STH12N120K5-2的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid STH12N120K5-2
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1277131488
包裝說明 ROHS COMPLIANT, H2PAK-3/2
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
風險等級 7.57
Samacsys Description STMICROELECTRONICS - STH12N120K5-2 - Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, H2PAK-2, Surface Mount
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2024-05-30 05:21:28
YTEOL 4
雪崩能效等級（Eas） 215 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 1200 V
最大漏極電流 (ID) 12 A
最大漏源導通電阻 0.69 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 245
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 250 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 48 A
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

STH12N120K5-2 場效應管的特性與應用研究

引言

在現代電子技術和電力電子設備中，場效應管（Field Effect Transistor, FET）作為一種關鍵的電子元件，廣泛應用于功率放大、開關電源、馬達驅動等領域。其中，STH12N120K5-2場效應管是一款性能優越的N溝道MOSFET，其以高耐壓和低導通電阻的特點，成為許多電子設計中的理想選擇。本文將探討STH12N120K5-2的基本特性、工作原理以及在不同應用場景中的潛在應用。

STH12N120K5-2的基本特性

STH12N120K5-2是由意法半導體（STMicroelectronics）生產的一款N溝道MOSFET，具有1200V的高耐壓和12A的額定電流。這種器件的主要參數包括：

1. 導通電阻（R_DS(on)）：STH12N120K5-2在V_GS = 10V時，標稱的導通電阻通常在約0.32Ω。這一特性使得器件在工作時能夠保持較低的功耗，降低了發熱量，從而提高了系統的整體效率。

2. 最大功耗：該器件的最大功耗在440W，這一特性允許其在高負載條件下穩定工作，適合于功率較大的應用場景。

3. 門極閾值電壓（V_GS(th)）：其門極閾值電壓一般為2V至4V，確保器件可以在較低的電壓下開啟，提高了使用的靈活性和兼容性。

4. 開關速度：STH12N120K5-2具有較快的開關速度，能夠支持高頻率的開關操作，適合高效能開關電源設計。

這些特性使得STH12N120K5-2在很多需要高功率、大電壓的應用中非常受歡迎。

工作原理

場效應管的基本工作原理是基于電場效應，當在柵極施加電壓時，能夠控制源極與漏極之間的電流流動。對于STH12N120K5-2而言，當柵極電壓（V_GS）超過閾值電壓時，N溝道MOSFET從截止狀態轉變為導通狀態，形成電流通路。

在導通狀態下，電子從源極流向漏極，形成電流。該過程的效率主要受導通電阻影響，導通電阻越低，電流流動時導致的功耗和發熱越小。此外，MOSFET在關閉狀態時，漏極與源極之間的電流幾乎為零，這一特性使其特別適合開關應用，能夠在不開關時有效隔離電流。

應用領域

STH12N120K5-2廣泛用于多個領域，包括但不限于開關電源、繼電器替代及馬達驅動。其高耐壓特性使其能夠在高電壓應用中安全可靠地工作，保證系統的安全性與穩定性。

1. 開關電源：在開關電源設計中，STH12N120K5-2可以用作提供大功率供電的開關元件。由于其較低的導通電阻和較高的開關速度，可以確保高效的轉換效率，從而減少在電源中的能量損耗。

2. 電機驅動：在電機控制系統中，STH12N120K5-2可用于高效控制電機的啟停及調速。MOSFET能快速響應控制信號，可以實現電機的精確調節，提高電機控制的靈活性與效率。此外，其高耐壓特性使得其能夠適應不同電機的工作條件。

3. LED驅動：在LED照明系統中，STH12N120K5-2能夠有效地控制LED燈的電流，保證穩定的亮度輸出。由于其在開關狀態下低導通電阻，能夠降低功耗和熱量積累，從而延長LED的使用壽命。

4. 逆變器：在太陽能逆變器設計中，這款MOSFET可以有效地進行電流轉換，提高能量利用效率。其高耐壓能力也使其能夠適應來自太陽能電池板的較高電壓。

5. 電源管理IC：在電源管理芯片中，STH12N120K5-2可用作開關元件，為整個電源系統提供高效的電流控制。這種高效能的表現使其成為越來越多電源管理應用中的理想選擇。

性能優化

為充分發揮STH12N120K5-2的性能，設計工程師通常會在電路設計中采取多種優化策略。例如，合理選擇驅動電路的結構，以最小化柵驅動延遲，確保MOSFET能夠快速切換；此外，通過選擇適當的散熱方案降低器件的溫度，以維持設備的穩定性和延長使用壽命。

在高頻開關應用中，工程師也可以通過減小電路的 parasitic capacitance（寄生電容）來提高開關速度，減少開關損耗。

未來發展方向

隨著社會對高效能、環保及可持續能源的日益關注，對高性能場效應管的需求越來越大。未來，STH12N120K5-2及其后續產品可能在提高功率密度、降低成本以及提高可靠性等方面作出更大改進。隨著新材料和新結構的引入，MOSFET的性能有望得到進一步提升，開辟出更廣泛的應用場景。

在設計中，集成更多智能控制和監測功能也將是趨勢之一，通過數字化、智能化手段優化功率控制，提高系統的靈活性和安全性。這些未來發展將在很大程度上推動電子科技的進步，促使各個行業的技術升級和發展。

STH12N120K5-2 ST(意法)
ATA6561-GAQW Microchip(微芯)
GTL2014PW Philips(飛利浦)
ALC5616-CGT REALTEK(瑞昱)
CA3140EZ Intersil(英特矽爾)
MC14541BDR2G ON(安森美)
PIC18F8720-I/PT Microchip(微芯)
S9S12G128AMLHR NXP(恩智浦)
MAX96752FGTN/V+T Maxim(美信)
AONR21357 AOS(萬代)
ACSL-6400-00TE Avago(安華高)
IRF7317TRPBF IR(國際整流器)
MPXV5010GP NXP(恩智浦)
CC110LRGPR TI(德州儀器)
CD4066BE TI(德州儀器)
SI7115DN-T1-GE3 Vishay(威世)
ATECC608A-MAHDA-S Microchip(微芯)
GD32F407ZGT6 GD(兆易創新)
STPS5H100BY-TR ST(意法)
PCF85063AT/AY NXP(恩智浦)
MK21FN1M0AVMC12 Freescale(飛思卡爾)
SI2307BDS-T1-E3 Vishay(威世)
5M2210ZF324C5N INTEL(英特爾)
IRFP260MPBF IR(國際整流器)
TL082CDT ST(意法)
ADS7953SBDBTR TI(德州儀器)
L9333MD ST(意法)
LP5907QMFX-3.3Q1 TI(德州儀器)
TPS75733KTTR TI(德州儀器)
AD7606C-18BSTZ ADI(亞德諾)
EP2C+ Mini-Circuits
MCP6541T-I/LT Microchip(微芯)
PCA9555APW NXP(恩智浦)
SN65LVDS31DR TI(德州儀器)
THVD1520DR TI(德州儀器)
ZXCT1107SA-7 Diodes(美臺)
W29N02GVSIAA WINBOND(華邦)
24LC1025-I/SM MIC(昌福)
CJ431 CJ(江蘇長電/長晶)
PBSS4140T Nexperia(安世)
STM32L152VCT6 ST(意法)
ATMEGA162V-8AU Microchip(微芯)
EG2131 Egmicro(屹晶微)
IRFH7440TRPBF Infineon(英飛凌)
M25P16-VMW6TG ST(意法)
STM32L452RET6 ST(意法)
XCKU085-2FLVA1517E XILINX(賽靈思)
GD32F450ZKT6 GD(兆易創新)
PCA9548ABS NXP(恩智浦)
PZTA42T1G ON(安森美)
IRFP4310ZPBF IR(國際整流器)
LPC4088FBD208 NXP(恩智浦)
RTL8309M-CG REALTEK(瑞昱)
ADS8331IPW TI(德州儀器)
AT8236 杭州中科微
LM293DR2G ON(安森美)
STM8S001J3M3 ST(意法)
THGBMDG5D1LBAIL TOSHIBA(東芝)
BMP180 Bosch(博世)
MC9S12DG128MPVE Freescale(飛思卡爾)
TCPT1300X01 Vishay(威世)
VN1160TR-E SMT
990-9413.1B TI(德州儀器)
PDIUSBD12PW NXP(恩智浦)
TIP41CG ON(安森美)
VNLD5300TR-E ST(意法)
DRV8874QPWPRQ1 TI(德州儀器)
MSP430F147IPMR TI(德州儀器)
MT25QL02GCBB8E12-0AAT micron(鎂光)
TPS70930DBVR TI(德州儀器)
XC2C64A-7CPG56I XILINX(賽靈思)
RTL8189FTV-VQ1-CG REALTEK(瑞昱)
STM32L451VET6 ST(意法)
IRFB4310ZPBF IR(國際整流器)
K4A8G165WC-BCWE SAMSUNG(三星)
TS3011ILT ST(意法)
ADMV8416ACPZ ADI(亞德諾)
EP4CGX75CF23I7N INTEL(英特爾)
FDS86240 Fairchild(飛兆/仙童)
MBRS190T3G ON(安森美)
PMBT3906 Philips(飛利浦)
W25N02KVZEIR WINBOND(華邦)
AD5290YRMZ50 ADI(亞德諾)
TPA3110LD2PWPR TI(德州儀器)
ADF4355BCPZ ADI(亞德諾)
CY7C1019DV33-10ZSXI Cypress(賽普拉斯)
MIC4452YM Microchip(微芯)
PIC12LF1840T-I/SN Microchip(微芯)
STM32F301C8T6 TI(德州儀器)
GD32E230K8T6 GD(兆易創新)
HR601680 HANRUN(漢仁)
MC33262DR2G ON(安森美)
MUR3060WTG ON(安森美)
VNH5200ASTR-E ST(意法)
MP86941-CGQVT-Z MPS(美國芯源)
STM1813LWX7F ST(意法)
W25Q64FWSSIG WINBOND(華邦)
L80RE-M37 移遠 Quectel
MC78M12BDTRKG ON(安森美)
NCP1396BDR2G ON(安森美)
SC28C94A1A Philips(飛利浦)
NCV8403ADTRKG ON(安森美)
W5200 WIZnet
AD9832BRUZ ADI(亞德諾)
BQ25616RTWR TI(德州儀器)
M51995AP Renesas(瑞薩)
MCIMX7D2DVM12SD NXP(恩智浦)
STM32F051C8T7 ST(意法)
W971GG6SB-25 WINBOND(華邦)
AT25160B-MAHL-T Microchip(微芯)
INA2128U TI(德州儀器)