MBR20200CTG的詳細參數
概述
此肖特基整流器運用肖特基勢壘原理，采用鉑金勢壘金屬。此先進器件適用于高頻率開關電源和轉換器，最高為 48 V 輸出。此器件會阻擋高達 200 v 電壓，在 250 kHz 至 5.0 MHz 的頻率下提供改善的肖特基性能。
MBR20200CT 系列參數
屬性 參數值Package TO-220-3
Configuration Common Cathode
VRRM Min (V) 200
VF Max (V) 1
IRM Max (µA) 101000
IO(rec) Max (A) 20
IFSM Max (A) 150
Cj Max (pF) 500
MSL Temp (°C) 0
ON Target N
Pb-free 是
AEC Qualified 否
Halide free 是
PPAP Capable 否
MBR20200CTG 型號參數
屬性 參數值Package TO-220-3
Configuration Common Cathode
VRRM Min (V) 200
VF Max (V) 1
IRM Max (µA) 101000
IO(rec) Max (A) 20
IFSM Max (A) 150
Cj Max (pF) 500
MSL Temp (°C) 0
ON Target N
Pb-free 是
AEC Qualified 否
Halide free 是
PPAP Capable 否
MBR20200CTG 肖特基二極管的特性與應用
引言
在現代電子技術中，二極管是最為基礎的半導體器件之一。肖特基二極管憑借其特別的結構和性能，在高頻率應用及低電壓掉落場合中受到廣泛關注。MBR20200CTG 是一種常用的肖特基二極管，其具有優良的電流承載能力和低正向電壓降的特性，廣泛應用于開關電源、整流電路等多種場合。本文將對其物理特性、工作原理及應用場合進行詳細探討。
肖特基二極管的基本原理
肖特基二極管是由金屬和半導體材料接觸而形成的一種二極管，相比于傳統的PN結二極管，肖特基二極管并不依賴于PN結構，而是由金屬和N型半導體相接觸形成的肖特基勢壘。該勢壘允許電子從金屬遷移到半導體中，但限制了正向電流的反向遷移。
肖特基二極管較低的正向電壓降通常在0.2V到0.6V之間，相比之下，普通的PN結二極管在正向導通時的電壓降約為0.7V。這種較低的電壓降使得肖特基二極管在進行高頻開關時能有效降低功耗，提高電路的效率。其主要特點包括快速反向恢復特性和低正向電壓降，這使得它在快速開關電源等應用中備受青睞。
MBR20200CTG的電氣特性
MBR20200CTG是一種特定的肖特基二極管，其具有如下關鍵電氣參數：
1. 正向電壓降：其正向電壓降通常約為0.45V，意味著在正常工作狀態下，相較于其他類型的二極管，MBR20200CTG會消耗更少的電能。
2. 最大反向電壓：其最大反向電壓為20V，適用于低到中等電壓的應用。
3. 最大直流電流：可承受的最大直流電流為20A，在高電流或大功率應用中表現出色。
4. 工作溫度范圍：工作溫度范圍廣泛，能夠適應多種環境條件，且其熱穩定性較強。
5. 反向恢復時間：反向恢復時間極短，這種特性使得其在高頻應用中表現尤為優異。
上述電氣參數顯示了MBR20200CTG的多種優勢，使其成為電子設計中的重要選擇，尤其是在電源管理系統中。
MBR20200CTG的應用領域
MBR20200CTG廣泛應用于諸多領域，其主要應用包括：
1. 開關電源：在開關電源中，MBR20200CTG可用作整流器，能夠有效提高電路的轉換效率，降低功耗。在開關電源的設計中，使用肖特基二極管能夠縮短開關損耗，并提高系統的整體穩定性。
2. 電池充電器：在各種便攜設備中，MBR20200CTG可用于充電電路中，確保充電過程的高效性和可靠性。由于其較低的正向電壓降，能有效降低充電過程中的功率損耗，實現更快速的充電。
3. LED驅動電源：在LED驅動電源中應用肖特基二極管不僅可以提升電源轉換效率，還能減少由LED發光造成的反向電流，保護線路和LED元件的安全。
4. 逆變器電路：MBR20200CTG也在光伏逆變器中得到應用，承擔整流任務，提升光伏發電系統的效率，推動可再生能源的發展。
5. 過壓保護電路：在過電壓保護設計中，MBR20200CTG能夠快速導通，保護后續電路免受過大電壓的損害。
MBR20200CTG的優勢與局限
MBR20200CTG相較于傳統PN結二極管有諸多優勢，例如：
- 工能較小：其較低的正向電壓降使得整體功耗下降，適用于需要高效率的電源系統。 - 開關速度快：其快速的反向恢復特性使得其在高頻應用中仍能夠維持穩定的性能表現。 - 熱穩定性強：能夠在較高的溫度下穩定工作，適合高溫環境。
然而，MBR20200CTG也存在一些局限性，例如：
- 反向電壓限制：其反向電壓限制為20V，因此不適用于高壓應用。 - 輻射損耗：由于肖特基二極管的輻射損耗較大，其在嚴苛的環境下可能存在性能衰減的問題。
未來發展
隨著電子技術的發展，肖特基二極管的市場需求將持續增長。MBR20200CTG作為一種重要的電子器件，其設計和材料的改進將不斷推動其性能的提升。新的材料如寬禁帶半導體（例如氮化鎵）可能逐漸替代傳統硅材料，為肖特基二極管帶來更高的工作效率和更寬廣的應用場景。此外，智能化技術的應用也將推動肖特基二極管在各類新興領域中的應用。
在不斷演進的電子技術背景下，MBR20200CTG將繼續發揮其在開關電源、整流電路和保護電路等多種應用中的重要作用，成為推動現代電子產品效率與可靠性的關鍵器件。
MBR20200CTG
ON(安森美)
SN74CBTLV3257PWR
Burr-Brown(TI)
TMS320C6455BCTZA
TI(德州儀器)
AM26LS31CNSR
NS(國半)
OMAPL138EZWTD4
TI(德州儀器)
ULN2003AIDR
TI(德州儀器)
BC817-25
PanJit(強茂)
L6565DTR
ST(意法)
EPM3032ATC44-10N
ALTERA(阿爾特拉)
XC6SLX16-2CSG324C
XILINX(賽靈思)
MBRS3201T3G
ON(安森美)
AO4407A
AOS(萬代)
APM32F030C8T6
ST(意法)
MCP3208-BI/SL
Microchip(微芯)
P82B715TD
Philips(飛利浦)
NCP1034DR2G
ON(安森美)
TLP521-2GB
ISOCOM COMPONENTS
BSC016N06NS
Infineon(英飛凌)
ADV7391BCPZ
ADI(亞德諾)
THGBMJG6C1LBAU7
KIOXIA(鎧俠)
FP25R12W2T4
Infineon(英飛凌)
REF196GSZ
ADI(亞德諾)
AOD409
Alpha (Taiwan)
AD7626BCPZ
ADI(亞德諾)
DS18B20Z
Maxim(美信)
RTL8364NB-VB-CG
REALTEK(瑞昱)
IPD30N06S2L-23
Infineon(英飛凌)
ADE7912ARIZ
ADI(亞德諾)
DS1302ZN
Dallas (達拉斯)
INA190A3IRSWR
TI(德州儀器)
HMC516LC5
ADI(亞德諾)
S9S12XS128J1CAE
NXP(恩智浦)
LTC4008EGN
LINEAR(凌特)
DVF99195AE3CBC
DSPG（DSP GROUP）
MTFC8GAKAJCN-1M
micron(鎂光)
TMP421AIDCNR
TI(德州儀器)
TPS53318DQPR
TI(德州儀器)
SN74AVC4T245DGVR
TI(德州儀器)
88E6352-A1-TFJ2I000
Marvell(美滿)
SN74HC14PWR
TI(德州儀器)
MBRS410LT3G
ON(安森美)
STM32F777BIT6
ST(意法)
RK3588
RockChip(瑞芯微)
MCP601T-I/OT
MIC(昌福)
L9396
ST(意法)
ADUC842BSZ62-5
ADI(亞德諾)
MT48LC16M16A2P-6AIT:G
micron(鎂光)
MW6S004NT1
Freescale(飛思卡爾)
STM32L476VGT6
ST(意法)
M24C32-WMN6TP
ST(意法)
1SMA5913BT3G
ON(安森美)
TLV2374IDR
TI(德州儀器)
TMS320F28335ZJZS
TI(德州儀器)
TLP250
TOSHIBA(東芝)
STP16CP05XTTR
ST(意法)
1SMA5930BT3G
ON(安森美)
LM5175PWPR
TI(德州儀器)
TS3A5018PWR
TI(德州儀器)
SDINBDG4-8G
Sandisk
STM8S207RBT6
ST(意法)
ADAU1452WBCPZ
ADI(亞德諾)
EP5382QI
ALTERA(阿爾特拉)
OP2177ARMZ
ADI(亞德諾)
SN74LVC4245APW
TI(德州儀器)
RES3TV360
INTEL(英特爾)
MAX13085EESA
Maxim(美信)
SP485EEN
SIPEX(西伯斯)
AD694ARZ
ADI(亞德諾)
TAS5630BDKD
TI(德州儀器)
KSZ9031RNXIC-TR
Micrel(麥瑞)
TLV2371QDBVRQ1
TI(德州儀器)
OPA211AIDR
Burr-Brown(TI)
STMPS2151STR
ST(意法)
EPM3128ATC100-10N
ALTERA(阿爾特拉)
SN74LVC14APWR
TI(德州儀器)
MK64FX512VLL12
NXP(恩智浦)
2N2222A
SK(海力士)
CC2640R2FRGZR
TI(德州儀器)
STM32H747XIH6
ST(意法)
GD32F105RCT6
GD(兆易創新)
RT7272BGSP
RICHTEK(臺灣立锜)
LM5161PWPR
TI(德州儀器)
LDL1117S33R
ST(意法)
AD2S1210WDSTZRL7
ADI(亞德諾)
INA168QDBVRQ1
TI(德州儀器)
CC2540F256RHAR
TI(德州儀器)
PIC10F200T-I/OT
TAIWAN(臺產)
MT47H128M16RT-25EIT:C
micron(鎂光)
SN74AHC1G08QDBVRQ1
TI(德州儀器)
MCP4921-E/SN
MIC(昌福)
BTT6030-2ERA
Infineon(英飛凌)
MC33272ADR2G
ON(安森美)
LM2576S-5.0
NS(國半)
MC14584BDR2G
ON(安森美)
ISO7841DWWR
TI(德州儀器)
EPC2LI20
ALTERA(阿爾特拉)
LTC1859IG#PBF
ADI(亞德諾)
ATTINY1616-MNR
Microchip(微芯)
M41T83SQA6F
ST(意法)
TL431
TI(德州儀器)
LCMXO2-1200HC-4SG32C
Lattice(萊迪斯)
AD822ARMZ
ADI(亞德諾)
STM32F413RGT6
ST(意法)
H26M41204HPR
SK(海力士)
PIC18F458-I/PT
Microchip(微芯)
ATMEGA8A-MU
Microchip(微芯)
MTFC8GAKAJCN-4MIT
TI(德州儀器)
R5F10DGDJFB#X6G
Renesas(瑞薩)
TPS767D301PWP
TI(德州儀器)
TLP187
TOSHIBA(東芝)
ATSAM4S2AA-MU
Microchip(微芯)
