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ZXTN2010ZTA 雙極性晶體管

發布時間:2024/11/11 11:26:00 訪問次數:55 發布企業:深圳市展鵬富裕科技有限公司

ZXTN2010ZTA的詳細參數

封裝參數 屬性 參數值 Package SOT89 Mounting Type Surface Mount Pin Count 3 技術參數 屬性 參數值 TOP(°C) -55℃~+150℃(Tj) TOP min(°C) -55℃ TOP max(°C) +150℃(Tj) PD(mW) 2.1W Configuration SINGLE Polarity NPN fT(HZ) 130MHz hFE 100 @ 2A, 1V ICBO(A) 50nA (ICBO) IC-Max(A) 5 A Vce(V) 230mV @ 300mA, 6A VCEB(V) 60 V 合規參數 屬性 參數值 Reach 受影響 RoHS Yes RoHS狀態 合規 Pb-free 否 MSL 1(無限) 交易參數 屬性 參數值 Factory Packing Type 卷帶(TR)剪切帶(CT) Factory Packing Quantity 7914 HTS 8541.29.0075 ECCN EAR99 Lifecycle 量產 Lifecycle Risk 低 Weight(g) 0.212(g)


ZXTN2010ZTA 雙極性晶體管的特性及應用研究

引言

雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT)作為一種重要的電子器件,在現代電子技術中占據了舉足輕重的地位。尤其是在放大與開關電路中,BJT的應用尤為廣泛。ZXTN2010ZTA作為一種常見的NPN型雙極性晶體管,其具有良好的電氣特性和可靠的性能表現,使其在眾多電子設計中得到青睞。本文將對ZXTN2010ZTA的結構特征、工作原理、主要電氣參數以及應用場景進行詳細探討。

ZXTN2010ZTA的結構特征

ZXTN2010ZTA是一種NPN型晶體管,采用傳統的PNP結構。其基本結構由三個區域組成:發射極、基極和集電極。發射極Doped為N型材料,基極為P型材料,而集電極則再次為N型材料。這樣的結構設計使得電子可以從發射極注入到基極,并在集電極處收集。因此,該晶體管能夠實現電流的放大。

在外觀上,ZXTN2010ZTA通常采用TO-220封裝形式,這種封裝不僅有利于散熱,還便于在電路板上安裝。晶體管的引腳分別為基極、集電極和發射極,用戶在電路連接時需注意引腳的正確連接以保證晶體管的正常工作。

工作原理

ZXTN2010ZTA的工作原理基于半導體物理學中的載流子注入原則。在正常工作狀態下,將正向電壓施加于基極和發射極之間時,發射區的載流子(電子)將被注入到基區。在基極和發射極之間產生的電流會導致基極區域的少數載流子(空穴)增加,使得更多的電子能夠從發射極注入到集電極區域。由于集電極與基極之間也施加了適當的反向電壓,集電極便能收集這些電子,形成放大后的電流輸出。

在實際電路中,ZXTN2010ZTA的工作狀態通常是飽和狀態和放大狀態。飽和狀態下,發射極至基極的PN結與基極至集電極的PN結均為正向偏置,這使得晶體管能夠通過大量的電流,導致對信號的完全打開;而在放大狀態下,僅發射極至基極的PN結為正向偏置,集電極至基極的PN結為反向偏置,從而使得小輸入電流能夠產生相對較大的輸出電流。

主要電氣參數

ZXTN2010ZTA的電氣性能參數對于其應用至關重要。首先,其最大集電極電壓(V_CE)一般為60V,這使得ZXTN2010ZTA能夠在中等電壓的電路中安全工作。其次,ZXTN2010ZTA的直流電流增益(h_FE)范圍一般在20至100之間,這一增益值使得其在放大電流方面表現優異。

此外,ZXTN2010ZTA的最大輸出電流(I_C)通常可達到3A,從而能夠滿足大多數功率放大和開關應用的需求。其工作溫度范圍通常在-55°C到150°C之間,保證了在多種惡劣環境下的可靠性。同時,這種晶體管的開關速度相對較快,響應時間在納秒級別,使其在高頻應用中頗具優勢。

應用場景

ZXTN2010ZTA在各種電子產品中具有廣泛的應用。首先,在音頻放大器電路中,ZXTN2010ZTA常常用作信號的增益級,能夠有效放大低電平音頻信號,為揚聲器提供所需的功率。此外,在高頻開關電源中,該晶體管能夠快速轉變狀態,保持較低的導通電阻,從而提高系統的工作效率。

其次,ZXTN2010ZTA在燈光控制電路中也得到了應用。通過調節基極的輸入信號,能夠精準控制LED燈的亮度,實現各種燈光效果。同時,在繼電器驅動電路中,ZXTN2010ZTA同樣能夠發揮作用,配合較低的控制信號驅動大功率負載,提升電路的總體性能。

在自動化設備中,ZXTN2010ZTA常被用于傳感器信號的放大及處理,使得微弱信號能夠被更好地識別和使用。此外,ZXTN2010ZTA的低導通壓降和高電流增益使其在電動機控制電路中同樣重要,能夠在驅動小型電動機時提供足夠的電流。

最后,ZXTN2010ZTA還在家電產品、家庭自動化和通信設備中被廣泛使用。其優異的性能和較高的性價比使它成為眾多設計工程師的首選元器件。

通過對ZXTN2010ZTA的深入探討,我們可以看到其在現代電子中的多樣性和適應性,能夠滿足日益增長的技術需求與市場挑戰。



ZXTN2010ZTA Diodes(美臺)
AD8226ARMZ ADI(亞德諾)
M27C256B-12F1 ST(意法)
XC7S75-2FGGA484I XILINX(賽靈思)
MMC5983MA MEMSIC
AD8251ARMZ ADI(亞德諾)
LTC6811HG-1#3ZZTRPBF LINEAR(凌特)
MC78M05CDTG ON(安森美)
K4B4G1646E-BMMA SAMSUNG(三星)
STM32G473VET6 ST(意法)
10M50DAF484C8G ALTERA(阿爾特拉)
74LVC14APW Philips(飛利浦)
BCM5482SA2KFBG Broadcom(博通)
PMEG4050EP Nexperia(安世)
THVD1400DR TI(德州儀器)
AD8220ARMZ ADI(亞德諾)
AD629ARZ ADI(亞德諾)
TQP7M9102 TriQuint (超群)
MPC8270CZQMIBA Freescale(飛思卡爾)
MCF5235CVM150 Freescale(飛思卡爾)
XCZU6CG-2FFVC900I XILINX(賽靈思)
STM32F401VET6 ST(意法)
STM8S105C6T6TR ST(意法)
CY8C4245LQI-483 Cypress(賽普拉斯)
AD7476ARTZ ADI(亞德諾)
THGBMJG8C2LBAIL TOSHIBA(東芝)
TSUMV56RBUT-Z1 MSTAR(晨星)
ADR01BRZ ADI(亞德諾)
ISO7762DBQ TI(德州儀器)
REF02AU TI(德州儀器)
LT1963AEST-3.3 LINEAR(凌特)
IPD50N10S3L-16 Infineon(英飛凌)
TPS5450DDA TI(德州儀器)
MPC5121YVY400B MOT(仁懋)
HMC704LP4E ADI(亞德諾)
MK22FX512AVMD12 NXP(恩智浦)
AD8137YRZ ADI(亞德諾)
ADC128S022CIMT NS(國半)
ISO3082DW Burr-Brown(TI)
MT28EW128ABA1LPC-0SIT micron(鎂光)
ADL5501AKSZ ADI(亞德諾)
RDA5876 RDA(銳迪科)
S9S12G128F0CLL NXP(恩智浦)
EP1K30TC144-3 ALTERA(阿爾特拉)
LMV321M5 TI(德州儀器)
R7F7010343AFP Renesas(瑞薩)
DS26C32ATM TI(德州儀器)
AD8601ARTZ ADI(亞德諾)
LM5008MM NS(國半)
MPC8265ACVVMIBC
MSP430F149IPM TI(德州儀器)
ADG608BRZ ADI(亞德諾)
ATA6824C-MFHW Atmel(愛特梅爾)
SAK-TC397XP-256F300SBD
TLV2381IDBV TI(德州儀器)
TLV76050DBZR TI(德州儀器)
ADUM1400CRWZ-RL ADI(亞德諾)
ADUM5401ARWZ-RL ADI(亞德諾)
25AA02E48T-I/OT Microchip(微芯)
ADM483EARZ-REEL ADI(亞德諾)
MSP430F5437AIPNR TI(德州儀器)
SN65HVD232QDRQ1 TI(德州儀器)
MGA-62563-TR1G ALLEGRO(美國埃戈羅)
SP0503BAHTG Littelfuse(力特)
TMS320F28335PTPS TI(德州儀器)
IRLML0040TRPBF IR(國際整流器)
ULN2004ADR TI(德州儀器)
EL357N(B)(TA)-G Everlight(億光)
S29AL008J70TFI010 SPANSION(飛索)
TPS7B6933QDCYRQ1 TI(德州儀器)
MIC5205-3.3YM5-TR Micrel(麥瑞)
PIC18F6722-I/PT Microchip(微芯)
STM32F767NIH6 ST(意法)
AM4376BZDNA100 TI(德州儀器)
ADA4530-1ARZ-R7 ADI(亞德諾)
L6470HTR ST(意法)
AT21CS01-STUM10-T Microchip(微芯)
MBRB40250TG ON(安森美)
TL5209DR TI(德州儀器)
XC7Z030-2SBG485I XILINX(賽靈思)
FDS9435A Freescale(飛思卡爾)
HEF4066BT Nexperia(安世)
LM358BIDR TI(德州儀器)
MAX9295AGTJ/V+T Maxim(美信)
TPS2530DBVR TI(德州儀器)
NB3L553MNR4G ON(安森美)
TLV320AIC3100IRHBR TI(德州儀器)
MC33079DT ON(安森美)
STD12NF06LT4 IR(國際整流器)
TPA3138D2PWPR TI(德州儀器)
74LVC1G07GW Philips(飛利浦)
LPC2468FET208 NXP(恩智浦)
TPS7A6601QDGNRQ1 TI(德州儀器)
PIC18F25K80-I/SO Microchip(微芯)
ATTINY45-20SU Atmel(愛特梅爾)
10M08SCU169C8G INTEL(英特爾)
PESD5V0S1BA NXP(恩智浦)
SI7611DN-T1-GE3 Vishay(威世)
ATSAM3A8CA-AU Atmel(愛特梅爾)
ADAU1466WBCPZ300RL ADI(亞德諾)
RT9193-18GB RICHTEK(臺灣立锜)
PESD3V3S2UT Nexperia(安世)
ACPL-C79B-500E Avago(安華高)
STM32L152VDT6 ST(意法)
NRVTS2H60ESFT1G ON(安森美)
NCV4276CDTADJRKG ON(安森美)
HFBR-2412Z Avago(安華高)

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