CM1213-08MR 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid CM1213-08MR
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 End Of Life
Objectid 1464757334
零件包裝代碼 MSOP 10, 3x3
包裝說明 MSOP-10
針數 10
制造商包裝代碼 846AE
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.10.00.50
風險等級 6.98
Samacsys Description Lifetime - ESD Protection Array, Low Capacitance, 1, 2 and 4-Channel
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 6.81
最大鉗位電壓 8.8 V
配置 SINGLE
二極管元件材料 SILICON
二極管類型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向電壓 (VF) 0.95 V
JESD-30 代碼 S-PDSO-G8
JESD-609代碼 e4
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 SQUARE
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.4 W
認證狀態 Not Qualified
參考標準 IEC-61000-4-2
最大重復峰值反向電壓 5 V
最大反向電流 1 µA
反向測試電壓 5 V
表面貼裝 YES
技術 AVALANCHE
端子面層 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30

CM1213-08MR 瞬態電壓抑制器的應用與性能分析

引言

瞬態電壓抑制器（TVS, Transient Voltage Suppressor）是一種用于保護電子設備，防止過壓瞬態現象的器件。CM1213-08MR 是一種廣泛使用的 TVS 組件，以其優良的性能和可靠性，被廣泛應用于各種電子設備中。本文將對 CM1213-08MR 的特性、應用領域、工作原理、優勢及市場前景進行深入探討。

CM1213-08MR 的基本特性

CM1213-08MR 是一款雙向瞬態電壓抑制器，主要用于 ESD（靜電放電）保護。這種器件可以在瞬態過電壓出現時迅速反應，通過導通路徑將多余的電壓引入地面，從而保護下游電路不受損害。其主要參數包括：

- 工作電壓：CM1213-08MR 的額定擊穿電壓通常在 5V 到 8V 之間，適用于各種低壓電子設備。 - 峰值脈沖功率：其較大的脈沖功率能力使其能夠承受高強度的瞬態電壓，同時保持其自身的安全和穩定性。 - 電容值：低電容值意味著當信號通過 TVS 時，信號失真程度較小，適合高頻應用。

這些特性使得 CM1213-08MR 能在極端工作環境下，依舊穩定可靠地發揮作用，尤其是在工業控制、通信設備和消費類電子產品中。

CM1213-08MR 的工作原理

CM1213-08MR 的工作原理主要基于其半導體材料的特性。當瞬態電壓超過其額定擊穿值時，器件內部的 PN 結開始導通，形成導電通道，將多余的電壓有效引流，從而使電路中的電壓降到安全范圍內。該過程是瞬時發生的，可以有效保護后端電路不被瞬態電壓損壞。

具體來說，當電壓波形的幅度超過器件的最大閾值時，TVS 迅速響應，開始導電。隨著電流的流動，器件內部的溫度升高，進一步增強了導電性能，確保大部分瞬態電壓通過器件而非影響下游電路。這一過程迅速且高效，確保了電子設備的長期安全與穩定。

CM1213-08MR 的應用領域

CM1213-08MR 在電子設備中有著廣泛的應用，包括但不限于以下幾個領域：

1. 消費電子：如智能手機、平板電腦和筆記本電腦等，這些設備經常面臨靜電放電（ESD）問題，使用 TVS 可以有效避免因過壓導致的故障。

2. 通信設備：在網絡設備、路由器和基站等通信硬件中，CM1213-08MR 作為保護元件，能夠防止由于雷電或電磁干擾帶來的瞬態電壓問題。

3. 工業控制：許多工業設備在復雜環境中工作，電壓波動頻繁，使用 TVS 可以有效降低設備受損風險，確保生產過程的穩定。

4. 汽車電子：現代汽車越來越多地依賴電子系統，CM1213-08MR 可作為汽車電子設備的防護元件，以應對高電壓瞬態現象。

CM1213-08MR 的優勢

相比其他類型的瞬態電壓抑制器，CM1213-08MR 具有以下幾方面的明顯優勢：

1. 快速響應時間：該器件能夠在納秒級別內響應瞬態電壓，這一特性使其對保護目標設備非常有效，特別是在高頻應用中。

2. 小型化設計：CM1213-08MR 的封裝設計小巧，使其可以集成到各種體積有限的電子設備中，節省了設計空間，同時不妨礙設備的性能。

3. 高耐壓能力：該器件能夠承受較高的峰值瞬態電壓，保證其在各種極端條件下都保持可靠功能。

4. 廣泛的適應性：CM1213-08MR 在不同環境下表現出色，無論是高溫、高濕還是電磁干擾環境，均能有效地實施保護。

市場前景

隨著智能設備的普及和互聯技術的發展，對瞬態電壓抑制器的需求日益增加。CM1213-08MR 作為市場上受歡迎的產品之一，其穩定性和可靠性為其在行業中的地位提供了強有力的支持。預計，未來隨著電子技術的不斷進步，尤其是在物聯網（IoT）和自動駕駛汽車等新興領域的應用，將進一步推動對高性能瞬態電壓抑制器的需求，為 CM1213-08MR 的市場發展創造更多機會。

電子產品中對于電壓保護的需求日益增長，特別是在高頻、高速傳輸環境中，能夠穩定其工作狀態的電壓抑制元器件的市場需求將持續上升。隨著技術的不斷進步，CM1213-08MR 也有可能在性能和應用方面進行創新，進一步鞏固其市場地位。

除了傳統的應用領域，隨著科技的發展，CM1213-08MR 未來還可能在智能家居、可穿戴設備等新興領域展現其強大的保護能力，使其在市場競爭中依然保持活力。電子行業的快速發展也將推動各類電子元器件技術的不斷升級，CM1213-08MR 作為其中的重要一環，將持續發揮其不可或缺的作用。

CM1213-08MR ON(安森美)
DIR9001PWR TI(德州儀器)
IRF7241TRPBF IR(國際整流器)
SN65HVD74DGKR TI(德州儀器)
STB28NM50N ST(意法)
TL082BCDR TI(德州儀器)
74LVC2G14GV NXP(恩智浦)
ACS724LLCTR-30AB-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
ADG1608BCPZ-REEL7 ADI(亞德諾)
LV8860V-TLM-H ON(安森美)
M41ST87WMX6TR ST(意法)
OPA4350UA TI(德州儀器)
PIC16F727-I/PT Microchip(微芯)
PIC18F6627-I/PT Microchip(微芯)
PIC18F87J50-I/PT MIC(昌福)
TLK1221RHAR TI(德州儀器)
TPS54388CQRTERQ1 TI(德州儀器)
2N3055 MOT(仁懋)
DAC8830IDR TI(德州儀器)
LMP8602MM/NOPB TI(德州儀器)
MCP3550-50E/SN Microchip(微芯)
MIMXRT1021DAG5A Freescale(飛思卡爾)
MP1583DN-LF-Z MPS(美國芯源)
MPC8358ECVRAGDGA Freescale(飛思卡爾)
MPM3620AGQV-Z MPS(美國芯源)
ST1284-01A8RL ST(意法)
TLC2254AIPWR TI(德州儀器)
5CGTFD7D5F27I7N INTEL(英特爾)
AD8336ACPZ-R7 ADI(亞德諾)
IRGP4062DPBF IR(國際整流器)
M25P32-VMF6TP ST(意法)
PVX006A0X3-SRZ CESTAR（CE-POWER）
R7FA2E1A72DFL#AA0 Renesas(瑞薩)
SY89832UMG Micrel(麥瑞)
TLP291-4(GB-TP,E(T TOSHIBA(東芝)
TPS77533DR TI(德州儀器)
150060RS75000 Wurth(伍爾特)
24LC256T-E/SN MIC(昌福)
AD7714YRZ ADI(亞德諾)
ADA4528-1ARMZ-R7 ADI(亞德諾)
AT45DB021E-SSHN-T Atmel(愛特梅爾)
BTA12-600CRG ST(意法)
IXFH46N65X2 IXYS(艾賽斯)
MCP2551-I/P Microchip(微芯)
MPXM2010GST1 Freescale(飛思卡爾)
PMEG4030EP Nexperia(安世)
TLIN1029ADRQ1 TI(德州儀器)
TPD4E001DCKR TI(德州儀器)
TPS61253AYFFR TI(德州儀器)
TSOP34838 Vishay(威世)
XC6SLX16-3CSG324I micron(鎂光)
XC6SLX75-2CSG484C XILINX(賽靈思)
XC9572-15PCG84C XILINX(賽靈思)
AD22650-QH14NAR ESMT
AD9266BCPZ-20 ADI(亞德諾)
ADUC832BSZ ADI(亞德諾)
BMD-340-A-R U-BLOX(優北羅)
CM315D32768DZFT Citizen Finetech Miyota
ISL1208IU8Z-TK Renesas(瑞薩)
MCP16311T-E/MNY Microchip(微芯)
PUSB3AB6Z NXP(恩智浦)
STC15W408AS-35I-TSSOP20 STC(宏晶)
AD5425YRMZ ADI(亞德諾)
ADP7182ACPZ-R7 ADI(亞德諾)
AOTL66912 AOS(萬代)
APM32F407ZGT6
B3F-4055 OMRON(歐姆龍)
BS814A-1 HOLTEK(合泰)
HDC2080DMBT TI(德州儀器)
M95512-DRMN3TP/K ST(意法)
MIC29300-5.0WT Micrel(麥瑞)
MJD47T4G ON(安森美)
Q13MC1462000200 EPSON(愛普生)
SP3508EF-L SIPEX(西伯斯)
TLV5628CDWR TI(德州儀器)
TLV62150RGTR TI(德州儀器)
TPS259521DSGR TI(德州儀器)
104224-0820 Molex(莫仕)
AD7710ANZ ADI(亞德諾)
ADM1166ACPZ ADI(亞德諾)
ADS5474IPFP TI(德州儀器)
BAS52-02V Infineon(英飛凌)
BZX84C6V8LT1G ON(安森美)
ESDL2011PFCT5G ON(安森美)
IDT72V70210DAG IDT(Renesas收購)
IPS160HFTR ST(意法)
REF198FSZ ADI(亞德諾)
SNRVUD620CTT4G ON(安森美)
TK16A60W TOSHIBA(東芝)
TPS84320RUQR TI(德州儀器)
AD797BRZ ADI(亞德諾)
AD8612ARUZ ADI(亞德諾)
AD9288BSTZ-100 ADI(亞德諾)
DMP3056L-7 Diodes(美臺)
FSA3357K8X ON(安森美)
HST-0041SAR Seen-Tek
NCP51510MNTAG ON(安森美)
NCV1124DR2G ON(安森美)
OPA363IDBVR TI(德州儀器)
SI7322DN-T1-GE3 Vishay(威世)
SY7069ADC SILERGY(矽力杰)
TAJC226K016RNJ AVX(京瓷)
AD7674ASTZ ADI(亞德諾)
ADG412BRZ ADI(亞德諾)
AT24C16C-PUM Microchip(微芯)
BCM5389KFBG Broadcom(博通)
IS42S16320D-7TLI ISSI(美國芯成)
MAX5054BATA+T Maxim(美信)
PIC16LF1829-I/ML Microchip(微芯)
SA571DR2G ON(安森美)
SBB-4089Z RFMD
SGM358YS/TR SGMICRO(圣邦微)
TCUT1350X01 Vishay(威世)
TPS62112RSAR TI(德州儀器)
TPS65216D0RSLR TI(德州儀器)
USB2534I-1080AEN smsc
V12P10-M3/86A Vishay(威世)
ZTX753 Diodes(美臺)
AD8036ARZ ADI(亞德諾)
AT32F437VMT7
ATTINY26L-8PU Microchip(微芯)
B1205S-1WR2 MORNSUN(金升陽)
CSD95372AQ5M TI(德州儀器)
DM3D-SF Hirose(廣瀨電機)
EP3C55U484I7N ALTERA(阿爾特拉)
FFH30S60STU Fairchild(飛兆/仙童)
LSM303DLHC ST(意法)
MCP45HV51-502E/ST Microchip(微芯)
MMBT5550LT1G ON(安森美)
MSP430F248TPMR TI(德州儀器)
NFM31KC104R1H3L MURATA(村田)
PC48F4400P0VB0EE Numonyx Memory Solutions
PM-DB2791S Holt Integrated Circuits Inc.
SBR10U45SP5-13 Diodes(美臺)
STM32L433RCT3 ST(意法)
5.0SMDJ36CA Littelfuse(力特)
A3P125-TQG144I Microsemi(美高森美)
AD2S1210ASTZ ADI(亞德諾)
AD9779BSVZ ADI(亞德諾)
AFE5805ZCF TI(德州儀器)
AIS2DW12TR ST(意法)
AT45DB641E-MHN-T Dialog Semiconductor GmbH
CC1352R1F3RGZR TI(德州儀器)
EFM8SB10F8G-A-QFN20R SILICON LABS(芯科)
LCMXO3L-6900C-6BG256C Lattice(萊迪斯)
LMX2820RTCT TI(德州儀器)
MC9S08PA32AVLDR NXP(恩智浦)