IRFB7434PBF的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid IRFB7434PBF
是否Rohs認證 符合
生命周期 End Of Life
Objectid 8006009602
包裝說明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 6.78
Samacsys Description IRFB7434PBF N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V StrongIRFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 0
雪崩能效等級（Eas） 490 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 40 V
最大漏極電流 (ID) 195 A
最大漏源導通電阻 0.0016 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 294 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 1270 A
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

IRFB7434PBF 場效應管的特性與應用研究

引言

在現代電子電路中，場效應管（Field Effect Transistor, FET）作為一種關鍵的電子元件，因其高輸入阻抗和低功耗特性，廣泛應用于各種電子設備和系統中。IRFB7434PBF是一款N溝道增強型場效應管，具有低開關損耗和高溫度穩定性等優點，使其在諸多領域中展現出優越的性能。本文將深入探討IRFB7434PBF的結構特性、性能指標以及其在不同應用場景中的作用。

1. IRFB7434PBF的結構特性

IRFB7434PBF是一款采用現代CMOS工藝制造的N溝道場效應管，具備較小的尺寸與較高的功率密度。它的基本結構包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate），柵極上施加的電壓控制著漏極與源極之間的電流流動。與其他場效應管相比，N溝道場效應管在多數應用中表現出更低的導通電阻和更高的工作效率。

該元件具有耐壓（V_DS）為55V、最大漏極電流（I_D）為120A的特性，表明它能夠承受相對較高的電壓和電流。這使得其在電源管理、直流電機控制和逆變器等高功率應用中十分有效。同時，IRFB7434PBF的低開關耗散特性也讓它適用于高頻率的開關電源應用。

2. 性能指標分析

IRFB7434PBF的性能指標是其設計的核心內容，這些指標直接影響其應用性能。以下是其主要性能參數：

- 最大漏極電流：120A，這一性能使得IRFB7434PBF可以在高電流負載情況下長期穩定工作。 - 導通電阻：在V_GS=10V時，導通電阻R_DS(on)非常低，通常在0.0045Ω左右。這一特性使得在工作時的功耗大幅降低，從而提升整個電路的效率。 - 輸入電容：輸入電容在高頻率操作時的表現極為重要，IRFB7434PBF的輸入電容是相對較小的，這使得它在快速開關過程中表現出色。 - 熱特性：該器件具備良好的散熱性能，封裝設計使得熱量能夠有效散發，從而提高其工作壽命和穩定性。

3. 應用領域

由于IRFB7434PBF具有高電流、高耐壓、低導通電阻及優異的開關特性，其被廣泛應用于多個領域，包括：

- 電源管理：在開關電源、DC-DC變換器中，IRFB7434PBF可用于提升轉換效率，降低能量損耗。 - 直流電機控制：其卓越的開關特性使得IRFB7434PBF在直流電機驅動器中具有極高的應用價值，能夠響應迅速并提供平穩的控制。

- 逆變器：在光伏逆變器和電動汽車的電力電子系統中，IRFB7434PBF經常被用作功率開關，以實現電能的高效轉換與管理。

- 電池管理系統：在各種電池管理系統中，IRFB7434PBF也能夠輔助實現充放電控制和保護功能，提升系統的安全性和穩定性。

4. 性能優化

在實際應用中，為了充分發揮IRFB7434PBF元件的性能，設計者需要關注一些細節。首先，PCB設計應盡量減小與IRFB7434PBF連接的導線長度，降低寄生電感和電容，不僅可以提升開關速度，還可有效抑制EMI（電磁干擾）。

其次，為了避免因高功率導致的溫度過高，設計人員應合理設計散熱裝置。可以采用銅散熱片或風扇散熱等方式，同時在選擇元件時也應重視其工作環境溫度，確保其在安全范圍內工作。

再者，合理的驅動電路設計同樣至關重要。應選擇合適的柵極驅動電壓，以確保IRFB7434PBF在開啟和關閉時能夠快速響應，在減少開關損耗的同時，也避免因開關速度不足導致的電流沖擊和元件損壞。

5. 未來發展方向

隨著科技的不斷發展，場效應管的性能與應用領域也在不斷擴展。未來，IRFB7434PBF等高性能場效應管將在更廣泛的領域中有所應用，例如新能源汽車、智能電網等領域。在這些應用場景中，高效能的功率管理將愈發重要，IRFB7434PBF的低功耗特性將為其未來的發展提供有力支持。

與此同時，半導體材料的創新也可能會推動這一元件的進一步優化。例如，基于氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）等新型材料來設計的場效應管，理論上能夠在更高的頻率和溫度下工作，進而進一步提升電能轉換的效率。因此，在未來的研究與開發中，IRFB7434PBF以及其同類產品的材料創新和結構改進將是一個重要的研究方向。

總之，IRFB7434PBF作為一種高性能的場效應管，其在電子封裝與電路設計中的應用潛力巨大，在今后的電力電子發展中必將發揮不可或缺的作用。

IRFB7434PBF INFINEON（英飛凌）
ADF7021BCPZ ADI(亞德諾)
ADM7171ACPZ-3.0 ADI(亞德諾)
ADM213EARSZ ADI(亞德諾)
ADS1216Y TI(德州儀器)
DAC7724U Burr-Brown(TI)
LTC4357IMS8 LINEAR(凌特)
NJM4580M JRC(日本無線電)
SCTW90N65G2V ST(意法)
STM32F071CBU6 ST(意法)
XCVP1502-2MSEVSVA2785
AD7924BRUZ ADI(亞德諾)
ATTINY814-SSZT-VAO
HMC697LP4E ADI(亞德諾)
LM3481 TI(德州儀器)
LM5116MH TI(德州儀器)
LM2672MX-5.0/NOPB TI(德州儀器)
TPS3701DDCR TI(德州儀器)
TM4C1290NCPDTI3R TI(德州儀器)
LMZ14202TZ-ADJ/NOPB TI(德州儀器)
TPS2561DRCR TI(德州儀器)
TPS62745DSSR TI(德州儀器)
A3967SLBTR-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
TCAN1042HDRQ1 TI(德州儀器)
TPS73801DCQR TI(德州儀器)
BNX002-01 MURATA(村田)
LTV-356T-B LITEON(臺灣光寶)
LM2903DGKR TI(德州儀器)
NRVTS260ESFT1G ON(安森美)
BAT46JFILM ST(意法)
MGA-30689-TR1G Avago(安華高)
CD4013BM96 TI(德州儀器)
1SMA5919BT3G ON(安森美)
UCC27524AQDRQ1 TI(德州儀器)
MLX90365LDC-ABD-000-RE Melexis(邁來芯)
TFP410MPAPREP TI(德州儀器)
DRV8803PWPR TI(德州儀器)
MC74HC14ADR2G ON(安森美)
SA575DTBR2G ON(安森美)
LMR23610ADDAR TI(德州儀器)
2N7002K-7 Opto Diode Corporation
TPS51200QDRCRQ1 TI(德州儀器)
SN74LVC08APWR TI(德州儀器)
DCP020515DU TI(德州儀器)
MBT3904DW1T1G ON(安森美)
LM2903MX TI(德州儀器)
NCP1729SN35T1G ON(安森美)
XC6SLX150T-3FGG676I XILINX(賽靈思)
MK20DX128VFM5 Freescale(飛思卡爾)
UC3825DWTR TI(德州儀器)
EP3C25U256I7N ALTERA(阿爾特拉)
MAX3243ECPWR Maxim(美信)
XC3S700AN-4FGG484I XILINX(賽靈思)
74HC4094D Philips(飛利浦)
STM32L496RGT6 ST(意法)
2N7002BK Nexperia(安世)
74HC244PW Nexperia(安世)
TPS63050YFFR TI(德州儀器)
MCP3425A0T-E/CH MIC(昌福)
HI-8423PTI Holt Integrated Circuits Inc.
FGH40N60SFDTU ON(安森美)
M25P80-VMW6TG micron(鎂光)
MKL02Z32VFM4 NXP(恩智浦)
ATM90E36A-AU-R Atmel(愛特梅爾)
MC74HC08ADR2G ON(安森美)
AD5361BSTZ ADI(亞德諾)
TPS2116DRLR TI(德州儀器)
DSPIC30F4011-30I/ML Microchip(微芯)
TPS61378QWRTERQ1 TI(德州儀器)
MC14094BDR2G ON(安森美)
W25Q80DVUXIE WINBOND(華邦)
STM32F413ZGT6 ST(意法)
LMR62014XMF/NOPB TI(德州儀器)
FQP4N90C Freescale(飛思卡爾)
MC14053BDR2G ON(安森美)
MP020-5GS-Z MPS(美國芯源)
ADS1299-4PAG TI(德州儀器)
CAT24C512YI-GT3 ON(安森美)
STM32WB55RGV6 ST(意法)
XCKU15P-2FFVE1517I XILINX(賽靈思)
NCP303LSN27T1G ON(安森美)
ADSP-TS201SABPZ-050 ADI(亞德諾)
STM32F479IIT6 ST(意法)
SPW17N80C3 Infineon(英飛凌)
XC7S50-1CSGA324C XILINX(賽靈思)
MC56F8366VFVE Freescale(飛思卡爾)
PIC18LF46K22-I/PT Microchip(微芯)
ADRF5720BCCZN ADI(亞德諾)
FPF2164 ON(安森美)
OPA445AP TI(德州儀器)
EL817C Everlight(億光)
SN65MLVD204ADR TI(德州儀器)
TPA6132A2RTER TI(德州儀器)
OPA350UA TI(德州儀器)
SAK-TC1791F-512F240EP Infineon(英飛凌)
H5007NL Pulse(YAGEO)