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SUD50P10-43L-E3 場效應管

發布時間:2024/11/8 16:15:00 訪問次數:48 發布企業:深圳市展鵬富裕科技有限公司

SUD50P10-43L-E3的詳細參數

封裝參數 屬性 參數值 Package TO-252 Mounting Type Surface Mount Pin Count 2 Marking 50P10- 43 技術參數 屬性 參數值 TOP(°C) -55℃~+175℃(Tj) TOP min(°C) -55℃ TOP max(°C) +175℃(Tj) PD(mW) 8.3W(Ta),136W(Tc) Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Channels 1 Technology MOSFET (Metal Oxide) Qg(C) 160 nC @ 10 V Ciss(pF) 4600 pF @ 50 V FET Type P-Channel ID(mA) 37.1A (Tc) IDM(A) 40 A Operating Mode ENHANCEMENT MODE Rds On(Ω) 43mOhm @ 9.2A, 10V VD(V) 4.5V, 10V Vdss(V) 100 V Vgs(V) ±20V Vgs th(V) 3V @ 250µA 合規參數 屬性 參數值 RoHS Yes RoHS狀態 合規 Pb-free 是 MSL 1(無限) 交易參數 屬性 參數值 Factory Packing Type SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 Factory Packing Quantity 3641 HTS 8541.29.0095 ECCN EAR99 Lifecycle 量產 Lifecycle Risk 低 Weight(g) 0.643克(g)



SUD50P10-43L-E3 場效應管的特性與應用研究

引言

場效應管(Field Effect Transistor, FET)作為一種重要的半導體器件,廣泛應用于電路設計和電子系統中。相較于雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT),FET在功耗、輸入阻抗及開關速度等方面具有更顯著的優勢。SUD50P10-43L-E3 作為一種常見的場效應管,其在功率開關、放大和調制等領域發揮著重要的作用。

SUD50P10-43L-E3的基本參數

SUD50P10-43L-E3 是一款功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管),主要用于各種電源管理應用,其設計參數至關重要。根據其數據手冊,該器件的額定電壓為50V,額定電流為10A。在特定的電氣特性中,它的導通電阻(R_DS(on))約為43mΩ,從而使其在高電流條件下的發熱量較小,提升了系統的效率。

器件結構與工作原理

SUD50P10-43L-E3 采用了N溝道MOSFET的結構。這種結構由源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)組成。MOSFET的工作原理基于電場效應,當在柵極施加電壓時,形成一個電場,從而影響源極和漏極之間的導電通道。通過調節柵極電壓,可以有效地控制漏極到源極的電流,實現開關控制。

SUD50P10-43L-E3 的柵極由氧化硅層隔離,不僅保證了器件的高輸入阻抗,而且能夠有效防止輸入信號的損耗。此外,該器件的結構避免了蜂窩效應的影響,進而提高其耐用性和可靠性。

特性曲線分析

SUD50P10-43L-E3 的特性曲線中,尤為重要的包括ID-VDS特性曲線和ID-VGS特性曲線。ID-VDS曲線用于描述漏極電流(ID)與漏極到源極電壓(VDS)之間的關系。隨著VDS的增加,漏極電流在達到一定值后趨于平穩,形成飽和區。這一特性使得SUD50P10-43L-E3 在開關電源和電機驅動應用中均表現出色。

ID-VGS特性曲線用于展示柵極電壓(VGS)與漏極電流(ID)之間的關系。柵極電壓越高,漏極電流越大。這一特性展示了SUD50P10-43L-E3 在不同工作狀態下的響應能力和靈敏度,適合高頻率開關應用。

散熱特性與實現

由于SUD50P10-43L-E3 在高頻和大電流下工作,其散熱特性顯得尤為重要。根據不同的工作環境和負載條件,散熱方式的選擇對器件的穩定性有著直接影響。通常可以采用風冷、液冷或者熱對流等方式來降低器件的溫度。在實際應用中,合理的散熱設計能夠有效延長器件的使用壽命并提升整體系統的性能。

同時,利用導熱材料和散熱器,能夠減少SUD50P10-43L-E3 工作時產生的熱量,避免因局部過熱導致性能下降。在一些高功率密度的應用中,采用高導熱性能的散熱材料是必不可少的,以確保器件在苛刻條件下依然能夠正常工作。

典型應用

SUD50P10-43L-E3 在多個領域具有廣泛的應用潛力。首先,在開關電源(Switching Power Supply)中,因其高效率和低導通損耗,其能夠顯著提升電源的轉換效率,降低能量損耗。其次,在電機驅動系統中,該器件能夠通過PWM控制,精確調節電機的轉速和扭矩,滿足不同工況下的需求。

此外,SUD50P10-43L-E3 還適用于電池管理系統(Battery Management System, BMS),通過高效的負載控制,確保電池在充放電過程中的安全和可靠性。在各種消費電子產品中,尤其是在便攜式設備日益增多的趨勢下,SUD50P10-43L-E3 以其優越的性能和便捷的設計,逐漸成為市場的首選。

結論

SUD50P10-43L-E3 場效應管憑借其卓越的電氣特性和散熱性能,為現代電子設備提供了可靠的解決方案。隨著電力電子技術的不斷發展,其應用領域將更加廣泛,推動著電子行業的持續創新與進步。在對該器件進行深入研究時,應關注電路設計、散熱管理及實際應用中的各種因素,以期更好地發揮其潛力。


SUD50P10-43L-E3 Vishay(威世)
TDA2003AV ST(意法)
74754-0101 Molex(莫仕)
78M12 ST(意法)
ACPL-337J-500E Avago(安華高)
AD5662BRJZ-1REEL7 ADI(亞德諾)
AD7678ASTZRL ADI(亞德諾)
BYV27-200-TAP Vishay(威世)
CC0603JRNPO9BN220 YAGEO(國巨)
DRV2603RUNR TI(德州儀器)
G6K-2P-Y-5VDC OMRON(歐姆龍)
IR2184PBF IR(國際整流器)
ISO7720DWVR TI(德州儀器)
LM393NG ON(安森美)
LM4040C50FTA Opto Diode Corporation
LM5025AMTCX/NOPB NS(國半)
MAX813LESA+T Maxim(美信)
ME3118ASPG Me-TECH(美臺高科)
MF2410F2.000TM AEM
MPQ2013AGQ-5-AEC1-Z MPS(美國芯源)
P82B96DGKR TI(德州儀器)
PI7C9X2G1616PRBHSBE Diodes(美臺)
PT5108E23E-25 crpowtech(華潤矽威)
RK3568J RockChip(瑞芯微)
S1J Fairchild(飛兆/仙童)
S29AL008J70BFI020 Cypress(賽普拉斯)
S9S12P128J0MLH Freescale(飛思卡爾)
SMA70-3 MACOM
SMBJ20CA Littelfuse(力特)
SST25VF064C-80-4I-SCE Microchip(微芯)
STGD5H60DF ST(意法)
STM8L151R8T6 ST(意法)
TPS54625PWPR TI(德州儀器)
TPS7A3401DGNR TI(德州儀器)
UCC27201DR TI(德州儀器)
UCC2813QDR-2Q1 TI(德州儀器)
UDN2987A6T ALLEGRO(美國埃戈羅)
ULN2804AFWG TOSHIBA(東芝)
1SS400TE61 Rohm(羅姆)
47080-4005 Molex(莫仕)
5PB1214CMGK Renesas(瑞薩)
ACF451832-333-TD01 TDK(東電化)
AD5552BRZ ADI(亞德諾)
ASP-105885-01 Samtec
BA5417 Rohm(羅姆)
BCP51 Philips(飛利浦)
BQ27510DRZR-G3 TI(德州儀器)
CD4002BE TI(德州儀器)
CSD17501Q5A TI(德州儀器)
DF06S Diodes(美臺)
EPC2TC32N ALTERA(阿爾特拉)
EPM240ZM68C7N ALTERA(阿爾特拉)
FGY75T120SQDN ON(安森美)
GCM32EC71H106KA03L MURATA(村田)
IPB180N03S4L-01 Infineon(英飛凌)
IS281GB ISOCOM COMPONENTS
LM26420XMHX/NOPB TI(德州儀器)
LMR12007YMK TI(德州儀器)
LP5300B6F LOWPOWER(微源半導體)
LT3970EDDB-3.3#TRMPBF LINEAR(凌特)
MA4P303-134 L-com
ME7660CS1G MICRONE(南京微盟)
MF-SM030-2 Bourns(伯恩斯)
MLX90371GGO-BCC-300-RE Melexis(邁來芯)
MPSA42 UTC(友順)
MSP430F2132TPWR TI(德州儀器)
NCP1117ST12T3G ON(安森美)
NCV57001DWR2G ON(安森美)
S9S12P128J0MQK NXP(恩智浦)
SN75453BDR TI(德州儀器)
ST10F269-Q3 ST(意法)
STPS2H100ZFY ST(意法)
TDA8026ET/C2 NXP(恩智浦)
TL074ID ST(意法)
TPS73725DCQR TI(德州儀器)
TPS74401KTWT TI(德州儀器)
TYPE-C-31-M-12
XCR3032XL-10VQG44C XILINX(賽靈思)
10CX105YF672I5G ALTERA(阿爾特拉)
24LC256-I/ST Microchip(微芯)
AD5683RBRMZ ADI(亞德諾)
AD7740YRMZ-REEL7 ADI(亞德諾)
AD8400ARZ1-REEL ADI(亞德諾)
ADAS1000BSTZ-RL ADI(亞德諾)
AM29F040B-55JC AMD(超微)
BCX55 CJ(江蘇長電/長晶)
BLM18RK102SN1D MURATA(村田)
BUK9Y22-100E NXP(恩智浦)
CD4011BF3A Harris Semiconductor
CM4101008 Raspberry Pi
CS1621CGO
DA9053-3HC51 Dialog Semiconductor GmbH
DAC7644EB Burr-Brown(TI)
DRV5053VAEDBZRQ1 TI(德州儀器)
EC200S-CN 移遠 Quectel
FQA11N90-F109 ON(安森美)
FZT753TA Zetex Semiconductors
HAA8002D HOOYI(西安后羿)
HFCN-8400D+ Mini-Circuits
INA2180A2QDGKRQ1 TI(德州儀器)
IRF6217TRPBF IR(國際整流器)
IXDN55N120D1 IXYS(艾賽斯)
LM75BGD NXP(恩智浦)
LTC2053HMS8 LINEAR(凌特)
M24C08-FMN6TP ST(意法)
M24C08-RDW6TP ST(意法)
MAX5947BESA+T Maxim(美信)
MBT3946DW1T1G ON(安森美)

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