BFP780H6327XTSA1的詳細參數

參數名稱 參數值
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8308457449
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
風險等級 9.55
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-11-29 21:15:44
YTEOL 0
外殼連接 EMITTER
最大集電極電流 (IC) 0.12 A
集電極-發射極最大電壓 6.1 V
配置 SINGLE
最高頻帶 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代碼 R-PDSO-G4
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 4
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
極性/信道類型 NPN
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶體管應用 AMPLIFIER
晶體管元件材料 SILICON
標稱過渡頻率 (fT) 20000 MHz

BFP780H6327XTSA1是一種具有多種應用潛力的雙極性晶體管(BJT)，其在電子元器件中的重要性越來越受到關注。BJT作為一種經典的半導體器件，在電子線路中發揮著重要的作用，它們的工作原理及特性決定了其在各類應用中的有效性。當討論BFP780H6327XTSA1時，必須了解其物理特性、結構特點以及在具體應用中的表現。

首先，BJT的基本構造通常由三個摻雜區組成：發射極、基極和集電極。BFP780H6327XTSA1采用了NPN型結構，其中發射極區是重摻雜的N型材料，基極區是適度摻雜的P型材料，而集電極區則為摻雜較輕的N型材料。這種結構允許BFP780H6327XTSA1在較小的輸入電流下實現較大的輸出電流，即具備放大功能。BFP780H6327XTSA1具有較高的直流電流增益，這意味著其可以有效地放大微弱信號。這使得BFP780H6327XTSA1在信號放大、開關電路及各種數字邏輯電路中得到了廣泛應用。

其次，BFP780H6327XTSA1的電氣特性也值得關注。作為一種低噪聲放大器，BFP780H6327XTSA1的噪聲指數相對較低，適合用于射頻(RF)和微波頻段的應用。其最大集電極電壓和集電極電流的額定值，使其能夠在多種工作條件下穩定運行，特別是在高頻電路中。該器件的切換速度相對較快，這使得其在高頻信號處理應用中表現出色。這些特性使其成為移動通信設備、無線電接收器和其他類似設備中的理想選擇。

在熱管理方面，BFP780H6327XTSA1的功耗和散熱性能也具有良好的表現。低功耗是現代電子產品設計中至關重要的組成部分，尤其是在電池供電設備中。BFP780H6327XTSA1的低靜態電流特性確保了在待機模式下也能保持較低的功耗，從而延長了電池的使用壽命。

除了基本的電氣性能外，BFP780H6327XTSA1的封裝設計也為其在各種環境下的應用提供了更大的靈活性。通常，BFP780H6327XTSA1采用小型表面貼裝封裝，這有助于縮小整體電路板的尺寸，滿足現代緊湊型設備對空間的要求。此外，這種封裝形式也提高了在制造過程中的自動化程度，從而降低了生產成本。

在RF應用中的具體表現同樣重要。BFP780H6327XTSA1在射頻放大器中得到廣泛應用，尤其在低噪聲放大器中，其高增益與同行競爭者相比具有明顯優勢。在全球日益增長的無線通信需求下，BFP780H6327XTSA1被廣泛應用于GSM、WCDMA、LTE等移動通信標準中，為現代通信網絡提供支持。

涉及到BFP780H6327XTSA1的實際應用案例，許多設計工程師在開發新的射頻模塊或嵌入式系統時，傾向于選擇這一器件。在現代消費電子設備中，如智能手機、平板電腦等，BFP780H6327XTSA1被用作信號放大和處理的核心元件之一，保證傳輸信號的清晰度和穩定性。

此外，適應性是BFP780H6327XTSA1的另一大亮點。隨著電子設備對多功能、高性能和小型化的需求不斷提升，BFP780H6327XTSA1的多用途特性使得它能夠適應各種設計要求。這種器件不僅可以用于傳統的音頻應用，還能擴展到更復雜的無線通信和數據傳輸應用。這種適應性不僅限于性能參數的調整，還包括其在不同電路設計中的靈活實現。

BFP780H6327XTSA1的市場前景也相當樂觀，隨著5G及物聯網(IoT)的發展，對高性能RF組件的需求不斷增加。這種趨勢推動了BFP780H6327XTSA1等雙極性晶體管的應用。可以預見，未來會有更多的創新型應用結合BFP780H6327XTSA1這一元件，推動整體電子產業的進步。

總之，BFP780H6327XTSA1作為一種具有廣泛應用前景的雙極性晶體管，憑借其優越的電氣性能、良好的熱管理能力及適應性，成為許多現代電子設備的重要組成部分。無論是在通信、消費電子產品還是嵌入式系統中，其應用潛力都表明了這一器件在未來技術進步過程中的關鍵作用。

BFP780H6327XTSA1 Infineon(英飛凌)
LD1117S25CTR ST(意法)
MSP430FE4272IPMR TI(德州儀器)
N25Q064A13ESE40F micron(鎂光)
1EDN7512BXTSA1 Infineon(英飛凌)
ADS8028IRTJR TI(德州儀器)
MKL02Z32VFK4 NXP(恩智浦)
SN74HCT541PWR TI(德州儀器)
TCD2564DG TOSHIBA(東芝)
74HC1G08GW Nexperia(安世)
MC7812BDTG ON(安森美)
XFS5152CE
23LCV1024-I/SN Microchip(微芯)
CY7C68001-56PVXC Cypress(賽普拉斯)
EPCQ64SI16N ALTERA(阿爾特拉)
MAX4172ESA+T Maxim(美信)
UC2845AD8TR TI(德州儀器)
HD64F2368VTE34V Renesas(瑞薩)
IR2011STRPBF Infineon(英飛凌)
VND5E006ASPTR-E ST(意法)
B230A-13-F Diodes(美臺)
CH32F103R8T6 WCH(南京沁恒)
HMC652LP2E Hittite Microwave
NRVTSS3100ET3G ON(安森美)
STM32L431KCU6 ST(意法)
TLC59281RGER TI(德州儀器)
XC3S100E-4VQG100C XILINX(賽靈思)
XC6SLX25-3CSG324I XILINX(賽靈思)
AT24C02C-PUM Atmel(愛特梅爾)
AT24C256C-MAHL-T Atmel(愛特梅爾)
GD32F350RBT6 GD(兆易創新)
HI-8382CM-01 Holt Integrated Circuits Inc.
M41T01M6F ST(意法)
RTD2660H-GR REALTEK(瑞昱)
TLV1117LV25DCYR TI(德州儀器)
TPS54228DDAR TI(德州儀器)
L76-M33 移遠 Quectel
P89V51RD2FN Philips(飛利浦)
SI53301-B-GMR Skyworks(思佳訊)
STM32F413VGH6 ST(意法)
TLV1117IDCYR TI(德州儀器)
TS3021ICT ST(意法)
AD9467BCPZ-200 ADI(亞德諾)
ADUM3402ARWZ-RL ADI(亞德諾)
HSMS-2827-TR1G Agilent(安捷倫)
MBR20200CT Mospec Semiconductor Corp
PAM8406DR Diodes(美臺)
RTL8761BTV-CG REALTEK(瑞昱)
TLV76733DRVR TI(德州儀器)
5CSEBA6U19I7N ALTERA(阿爾特拉)
ADS1294IPAG TI(德州儀器)
BTS7080-2EPA Infineon(英飛凌)
FDH45N50F-F133 ON(安森美)
HMC5983-TR Honeywell(霍尼韋爾)
IPA60R180P7S Infineon(英飛凌)
LMK1C1102PWR TI(德州儀器)
MM3Z10VT1G ON(安森美)
STM32G474VEH6 ST(意法)
ADUM2401CRWZ ADI(亞德諾)
FGH40T120SMD-F155 ON(安森美)
TC58CVG2S0HRAIJ KIOXIA(鎧俠)
TL3016IDR TI(德州儀器)
A3901SEJTR-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
AD7357BRUZ ADI(亞德諾)
FGH40N60UFDTU ON(安森美)
LM5161QPWPTQ1 TI(德州儀器)
LTM8021IV#PBF LINEAR(凌特)
MX35LF2GE4AB-MI Macronix International
RTL8367RB-CG REALTEK(瑞昱)
DS28E05R+T Maxim(美信)
L9950XPTR ST(意法)
LCMXO2-7000HC-4TG144C Lattice(萊迪斯)
LM2940S-5.0 NS(國半)
SN74LVC1G80DBVR TI(德州儀器)
STTH2003CFP ST(意法)
TLP114A TOSHIBA(東芝)
AP3015AKTR-G1 BCD Semiconductor Manufacturing Limited
BISS0001 China(國產)
MAX4372TEUK+T Maxim(美信)
MC33978AEK Freescale(飛思卡爾)
NCV8184DR2G ON(安森美)
RT6228AGQUF RICHTEK(臺灣立锜)
SM8103ADC SILERGY(矽力杰)
TJA1027TK/20/1 NXP(恩智浦)
19S101-40ML5
AD9963BCPZ ADI(亞德諾)
BTN8982TAAUMA1 Infineon(英飛凌)
IKCM20L60GD LS Research
LM358ADR2G TI(德州儀器)
MC908MR16CFUE Freescale(飛思卡爾)
MC9S12XF512MLM Freescale(飛思卡爾)
MIMXRT1176DVMAA NXP(恩智浦)
MK26FN2M0VMD18 NXP(恩智浦)
MPM3695GRF-25-0022 MPS(美國芯源)
MTP2P50EG ON(安森美)
NSS60601MZ4T1G ON(安森美)
SN74LVCHR16245AGR TI(德州儀器)
TJA1040T/VM NXP(恩智浦)
5CGXBC9E6F31C7N ALTERA(阿爾特拉)
AL8860QMP-13 Diodes(美臺)
CSD19505KCS TI(德州儀器)
CY8C21234-24SXI Cypress(賽普拉斯)
LT8640EUDC#PBF LINEAR(凌特)
MIC2104YML-TR Microchip(微芯)
RT7273GQW RICHTEK(臺灣立锜)
TPIC6C596DR TI(德州儀器)
TS04 China(國產)
2EDN7524F Infineon(英飛凌)
ATTINY861A-SU Microchip(微芯)
ATXMEGA8E5-AU Microchip(微芯)
LPC1549JBD48QL NXP(恩智浦)
MBRB20100CT ON(安森美)
MC14013BDTR2G ON(安森美)
STM8L101F3U6ATR ST(意法)
SY8501FCC SILERGY(矽力杰)
TLF35584QVVS2XUMA2 Infineon(英飛凌)
ZXMS6004DN8Q-13 Diodes(美臺)