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IRF9640STRLPBF 場效應管

發布時間:2024/11/7 16:36:00 訪問次數:33 發布企業:深圳市展鵬富裕科技有限公司

IRF9640STRLPBF的詳細參數

特性 Surface-mount Available in tape and reel Dynamic dV/dt rating 封裝參數 屬性 參數值 Package TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type Surface Mount Pin Count 2 技術參數 屬性 參數值 TOP(°C) -55℃~+150℃(Tj) TOP min(°C) -55℃ TOP max(°C) +150℃(Tj) PD(mW) 3W(Ta),125W(Tc) Configuration SINGLE Channels 1 Technology MOSFET (Metal Oxide) Qg(C) 44 nC @ 10 V Ciss(pF) 1200 pF @ 25 V FET Type P-Channel ID(mA) 11A (Tc) IDM(A) 44 A Operating Mode ENHANCEMENT MODE Rds On(Ω) 500mOhm @ 6.6A, 10V VD(V) 10V Vdss(V) 200 V Vgs(V) ±20V Vgs th(V) 4V @ 250µA 合規參數 屬性 參數值 Reach 受影響 RoHS Yes RoHS狀態 合規 Pb-free 是 MSL 1(無限) 交易參數 屬性 參數值 Factory Packing Type SMALL OUTLINE, R PSSO G2 Factory Packing Quantity 1092 HTS 8541.29.0095 ECCN EAR99 Lifecycle 量產 Lifecycle Risk 低 Weight(g) 4




IRF9640STRLPBF 場效應管的特性與應用研究

引言

在現代電子技術的發展中,場效應管(Field Effect Transistor, FET)作為一種重要的半導體器件,廣泛應用于放大和開關電路中。與傳統的雙極型晶體管(BJT)相比,場效應管具有輸入阻抗高、功耗低等優點,因此在各種電子設備中得到了廣泛使用。IRF9640STRLPBF是一款以N溝道作為主要材料的功率場效應管,因其優良的特性和廣泛的應用前景,成為了許多電源設計及電機控制系統的首選器件。

IRF9640STRLPBF的基本參數

IRF9640STRLPBF是一款典型的N溝道功率場效應管,其主要參數包括:最大漏源電壓(V_DS)可達到55V,最大漏電流(I_D)為49A。其導通電阻(R_DS(on))在較高的柵源電壓下可低至0.04Ω,這使得它在高電流應用中擁有出色的功耗特性。此外,該器件的閾值電壓(V_GS(th))范圍在2V到4V之間,適合多種驅動電路使用。由于其較高的電壓和電流容量,IRF9640STRLPBF在各種高功率應用中表現出色。

器件結構與工作原理

IRF9640STRLPBF采用的是增強型N溝道結構,其工作原理基于電場效應的控制。與BJT不同,FET是通過電積聚區的形成來控制電流的流動。在柵極施加電壓時,N溝道中的載流子數密度發生變化,進而改變漏極與源極之間的導通狀態。

在其工作狀態下,當柵源電壓(V_GS)超過閾值電壓(V_GS(th))時,N溝道內的電子濃度增加,形成一個低阻抗通道,使得漏電流(I_D)得以流動。隨著柵源電壓的進一步升高,漏電流也會隨之增大,直至達到設計的最大漏電流(I_D)極限。在此過程中的電阻變化,有效降低了功率損耗,使得該器件在高頻開關應用中尤為重要。

特性分析

IRF9640STRLPBF的特性主要體現在其電流、電壓和功率容量方面。其高漏電流能力使得該器件能夠在大功率應用中穩定工作,例如電源管理和直流電機控制系統中。其低導通電阻顯著降低了通態損耗,使得在頻繁開關操作下,器件的發熱量較小,延長了器件的使用壽命。

此外,IRF9640STRLPBF具備較好的熱性能,能夠在設計合理的散熱條件下,進行長時間的穩定運行。器件的穩定性和可靠性使其成為高效能直流-直流轉換器和多種開關電源設計的理想選擇。其較寬的工作溫度范圍和較高的工作頻率響應,也為其在復雜環境中的應用提供了保障。

應用領域

IRF9640STRLPBF的應用相當廣泛,涵蓋多個行業和領域。在電力電子設備中,常見的應用包括直流電源轉換器、逆變器和電機驅動系統等。在這些應用中,該器件能夠有效地控制電流的開關,提高整體能效。

在電源設計中,IRF9640STRLPBF常用于PWM(脈寬調制)控制的直流電源中。在高頻換相時,其優良的關斷特性和較快的開關速度大大減少了開關損耗,提升了整體轉換效率。此外,該器件在電機控制系統中用于高效驅動電機,實現對速度和轉向的精確控制,提高了系統的響應速度和可靠性。

此外,IRF9640STRLPBF在消費電子產品中的應用也日益增多。在例如液晶電視、計算機電源及充電器等設備中,作為功率開關元件,能夠有效降低功率損耗,提高設備的能源轉換效率。在這些應用中,IRF9640STRLPBF不僅可以提供穩定的電流輸出,還能在負載變化時保持良好的調節能力。

驅動與電路設計

為實現IRF9640STRLPBF的最佳性能,合理的驅動電路設計是至關重要的。通常,針對場效應管的驅動電路需要考慮到柵極電壓的穩定性和切換速度,確保在柵源電壓瞬態變化時,不會對器件產生不必要的損耗。驅動電路設計的優劣直接影響到場效應管的開關特性與開關損耗。在實際電路設計中,可以使用驅動芯片或分立元件配置以實現對柵極的快速充放電,從而提高開關速度和效率。

IRF9640STRLPBF的應用還需要進行熱設計以處理高功率情況。大功率應用下的熱管理能夠有效防止元件過熱,確保器件在規定的工作溫度范圍內穩定運行。

隨著電子技術的不斷進步,IRF9640STRLPBF作為一款高性能場效應管,其在電力電子、消費電子及自動化控制領域的應用前景仍在不斷擴展。通過深入研究其特性及優化設計,IRF9640STRLPBF有望為新一代電子產品的發展提供有力的支持。


IRF9640STRLPBF VISHAY(威世)
TOP247YN Raspberry Pi
ISL29023IROZ-T7 Intersil(英特矽爾)
74LVC1G04GW NXP(恩智浦)
TMS5703137DPGEQQ1 TI(德州儀器)
ADXL327BCPZ-RL7 ADI(亞德諾)
SIT3490EESA SIT(芯力特)
STM8S208RBT6 ST(意法)
STW10NK80Z ST(意法)
STM32L151RBT6A ST(意法)
LMR14006XDDCR TI(德州儀器)
STM32F745ZGT6 ST(意法)
74HC154D Philips(飛利浦)
ADG1436YRUZ-REEL7 ADI(亞德諾)
ADS8556IPMR ADI(亞德諾)
EP4CE30F29C8N ALTERA(阿爾特拉)
AD8034ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
ADS7830IPWR TI(德州儀器)
AM26LV32IDR TI(德州儀器)
STM32F103C8T6TR ST(意法)
CD74HC4051M96 TI(德州儀器)
MKL28Z512VLL7 NXP(恩智浦)
TCM2-43X+ Mini-Circuits
SN74AVCH8T245DGVR TI(德州儀器)
TL7705AIDR TI(德州儀器)
PIC32MX695F512L-80I/PF Microchip(微芯)
BAT54SWT1G Fairchild(飛兆/仙童)
ISO7420FEDR TI(德州儀器)
PCF8578HT/1518 NXP(恩智浦)
MAX7219CWG+T Maxim(美信)
SN74LVC2G86DCUR TI(德州儀器)
SN74AHC594PWR TI(德州儀器)
AT91SAM7X512-AU Atmel(愛特梅爾)
SN74ACT245PWR TI(德州儀器)
STR2550 ST(意法)
PE4302-52 Peregrine Semiconductor
74ALVCH32973ZKER TI(德州儀器)
HD64F3687FPV Renesas(瑞薩)
NL17SZ14DFT2G ON(安森美)
24LC02B-I/SN Microchip(微芯)
ADT7301ARTZ-500RL7 ADI(亞德諾)
VNQ5160KTR-E ST(意法)
AFT05MS031NR1 Freescale(飛思卡爾)
LM2825N-5.0 TI(德州儀器)
SII1161CTU Vishay(威世)
SN74AHCT541PWR Burr-Brown(TI)
MBRM120ET1G ON(安森美)
TCA9517DR TI(德州儀器)
LC4256V-75TN144C Lattice(萊迪斯)
TL431ACLPR TI(德州儀器)
CSD17575Q3 TI(德州儀器)
LM337D2TR4G ON(安森美)
FDY102PZ ON(安森美)
HV9961LG-G SUPERTEX(超科)
IIS3DWBTR ST(意法)
TMS320F28377SZWTT TI(德州儀器)
PIC24FJ256GA705-I/PT Microchip(微芯)
ZXMP10A13FTA Diodes(美臺)
SN74HC573APWR TI(德州儀器)
XF2M-4015-1A OMRON(歐姆龍)
TJA1055T/C NXP(恩智浦)
TPS6590376ZWSR TI(德州儀器)
BTS3408GXUMA2 Infineon(英飛凌)
DS90UB954TRGZTQ1 TI(德州儀器)
LM3478QMMX/NOPB TI(德州儀器)
PCA9515ADP TI(德州儀器)
SMBJ6.0CA MDD
FDS89161LZ Freescale(飛思卡爾)
PEX8764-AB80BIG Avago(安華高)
SN74LVC2G00DCUR TI(德州儀器)
LM2902N NS(國半)
ABA-53563-TR1G Avago(安華高)
FIN1002M5X Fairchild(飛兆/仙童)
MC13202FCR2 MOTOROLA(摩托羅拉)
MKL17Z256VLH4 NXP(恩智浦)
HMC1018ALP4E ADI(亞德諾)
LCMXO2-1200HC-4TG144I Lattice(萊迪斯)
LM3S9B96-IQC80-C5 TI(德州儀器)
OPA4134UA TI(德州儀器)
PC817X3CSP9F Sharp(夏普)
PIC17C756A-33I/PT Microchip(微芯)
TM1668 TM(天微)
TPIC6A595DWR TI(德州儀器)
TPS3820-33DBVR TI(德州儀器)
PS8742BQFN40GTR-A1 parade(譜瑞科技)
BLUENRG-132 ST(意法)
SCD30 Sensirion(瑞士盛思銳)
AT45DB081D-SU Atmel(愛特梅爾)
BAS32L Nexperia(安世)
MSP430F2132IRHBR TI(德州儀器)
PIC24FJ256GB110-I/PF Microchip(微芯)
AT93C86A-10SU-2.7 Atmel(愛特梅爾)
HEF4081BT Philips(飛利浦)
HD64F7144F50V Renesas(瑞薩)
LMZ23608TZ/NOPB TI(德州儀器)
MP2155GQ-Z MPS(美國芯源)
LM2904BIDR TI(德州儀器)
MT25QU256ABA1EW7-0SIT micron(鎂光)
NCP5623DTBR2G ON(安森美)
SE5532AD8R2G ON(安森美)
W25Q128FVEIG WINBOND(華邦)
AD8031BRZ ADI(亞德諾)
ADS131A02IPBSR TI(德州儀器)
AT93C46-10SU-2.7 Atmel(愛特梅爾)
IS43TR16512BL-125KBLI ISSI(美國芯成)
LU82551ER INTEL(英特爾)
SN65LVDS179DR TI(德州儀器)
REF192FSZ ADI(亞德諾)
SDINBDG4-32G-XI1 Sandisk
CLRC66302HN NXP(恩智浦)
T491X107K025AT KEMET(基美)
74HCT244D Philips(飛利浦)
AD8031ARZ ADI(亞德諾)
FGA60N65SMD ON(安森美)
MC9S12DG128CFUE MOTOROLA(摩托羅拉)
MKE06Z128VLH4 Freescale(飛思卡爾)
PIC16F720T-I/SS Microchip(微芯)
PXE1610CDN-G003 Infineon(英飛凌)
RTS5450M-GR REALTEK(瑞昱)

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