PBSS5540Z,115的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid PBSS5540Z,115
Brand Name Nexperia
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 4002389916
零件包裝代碼 SC-73
包裝說明 PLASTIC, SC-73, 4 PIN
針數 4
制造商包裝代碼 SOT223
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Date Of Intro 1999-08-05
風險等級 1.36
Samacsys Description NXP PBSS5540Z,115 PNP Transistor, 5 A, 40 V, 4-Pin SC-73
Samacsys Manufacturer Nexperia
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 4
外殼連接 COLLECTOR
最大集電極電流 (IC) 5 A
集電極-發射極最大電壓 40 V
配置 SINGLE
最小直流電流增益 (hFE) 250
JESD-30 代碼 R-PDSO-G4
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 4
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 PNP
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
標稱過渡頻率 (fT) 120 MHz

雙極性晶體管PBSS5540Z,115的特性與應用研究

雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）是一種重要的電子元件，其廣泛應用于放大、開關及信號處理等多種電路中。PBSS5540Z,115是一種特定型號的雙極性晶體管，具有一定的電氣特性和應用場景。本文將對PBSS5540Z,115進行詳細探討，包括其構造、工作原理、主要特性以及在現代電路中的應用。

首先，雙極性晶體管分為NPN和PNP兩種類型。PBSS5540Z,115屬于NPN型晶體管，這種結構由三層半導體材料組成，分別為發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。在PBSS5540Z,115的構造中，發射極和集電極通常由摻雜較重的材料構成，而基極則是摻雜較輕的材料。這種設計使得電子在發射極注入后能夠通過基極并迅速達到集電極，形成較大的電流放大效應。

雙極性晶體管的工作原理基于電子和空穴的復合過程。在NPN型晶體管中，當發射極注入電子到基極時，基極中的電子與空穴復合，導致一些電子被消耗。然而，由于基極的薄層結構，大部分電子會繼續向集電極移動，從而實現電流的放大。公式Ic = β * Ib提示了集電極電流（Ic）與基極電流（Ib）之間的關系，其中β為電流增益。這一特性使得BJT可以在多種電路中作為放大器或開關元件使用。

就PBSS5540Z,115而言，它的技術特性值得關注。該晶體管的最大集電極電壓（V_ce）在30V左右，這使其適合于低壓應用。它的最大集電極電流（I_c）可達到9A，適合用于功率放大和電源管理電路。PBSS5540Z,115的開關速度也相對較快，能夠滿足高速信號處理的需求。此外，PBSS5540Z,115具有較低的飽和壓降，意味著在開關狀態下能有效降低功耗，這對于高效電源設計至關重要。

PBSS5540Z,115的應用范圍廣泛。在電源管理領域，尤其是在開關電源（SMPS）中，該晶體管可用作主開關元件。開關電源在現代電子設備中應用廣泛，具有高效率和小型化的優點。PBSS5540Z,115能夠在高頻率下工作，提高了轉換效率，降低了熱損耗。在音頻放大器電路中，PBSS5540Z,115同樣表現出色，因其能夠提供高的電流增益，滿足音頻信號的放大需求。

此外，PBSS5540Z,115也可以用作功率放大器，廣泛應用于無線通信、電視廣播等領域。在這些應用中，功率放大器的輸出功率至關重要，而PBSS5540Z,115憑借其能夠呈現高增益和高電流特性，使其成為理想的選擇。尤其是在頻率較高的情況下，PBSS5540Z,115能夠提供穩定的增益，從而保證信號傳輸的可靠性。

在電動機控制和驅動電路中，PBSS5540Z,115可用作驅動器件，實現對直流電動機的調速控制。由于其能夠處理較大的電流，因此在驅動電動機時可實現高效的控制能力。此外，利用PBSS5540Z,115可以搭建H橋電路，從而實現正反轉控制，極大地方便了電動機的應用。

值得一提的是，隨著電子設備向更加高效和小型化發展，PBSS5540Z,115所代表的雙極性晶體管技術依然面臨新的挑戰。市場上，MOSFET和IGBT等其他類型的功率半導體逐漸嶄露頭角，這些器件在某些特定應用中展現出更好的性能。然而，PBSS5540Z,115憑借其在成本和性能之間的良好運作，依然保持重要的市場地位。

在設計電路時，要充分考慮PBSS5540Z,115的特性，以確保其在特定應用中的最佳性能。例如，在高頻電路設計中，需要注意PCB布局和走線，以減少寄生參數的影響。在高電流應用中，散熱設計也是至關重要的，確保晶體管在工作中保持在安全溫度范圍內，以免發生性能下降或損壞。

此外，對于PBSS5540Z,115的驅動電路設計，晶體管的輸入和輸出特性應予以重視，以確保信號的完整性和可靠性。在實際應用中，可能還需要配合其他元件，如電阻和電容，來優化電路性能。

綜上所述，PBSS5540Z,115作為一種廣泛應用的雙極性晶體管，其電氣特性和應用潛力引起了電子工程師的廣泛關注。通過對其結構、工作原理及應用領域的深入研究，為實現高效、可靠的電路設計提供了有價值的參考。

PBSS5540Z Nexperia(安世)
LM2736YMKX TI(德州儀器)
LPC1788FBD144 NXP(恩智浦)
SX1280IMLTRT Semtech(商升特)
TDA5211 Infineon(英飛凌)
MK63FN1M0VLQ12 Freescale(飛思卡爾)
MKL26Z128VFT4 Freescale(飛思卡爾)
ZTS1R52405 COSEL
HMC833LP6GE ADI(亞德諾)
SI4730-D60-GUR SILICON LABS(芯科)
SIA446DJ-T1-GE3 Vishay(威世)
TLP292-4 TOSHIBA(東芝)
UCC28089D TI(德州儀器)
ATA663454-GDQW Microchip(微芯)
MK60DN512ZVLQ10R NXP(恩智浦)
OP249GSZ ADI(亞德諾)
10AX066H3F34E2SG ALTERA(阿爾特拉)
MT47H128M16RT-25E micron(鎂光)
ADR441ARMZ ADI(亞德諾)
XC7A35T-2CSG325C XILINX(賽靈思)
5CGXFC5C6F23C7N ALTERA(阿爾特拉)
MT47H128M8SH-25E:M micron(鎂光)
STM32L412RBI6 ST(意法)
AD8304ARUZ ADI(亞德諾)
L6201PS ST(意法)
MC9S12XDT256MAA Freescale(飛思卡爾)
PCA9634PW NXP(恩智浦)
LM385Z-1.2 TI(德州儀器)
SD2931-10W ST(意法)
WGI210ITSLJXT INTEL(英特爾)
ADP3050ARZ ADI(亞德諾)
PCA9515AD Philips(飛利浦)
SRC4190IDBR TI(德州儀器)
BQ24192RGER TI(德州儀器)
MC33887APVW Freescale(飛思卡爾)
BCM54810C0KMLG Broadcom(博通)
MT51J256M32HF-70:B micron(鎂光)
LT1965EMS8E LINEAR(凌特)
MC33665ATF4AE
CY7C4142KV13-106FCXC Cypress(賽普拉斯)
LM3401MM TI(德州儀器)
88Q5072-B2-BYZ2A000 Marvell(美滿)
DAC312HS PMI
NV6134A
TPS25942ARVCR TI(德州儀器)
TPS62743YFPR TI(德州儀器)
TPS54225PWPR TI(德州儀器)
MAX3051ESA+T Maxim(美信)
TPS56637RPAR TI(德州儀器)
SQM120P06-07L_GE3 Vishay(威世)
TPS53015DGSR TI(德州儀器)
SUD50P04-08-GE3 Vishay(威世)
OPA657NB/250 TI(德州儀器)
TJA1057GT/3J NXP(恩智浦)
AD8606ARMZ-R7 ADI(亞德諾)
TPS54328DDAR TI(德州儀器)
FDB075N15A ON(安森美)
SMBJ5.0A ST(意法)
LM324MX/NOPB NS(國半)
MMSZ5232BT1G ON(安森美)
TPS51218DSCR TI(德州儀器)
F280049PZSR TI(德州儀器)
LMK04832NKDT TI(德州儀器)
1N4148WT-7 Diodes(美臺)
LTC6820HMS#3ZZTRPBF ADI(亞德諾)
MAX3845UCQ+D Maxim(美信)
TPS2115APWR TI(德州儀器)
ADXL357BEZ-RL7 ADI(亞德諾)
PCA9575PW2 NXP(恩智浦)
LFCN-3000+ Mini-Circuits
IRFB4127PBF Infineon(英飛凌)
MIC5205YM5-TR Micrel(麥瑞)
CAVC16T245QDGVRQ1 TI(德州儀器)
MBRA2H100T3G ON(安森美)
PCA9554APW Philips(飛利浦)
TPS7A6950QDRQ1 TI(德州儀器)
EP1C6Q240I7N ALTERA(阿爾特拉)
AD5700-1BCPZ-RL7 ADI(亞德諾)
ADA4807-2ARMZ-R7 ADI(亞德諾)
TLE4207G Infineon(英飛凌)
IR2181STRPBF Infineon(英飛凌)
AT24C64D-XHM-T Microchip(微芯)
HD64F7145F50V HIT(日立)
AD5060BRJZ-1500RL7 ADI(亞德諾)
ADS8588SIPMR TI(德州儀器)
TLMG1100-GS08 TI(德州儀器)
LT3042EMSE#TRPBF LINEAR(凌特)
AT32F403ARCT7
MP1601GTF-Z MPS(美國芯源)
CSD95372BQ5M TI(德州儀器)
LFCN-3800+ Mini-Circuits
LM321MF/NOPB TI(德州儀器)
MOCD213R2M ON(安森美)
OPA842IDBVR TI(德州儀器)
AT90PWM316-16MU Atmel(愛特梅爾)
FDMC8327L Fairchild(飛兆/仙童)
TCCH-80+ Mini-Circuits