NVB082N65S3F的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid NVB082N65S3F
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 8344237442
零件包裝代碼 D2PAK-3 / TO-263-2
制造商包裝代碼 418AJ
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 18 weeks
Date Of Intro 2019-01-14
風險等級 6.59
Samacsys Description MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 6.8
雪崩能效等級（Eas） 510 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 650 V
最大漏極電流 (ID) 40 A
最大漏源導通電阻 0.082 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-263AB
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 245
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 313 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 100 A
參考標準 AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

NVB082N65S3F 場效應管的特性與應用

引言

場效應管（Field Effect Transistor, FET）是一種以電場控制電流的器件，在現代電子電路中扮演著極其重要的角色。特別是功率場效應管，由于其較高的輸入阻抗和良好的開關特性，被廣泛應用于各種電子設備中。NVB082N65S3F作為一種高壓N型場效應管，其在電力電子、開關電源以及電機控制等領域展現了良好的適用性。本文將深入探討NVB082N65S3F的基本特性、工作原理及其在實際應用中的作用和性能特點。

NVB082N65S3F的基本參數

NVB082N65S3F是一種N溝道場效應管，其最大漏極-源極電壓（V_DS）可達650V，最大漏極電流（I_D）為82A。這一系列參數使其能夠在高壓大電流的應用場合中發揮作用。此外，此器件的輸入電容較小，通常為600 pF，具備較低的導通電阻（R_DS(on)），通常在百分之一到千分之一歐姆的范圍內，這使得它在工作時的功耗較低，可以更有效地提高系統的能效。

工作原理

N型場效應管的工作原理是基于電場對載流子的控制。NVB082N65S3F利用N型半導體材料，源極（Source）引腳與漏極（Drain）引腳之間通過一個P型反型層被隔開。當在柵極（Gate）施加正電壓時，柵極下方的P型區域會形成反型層，使得N型材料中的電子能自由移動，從而實現源極到漏極的導通。改變柵極電壓的大小，可以精確控制漏極電流的流動，這種方式的優點在于其輸入阻抗高，能耗低，適合高頻率的開關操作。

關鍵特性

NVB082N65S3F的幾個關鍵特性值得關注：

1. 開關特性：其開關速度快，能夠在數百千赫茲到數兆赫茲的范圍內有效工作。這一特性使得它在高頻開關電源中表現出色，能夠有效降低開關損耗，提高工作效率。

2. 熱穩定性：NVB082N65S3F采用優良的材料構造，具有較高的熱導率和更好的熱穩定性。在高溫環境下依然能夠保持良好的性能，適合在汽車電子和工業設備中使用。

3. 抗電壓過載能力：該器件支持高達650V的電壓等級，在瞬態電壓（如浪涌電流）面前具有較強的耐受能力，適合用于高壓變換器和逆變器等領域。

4. 導通電阻：低的導通電阻意味著在導通狀態下，由此產生的功率損耗會大大減少，適合用于需要長時間穩定工作的場合。

應用領域

NVB082N65S3F的優異性能使其應用廣泛，涵蓋多個領域。

1. 開關電源：在開關電源應用中，NVB082N65S3F能夠實現高效的能量轉換和管理，常用于計算機電源、充電器和電源適配器中。

2. 逆變器：在太陽能逆變器和電動車電源系統中，該器件可用作開關器件，幫助實現直流電到交流電的轉換，提升能量轉化效率。

3. 電機驅動：在工業自動化中，NVB082N65S3F能夠有效控制電機的啟停與速度調節，廣泛應用于機器人、風扇及泵浦驅動等設備。

4. 汽車電子：隨著電動汽車及混合動力汽車的發展，高壓功率領域的需求也日益增加。NVB082N65S3F因其高壓和高電流特性，適用于電動汽車的逆變器、充電樁等應用。

性能評測

在實際應用中，通過對NVB082N65S3F的性能進行評測，可以觀察到其在不同工作環境下的表現。以開關電源為例，通過測試其轉換效率和熱性能，可以發現該器件在負載變化時依然保持較高的穩定性和效率。在長時間的高壓工作情況下，其溫升保持在可接受范圍之內，顯示出良好的熱管理能力。

同時，在諸如電機驅動的應用中，NVB082N65S3F能夠在極短的脈沖寬度下仍保持較高的重復頻率，并且在高負載情況下也能快速響應電流變化，確保電機的平穩運行。

未來展望

隨著科技的進步與電子技術的不斷發展，對高性能場效應管的需求將不斷增加。NVB082N65S3F作為一款性能優異的N型場效應管，其在未來的電子設備中會扮演越來越關鍵的角色。展望未來，隨著電力電子技術的不斷革新，更多的新材料和更先進的制作工藝可能會被引入，使得像NVB082N65S3F這樣優秀的器件進一步提升其性能，以滿足更嚴苛的應用需求。同時，隨著可再生能源的普及以及電動汽車行業的快速發展，高壓大功率器件的需求將愈加旺盛，NVB082N65S3F無疑將在這一波浪潮中展現其重要性。

NVB082N65S3F ON(安森美)
PIC16F1713-I/SO Microchip(微芯)
STM32H747AII6 ST(意法)
TM1629 TMTECH ( 凱鈺 )
TP2262-SR 3PEAK(思瑞浦)
TPS3802K33DCKR TI(德州儀器)
XC3SD1800A-4CSG484C XILINX(賽靈思)
24AA256UID-I/ST Microchip(微芯)
74LVC8T245PW-Q100 NXP(恩智浦)
9774015243R Wurth(伍爾特)
ADA4945-1ACPZ ADI(亞德諾)
AR8032-BL1B Qualcomm(高通)
AS358MTR-E1 SL Power Electronics
BP2866CJ （BPS）上海晶豐明源
CAT25160YI-GT3 ON(安森美)
DAC8162SDGSR TI(德州儀器)
FDME1024NZT ON(安森美)
INA293A1IDBVR TI(德州儀器)
IXDN604PI IXYS(艾賽斯)
L6208D ST(意法)
LM317LZG ON(安森美)
LM5069MMX-2/NOPB TI(德州儀器)
MCIMX31DVKN5D Freescale(飛思卡爾)
MCP2561FD-E/SN Microchip(微芯)
MKV30F64VFM10 Freescale(飛思卡爾)
MMSZ4705T1G ON(安森美)
MT41J128M16HA-15E:D micron(鎂光)
PC28F256P33BFE MIC(昌福)
PD70201ILQ-TR Microchip(微芯)
PIC16F616-I/P Microchip(微芯)
PSMN7R0-30YLC NXP(恩智浦)
R5F100LEAFA#10 Renesas(瑞薩)
R5F563NFDDFC#V0 Renesas(瑞薩)
RTL8111E-VB-GR REALTEK(瑞昱)
SGM7SZ14YN5G/TR SGMICRO(圣邦微)
SN74AVC4T234ZWAR TI(德州儀器)
SN74CBTLV3253PWR TI(德州儀器)
SPC5602PEF0MLH6R NXP(恩智浦)
SPC5602PEF0MLL6R NXP(恩智浦)
SPC560B50L3B4E0X ST(意法)
STF40NF20 ST(意法)
STKNXTR ST(意法)
TPS543820RPYR TI(德州儀器)
VFS6VD81E221T51B MURATA(村田)
88E6141-A0-NXU2C000 Marvell(美滿)
ADUCM320BBCZI ADI(亞德諾)
AP2127K-1.8TRG1 Diodes(美臺)
ESD7351HT1G ON(安森美)
FDH055N15A Fairchild(飛兆/仙童)
H3LIS331DL ST(意法)
IAUA180N04S5N012 Infineon(英飛凌)
ICL5102 Infineon(英飛凌)
IP3005A INJOINIC(英集芯)
IRFB3207ZPBF IR(國際整流器)
LM1086ISX-ADJ TI(德州儀器)
LM7332MA TI(德州儀器)
MAX232DWR TI(德州儀器)
MC33262PG MOT(仁懋)
NT5TU64M16HG-ACI Nanya Technology
OPA111BM Burr-Brown(TI)
PE43704B-Z Peregrine Semiconductor
RX8025T/UB EPSON(愛普生)
SI4401FDY-T1-GE3 Vishay(威世)
STM32F302RDT6 ST(意法)
TLV272QDRQ1 TI(德州儀器)
TLV6004IPWR TI(德州儀器)
TUSB422IYFPR TI(德州儀器)
74HC1G32GW Nexperia(安世)
AD5933YRSZ-REEL7 ADI(亞德諾)
AD9237BCPZ-40 ADI(亞德諾)
AOZ1212AI AOS(萬代)
BCM89811B1AWMLGT Broadcom(博通)
CY96F348RSBPMC-GS-UJE2 Cypress(賽普拉斯)
HD64F3687GFPV Renesas(瑞薩)
HSDL-9100-021 Agilent(安捷倫)
IDT82P2281PFG IDT(Renesas收購)
INA271AIDR TI(德州儀器)
ISL8014AIRZ-T Renesas(瑞薩)
LESD8L3.3CT5G TASUND(泰盛達)
LM2903AVQDRG4Q1 TI(德州儀器)
MC9S08DZ60ACLC Freescale(飛思卡爾)
MCP16312T-E/MS Microchip(微芯)
MX25R8035FZUIH1 MXIC(旺宏)
NCP1014ST65T3G ON(安森美)
NCV7344AD13R2G ON(安森美)
NSR0140P2T5G ON(安森美)
PUSB3FR4Z Nexperia(安世)
RB521C30-2/TR WILLSEMI(韋爾)
STB75NF20 ST(意法)
STM32F469VIT6 ST(意法)
STM32F765VGH6 ST(意法)
TC74A0-5.0VAT Microchip(微芯)
TLE42344G Infineon(英飛凌)
TS5A3159AYZPR TI(德州儀器)
XCKU060-1FFVA1517C XILINX(賽靈思)
2N7002,215 Nexperia(安世)
AD9260ASZ ADI(亞德諾)
ADTL082ARMZ ADI(亞德諾)
AT24C01D-SSHM-T Atmel(愛特梅爾)
ATMEGA644PA-MUR Microchip(微芯)
CS48520S Chipanalog(川土微)
DAC8551AQDGKRQ1 TI(德州儀器)
F280021PTSR TI(德州儀器)
GV8601AINE3 Gennum Corporation
H7N0603DSTR-E Renesas(瑞薩)
HC32F460KCTA-LQFP64 HDSC（華大）