ST1S41PUR 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid ST1S41PUR
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1308442132
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
Factory Lead Time 18 weeks
風險等級 1.71
Samacsys Description Switching Voltage Regulators 4 A SD switch reg 4.0V to 18V 850kHz
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 7.7
其他特性 ALSO OPERATES IN ADJUSTABLE MODE FROM 0.8 TO 18V
模擬集成電路 - 其他類型 SWITCHING REGULATOR
控制模式 CURRENT-MODE
控制技術 PULSE WIDTH MODULATION
最大輸入電壓 18 V
最小輸入電壓 4 V
JESD-30 代碼 S-PDSO-N8
長度 4 mm
功能數量 1
端子數量 8
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
最大輸出電流 7 A
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 HVSON
封裝形狀 SQUARE
封裝形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
座面最大高度 1 mm
表面貼裝 YES
切換器配置 BUCK
最大切換頻率 1000 kHz
溫度等級 AUTOMOTIVE
端子形式 NO LEAD
端子節距 0.8 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
寬度 4 mm

降壓開關穩壓器 ST1S41PUR 的研究與應用

引言

隨著電子技術的迅速發展，電源管理在現代電路設計中逐漸扮演了越來越重要的角色。降壓開關穩壓器（Buck Converter）作為一種高效的電源轉換器，在移動設備、自動化設備及其他電源應用中得到了廣泛應用。其中，ST1S41PUR 作為一款高集成度、低功耗的降壓開關穩壓器，憑借其優越的性能，受到了廣大工程師的青睞。

降壓開關穩壓器的基本工作原理是利用開關元件的開關操作，將輸入電源的高電壓轉換為所需的低電壓。ST1S41PUR 采用了先進的PWM（脈寬調制）控制技術，能夠在豐富的電流負載下保持穩定的輸出電壓。其內部集成了功率MOSFET、控制電路以及保護電路等模塊，極大地簡化了外部電路設計，提高了系統的可靠性。

ST1S41PUR 的主要特性

ST1S41PUR 的工作電壓范圍廣泛，適用于多種不同的輸入電壓環境。其推薦輸入電壓范圍為4.5 V 至 20 V，最大輸出電流可達2 A，能夠適應多種負載需求。這使得該穩壓器在各類電子產品中，例如消費類電子、工業自動化、通信設備等，都能被有效應用。

其中一個顯著的特點是其高達95%的轉換效率，這是通過優化的電路設計和高性能的組件實現的。高效率不僅提升了電源的利用率，減少了能量的浪費，還降低了電路發熱，延長了器件的使用壽命。此外，ST1S41PUR 還具備多種保護功能，如過壓保護、過流保護和熱關斷等，確保系統在極端條件下的穩定性與安全性。

應用領域

ST1S41PUR 降壓開關穩壓器的應用領域廣泛，涵蓋了流行的消費電子產品、工業設備乃至一些特殊用途的系統。在消費類電子產品中，例如智能手機或平板電腦，ST1S41PUR 可以用作主電源的降壓模塊，為處理器、顯示器等提供穩定的工作電源。在這種情況下，其小型化、高效能的特點使得設計師能夠在有限的空間內設計出高效的供電方案，繼續推進產品的輕薄化趨勢。

在工業設備中，ST1S41PUR 也顯示出了其獨特的優勢。很多工業應用需要穩定的電源供給，以保證設備的正常運轉。由于其廣泛的輸入電壓范圍及高效的輸出特性，ST1S41PUR 可以輕松適應不穩定的電源環境，為系統提供完美的電源保障。此類應用包括傳感器供電、自動化控制系統以及電動機驅動等，進一步推動了工業生產的智能化和自動化進程。

設計考慮

在設計使用 ST1S41PUR 的電路時，需要注意幾個關鍵參數。首先是輸入電壓和輸出電壓的選擇，設計師需要圍繞所使用設備的實際需求，選擇合適的電壓范圍。其次，功率損耗和熱管理是提升系統穩定性的另一重要考慮，適當的散熱設計能夠顯著提高系統的可靠性。

在電路布局中，應盡量縮短高頻信號路徑，以減少電磁干擾對電路正常工作的影響。設計過程中，外部元件的選擇同樣至關重要。例如，選擇合適的電感和電容元件，可以優化開關頻率，進一步提升轉換效率和輸出紋波的穩定性。而合適的電感值通常需要根據負載電流和控制策略進行計算，以確保在動態負載情況下輸出電壓的穩定性。

器件參數

ST1S41PUR 的典型參數包括輸入電壓范圍、輸出電壓精度、轉換效率及開關頻率等。通常情況下，該穩壓器可在 100kHz 到 1 MHz 的開關頻率范圍運作，這為設計靈活性提供了可能。在多種工作模式下，ST1S41PUR 能夠維持較低的待機功耗，從而適應各類對能耗要求嚴格的場合。這項特性對于便攜式或電池供電的設備尤為重要，能夠有效延長設備的使用時間。

另外，ST1S41PUR 的輸出電壓選擇可以通過外部電阻進行設置，設計師能夠依據項目需求精確調整輸出電壓。此外，設備的封裝形式也需考慮以滿足散熱與尺寸的平衡，ST1S41PUR 提供了多種封裝選型來適應不同的設計需求。

未來發展趨勢

隨著全球對能源效率和環保問題的重視，降壓開關穩壓器的設計趨勢正朝向更高的效率、更低的功耗和更小的體積發展。ST1S41PUR 作為當前市場上較為成熟的降壓開關穩壓器，其技術依賴于不斷進步的半導體制造工藝，提高了封裝密度及器件性能。在未來的應用開發中，可能會結合更多先進的控制算法，例如數字控制技術，以進一步提升動態響應能力和轉化效率。

此外，伴隨著物聯網、智能家居及可穿戴設備的快速發展，電源管理解決方案的需求將日趨增加。如何在保證可靠性的基礎上，實現更高的集成度、更低的成本，成為設計師們需要面對的新挑戰。未來，降壓開關穩壓器的發展將進一步朝向智能化、模塊化方向邁進。

綜上所述，ST1S41PUR 降壓開關穩壓器憑借其優秀的電氣性能和靈活的應用能力，已經在眾多電子領域展現出了重要的價值，其廣泛適用于不同類型的電源管理解決方案。

ST1S41PUR ST(意法)
TC6320TG-G Microchip(微芯)
TLV70018DSER TI(德州儀器)
TPS26621DRCR TI(德州儀器)
3266W-1-103LF Bourns(伯恩斯)
BAW56W ON(安森美)
BTS3035EJ Infineon(英飛凌)
FDC3612 Freescale(飛思卡爾)
INA821IDR TI(德州儀器)
LT3012BEFE#PBF ADI(亞德諾)
STD20NF06LT4 ST(意法)
STM32F205RBT7 ST(意法)
TLV2451CDBVR TI(德州儀器)
VNC2-48L1C-REEL FTDI(飛特帝亞)
AD7606BSTZ-4RL ADI(亞德諾)
ADP7104ACPZ-3.3-R7 ADI(亞德諾)
AT24C128BN-SH-T Atmel(愛特梅爾)
BFP420H6327 Infineon(英飛凌)
LM2676SX-3.3/NOPB TI(德州儀器)
LTC2666IUH-16#PBF LINEAR(凌特)
PIC16F1788-I/SS Microchip(微芯)
SC26C92A1A Philips(飛利浦)
TPS7A0533PDBZR TI(德州儀器)
VO1263AACTR Vishay(威世)
AD628ARMZ-R7 ADI(亞德諾)
ADV7441ABSTZ-170 ADI(亞德諾)
FDS6673BZ Freescale(飛思卡爾)
IRF7201TRPBF IR(國際整流器)
LM5122ZPWPR TI(德州儀器)
PIC24HJ256GP610A-I/PF Microchip(微芯)
PIC32MX775F256H-80I/PT MIC(昌福)
RS8552XK Y.S. TECH（YEN SUN TECHNOLOGY）
SN74AHC245DWR TI(德州儀器)
STPS3L60S ST(意法)
TNY268GN-TL Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
UCC28C44DGKR TI(德州儀器)
3314G-1-502E Bourns(伯恩斯)
ACS722LLCTR-40AB-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
AD584SH/883B ADI(亞德諾)
AD8638ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
BTA41-600BQ WeEn(瑞能)
EN29A0QI ALTERA(阿爾特拉)
FM24C16B-GTR RAMTRON
IXDN602SIATR IXYS(艾賽斯)
L99PM62GXPTR ST(意法)
MCP130T-475I/TT Microchip(微芯)
NCT5532D Nuvoton(新唐)
STM32F051K8U6TR ST(意法)
THC63LVD827 THine Electronics Inc
TPS650250QRHBRQ1 TI(德州儀器)
AT28C64B-15JU Atmel(愛特梅爾)
ATSAMG55J19B-AUT Atmel(愛特梅爾)
ATXMEGA256A3U-AUR Microchip(微芯)
B0505S-2WR2 MORNSUN(金升陽)
CPC1708J IXYS(艾賽斯)
DSPIC33EP512GM310-I/PT Microchip(微芯)
M24C01-WMN6TP ST(意法)
PIC18F66K90-I/PT Microchip(微芯)
SI2333DS-T1-E3 Vishay(威世)
STM32F103ZET6TR ST(意法)
STM32F746BGT7 ST(意法)
TXB0101DCKR TI(德州儀器)
VS1003B-L VLSI
2SC5200-O TOSHIBA(東芝)
AD8638ARJZ-REEL7 ADI(亞德諾)
DMP6023LE-13 Diodes(美臺)
HUF75645P3 ON(安森美)
ICL3221EIVZ-T Intersil(英特矽爾)
KSZ9131RNXC Microchip(微芯)
SN74LVC1G74DCTR TI(德州儀器)
STL105N4LF7HT ST(意法)
TS5A3154DCUR TI(德州儀器)
XC7A15T-2FGG484I XILINX(賽靈思)
XL6009E1 XLSEMI(芯龍)
1SS355TE-17 Rohm(羅姆)
2N7002BKS TOSHIBA(東芝)
ADRF5547BCPZN ADI(亞德諾)
BA10358F-E2 Rohm(羅姆)
LM397MF/NOPB NS(國半)
MAX3815CCM+TD Maxim(美信)
MC74VHCT50ADTR2G ON(安森美)
MCP2517FDT-H/JHA Microchip(微芯)
SI3127DV-T1-GE3 Vishay(威世)
SIR880DP-T1-GE3 Vishay(威世)
SM08B-SRSS-TB(LF)(SN) JST(日壓)
SMAJ5.0A-13-F Diodes(美臺)
SMAZ18-13-F Diodes(美臺)
STPS15H100CBY-TR ST(意法)
TPS22953DSQR TI(德州儀器)
TPS2828DBVR TI(德州儀器)
TPS3851G33EDRBR TI(德州儀器)
TPS51716RUKR TI(德州儀器)
AD22100KTZ ADI(亞德諾)
AD9233BCPZ-105 ADI(亞德諾)
B120-13-F Diodes(美臺)
CC0402KRX7R7BB104 YAGEO(國巨)
EP1C12F324C8N ALTERA(阿爾特拉)
LCMXO3LF-1300C-5BG256C Lattice(萊迪斯)
LY62256SL-70LL Lyontek Inc
PIC16F913-I/ML Microchip(微芯)
SN74AHCT244QPWRQ1 TI(德州儀器)
TPS7A8801QRTJRQ1 TI(德州儀器)
0456040.DR Littelfuse(力特)
AM26LS31INSR TI(德州儀器)
AP65550SP-13 Diodes(美臺)
CSR1010A05-IQQM-R CSR PLC
IPP60R165CP Infineon(英飛凌)
LMK00338RTAR TI(德州儀器)
MF-R050 TE(泰科)