17550-QNA-T-G
FM(復旦微)
IPB120N04S4-02
Infineon(英飛凌)
LDK130M33R
ST(意法)
M48Z35-70PC1
ST(意法)
MFRC53101T
NXP(恩智浦)
MMBFJ108
ON(安森美)
RT9297GQW
RICHTEK(臺灣立锜)
STGIPN3H60
ST(意法)
TS912BIDT
ST(意法)
ADL5240ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
ATTINY13V-10SSU
Atmel(愛特梅爾)
AUIR3315S
IR(國際整流器)
CS8406-CZZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
FDS6930A
ON(安森美)
HD6417706F133V
Renesas(瑞薩)
IR2109STRPBF
IR(國際整流器)
IRF8010PBF
IR(國際整流器)
LA100-P
LEM
MCP41HV51-104E/ST
Microchip(微芯)
OPA549S
Burr-Brown(TI)
AL8862QSP-13
Diodes(美臺)
CPC1030NTR
IXYS(艾賽斯)
EP3C25F324A7N
ALTERA(阿爾特拉)
FOD814ASD
ON(安森美)
HEF4047BT
NXP(恩智浦)
HGTG18N120BND
Fairchild(飛兆/仙童)
K7805-1000R3
MORNSUN(金升陽)
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice(萊迪斯)
