MMBZ5232BLT1G 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid MMBZ5232BLT1G
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 1997686475
零件包裝代碼 SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
包裝說明 TO-236, 3 PIN
針數 3
制造商包裝代碼 318
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.10.00.50
Factory Lead Time 2 days
風險等級 0.61
Samacsys Description ON Semiconductor MMBZ5232BLT1G Zener Diode, 5.6V 5% 0.3 W SMT 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 7.1
配置 SINGLE
二極管元件材料 SILICON
二極管類型 ZENER DIODE
最大動態阻抗 11 Ω
JEDEC-95代碼 TO-236AB
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -65 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.225 W
認證狀態 Not Qualified
標稱參考電壓 5.6 V
表面貼裝 YES
技術 ZENER
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
最大電壓容差 5%
工作測試電流 20 mA

MMBZ5232BLT1G 穩壓二極管的特性與應用

穩壓二極管，又稱齊納二極管，廣泛應用于電源電路中以提供穩定的電壓輸出。MMBZ5232BLT1G是一款常見的穩壓二極管，以其獨特的電氣特性和良好的熱穩定性，被廣泛應用于各種電子設備中。本文將深入探討MMBZ5232BLT1G的性能指標、結構特點、應用場景以及在技術實施中的注意事項。

1. MMBZ5232BLT1G的基本參數

MMBZ5232BLT1G是一種表面貼裝型穩壓二極管，其主要參數包括工作電壓、反向擊穿電壓、最大功率耗散等。該二極管的擊穿電壓通常為3.3V，具有較低的功耗和較高的耐受電流能力（最高可達到200mA），使其在負載變化情況下能夠保持穩定的輸出電壓。此外，其工作溫度范圍通常在-55°C至+150°C之間，這種寬廣的溫度范圍使其在各種惡劣環境下都能正常工作。

2. 穩壓原理

穩壓二極管的工作原理基于半導體的擊穿特性。當反向電壓達到齊納電壓時，二極管將進入擊穿狀態，電流保持在一定范圍內，而電壓則保持相對穩定。這使得穩壓二極管在各種電源應用中都能夠有效抑制電壓波動，從而保護后端電路。這一特性使得穩壓二極管在鎖定電壓和抑制浪涌電流方面具有不可或缺的作用。

3. 結構特點

MMBZ5232BLT1G采用了一體化的表面貼裝封裝設計，其外形尺寸小，適合現代電子設備的緊湊設計。這種封裝設計不僅使得其在組裝過程中更為便捷，也有效減小了電路板的占用面積。MMBZ5232BLT1G的半導體材料通常為硅，這種材料能夠提供良好的電氣性能和優越的熱特性。此外，制造工藝的進步使得這種二極管的生產成本下降，進一步推動了其市場應用。

4. 應用場景

MMBZ5232BLT1G被廣泛應用于各種電子產品中，如電源適配器、LED驅動器、汽車電子、工業控制系統等。在電源適配器中，穩壓二極管被用來保持輸出電壓的穩定性，以確保負載電路的正常工作。在LED驅動器中，它能夠防止電壓波動導致LED燈條的亮度不均或損壞。此外，在汽車電子系統中，穩壓二極管對保護敏感電氣元件免受電壓突波影響至關重要。

5. 設計注意事項

在電路設計中，使用MMBZ5232BLT1G時，設計師需要考慮其最大功率耗散和工作條件。一般來說，對于穩壓二極管，功率損耗與供應電壓和負載電流密切相關。設計者應確保在工作條件下，二極管的功率損耗不會超過其額定值，以避免因過熱導致損壞。此外，考慮到在實際使用中，環境溫度和散熱條件的變化也可能影響穩壓二極管的性能，因此在系統設計階段，需要做好充分的熱設計，確保其能夠在各種工況下可靠運行。

在電源設計中，除了考慮穩壓二極管的額定參數外，輸入和輸出電容的選擇也同樣重要。適當的電容不僅可以濾波、抑制高頻噪聲，還能提升系統的瞬態響應能力。此外，在實際應用中，由于電源負載的變化可能會引起電壓的波動，因此對于穩壓二極管的選擇也需要考慮對瞬態負載變化的敏感性，以確保在負載變化情況下輸出電壓能夠迅速穩定下來。

為了確保系統的可靠性，采用MMBZ5232BLT1G穩壓二極管時，設計師還應考慮備份電路，以應對穩壓二極管失效的情況。對于一些關鍵應用，如醫療設備和安全系統，增加冗余設計能夠有效提高系統的安全性和可靠性。

6. 未來發展趨勢

隨著電子技術的不斷進步，穩壓元件的市場需求也在不斷增長。面對越來越多的應用場合，穩壓二極管的性能要求也在日益提高。MMBZ5232BLT1G這樣的產品在功耗、熱管理和尺寸方面都需要進行不斷的改進，以滿足行業對高效、穩定的電源需求。

未來，隨著新能源技術的發展和智能設備的普及，穩定電源的需求將愈加迫切。這要求穩壓二極管在低功耗和高效能方面不斷創新。新材料的應用、先進工藝的引入都將為穩壓二極管的性能提升提供更多可能。

在技術不斷演進的背景下，各種新型穩壓元件的出現也將進一步豐富市場選擇，推動穩壓二極管技術的發展。此外，用戶對產品的定制化需求也可能影響今后穩壓二極管的設計和制造方向。面對多變的市場環境和技術要求，穩壓二極管企業需不斷提升自身的研發能力，優化產品結構，以滿足客戶日益增長的需求。

MMBZ5232BLT1G ON（安森美）
STM32F407VET6 ST(意法)
STM32F103C8T6 ST(意法)
STM32F103RCT6 ST(意法)
TMS320F28335PGFA TI(德州儀器)
STM32F405RGT6 ST(意法)
BTS50085-1TMA Infineon(英飛凌)
STM32H743VIT6 ST(意法)
ULN2803ADWR TI(德州儀器)
STM32F407VGT6 TI(德州儀器)
STM8S003F3P6TR ST(意法)
STM8S003F3P6 ST(意法)
STM32F030C8T6 TI(德州儀器)
KSZ8999I MIC(昌福)
STM32F407ZGT6 ST(意法)
AD9361BBCZ ADI(亞德諾)
STM32F103VCT6 TI(德州儀器)
MCF5282CVM66 NXP(恩智浦)
ATMEGA328P-AU Microchip(微芯)
ADS1248IPWR Burr-Brown(TI)
STM32F103VET6 ST(意法)
LM3481QMM TI(德州儀器)
LM3481MM NS(國半)
STM32F407ZET6 TI(德州儀器)
W5500 WINBOND(華邦)
ATMEGA2560-16AU Atmel(愛特梅爾)
VNH5180ATR-E ST(意法)
ATMEGA128A-AU Atmel(愛特梅爾)
TPS5430DDAR TI(德州儀器)
STM32F103ZET6 ST(意法)
AD7606BSTZ ADI(亞德諾)
STM32F429IGT6 ST(意法)
STM32F103CBT6 TI(德州儀器)
KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG(三星)
FT232RL FTDI(飛特帝亞)
LPC1768FBD100 NXP(恩智浦)
STM32F030K6T6 TI(德州儀器)
STM32F103RET6 ST(意法)
MBR0520LT1G ON(安森美)
STM32H743ZIT6 ST(意法)
ULN2003ADR TI(德州儀器)
STM32H750VBT6 ST(意法)
BSP75N Infineon(英飛凌)
ISL8204MIRZ Renesas(瑞薩)
TPS51200DRCR TI(德州儀器)
TMS320F28034PNT TI(德州儀器)
LM358DR ON(安森美)
MCIMX6Y2CVM08AB NXP(恩智浦)
MCIMX6Q5EYM10AD Freescale(飛思卡爾)
W25Q128JVSIQ WINBOND(華邦)
ATMEGA8A-AU Atmel(愛特梅爾)
GD32F103C8T6 ST(意法)
XCF04SVOG20C XILINX(賽靈思)
MK70FN1M0VMJ15 Freescale(飛思卡爾)
ISO1050DUBR Burr-Brown(TI)
ATMEGA32A-AU Atmel(愛特梅爾)
STM32H743IIT6 ST(意法)
XC6SLX75-3CSG484I XILINX(賽靈思)
ADM2587EBRWZ ADI(亞德諾)
SN75ALS181NSR TI(德州儀器)
GD32F103RCT6 GD(兆易創新)
USBLC6-2SC6 ST(意法)
NRF52832-QFAA-R NORDIC
TPS74501PQWDRVRQ1 TI(德州儀器)
ATMEGA64A-AU Atmel(愛特梅爾)
AMS1117-3.3 AMS(艾邁斯)
LAN8720AI-CP-TR smsc
XC7K325T-2FFG900I XILINX(賽靈思)
MCIMX6Q6AVT10AD NXP(恩智浦)
SN65HVD230DR TI(德州儀器)
TXS0108EPWR TI(德州儀器)
74HC595D ON(安森美)
BCM89811B1AWMLG Broadcom(博通)
SN75176BDR NXP(恩智浦)
N76E003AT20 Nuvoton(新唐)
STM32F103RBT6 ST(意法)
FS32K144HFT0VLLT NXP(恩智浦)
MK66FN2M0VLQ18 Freescale(飛思卡爾)
STM32F427VGT6 ST(意法)
LM358DR2G TI(德州儀器)
NCP1654BD65R2G ON(安森美)
ADM2582EBRWZ ADI(亞德諾)
ADUM1201ARZ ADI(亞德諾)
MURS160T3G ON(安森美)
STM8L052C6T6 ST(意法)
BSC030N08NS5 Infineon(英飛凌)
MCHC11F1CFNE4 NXP(恩智浦)
TPS1H100BQPWPRQ1 TI(德州儀器)
EPCQ64ASI16N ALTERA(阿爾特拉)
VNS3NV04DPTR-E ST(意法)
SN74HC595DR TI(德州儀器)
O3853QDCARQ1 TI(德州儀器)
TJA1050T/CM NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU Microchip(微芯)
STM32F030F4P6 TI(德州儀器)
LIS3DHTR ST(意法)
DSP56F803BU80E MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F411CEU6 ST(意法)
STM32G070CBT6 ST(意法)
MAX13487EESA Maxim(美信)
STM32F427ZGT6 ST(意法)
ATMEGA88PA-AU Atmel(愛特梅爾)
ADS1258IRTCR ADI(亞德諾)
MBRA340T3G ON(安森美)
TPS54331DR TI(德州儀器)
NUP2105LT1G NXP(恩智浦)
STM32G030C8T6 ST(意法)
MAX3232ESE Maxim(美信)
VNH5019ATR-E TI(德州儀器)
W25Q64JVSSIQ WINBOND(華邦)
ADSP-21060LCW-160 ADI(亞德諾)
LPC1788FBD208 NXP(恩智浦)
5CEFA7F23I7N ALTERA(阿爾特拉)
NTD2955T4G ON(安森美)
MC34063ADR2G MOTOROLA(摩托羅拉)
MK70FX512VMJ15 NXP(恩智浦)
NRF52840-QIAA-R NORDIC
STM32L151RET6 ST(意法)
ISO3082DWR TI(德州儀器)
LIS2DH12TR ST(意法)