TPS54628DDAR的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid TPS54628DDAR
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1321134278
包裝說明 SOP-8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
風險等級 1.7
Samacsys Description 4.5V to 18V Input, 6-A Synchronous Step-Down Converter with Eco-mode™
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
其他特性 OPERATES IN ADJUSTABLE MODE FROM 0.76V TO 5.5V
模擬集成電路 - 其他類型 SWITCHING REGULATOR
控制模式 VOLTAGE-MODE
控制技術 PULSE WIDTH MODULATION
最大輸入電壓 18 V
最小輸入電壓 4.5 V
標稱輸入電壓 12 V
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e4
長度 4.9 mm
濕度敏感等級 2
功能數量 1
輸出次數 1
端子數量 8
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
最大輸出電流 6 A
最大輸出電壓 5.5 V
最小輸出電壓 0.76 V
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 HLSOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
認證狀態 Not Qualified
座面最大高度 1.7 mm
表面貼裝 YES
切換器配置 BUCK
最大切換頻率 650 kHz
溫度等級 AUTOMOTIVE
端子面層 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子節距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
寬度 3.9 mm

TPS54628DDAR 電源芯片的技術及應用研究

引言

電源管理是現代電子設備中至關重要的一環。隨著消費電子、汽車電子和工業控制等領域的快速發展，對高效、穩定的電源管理解決方案的需求也在不斷增加。TPS54628DDAR是一款由德州儀器（Texas Instruments）推出的降壓型DC-DC轉換器，廣泛應用于多個領域，如數據處理、通訊設備和工業自動化等。本文將對TPS54628DDAR的基本原理、技術參數、應用場景，以及在設計和實現中的一些注意事項進行詳細探討。

TPS54628DDAR 的基本原理

TPS54628DDAR是一款同步降壓型DC-DC轉換器，其主要功能是將高輸入電壓轉換為較低的輸出電壓。這種轉換過程通常涉及到開關調制技術，以提高能量轉換的效率。TPS54628DDAR采用了電壓模式控制架構，具有較好的動態響應和輸出電壓穩定性。

該芯片的工作原理基于占空比控制。通過調節開啟和關閉的時間比，可以控制輸出電壓的大小。在實際應用中，這種方式能夠提供高達96%的轉換效率，顯著降低了系統的能量損耗。TPS54628DDAR的輸入電壓范圍從4.5V到17V，使其能適應多種電源輸入條件。

技術參數特點

1. 輸出電流能力: TPS54628DDAR能夠支持最大12A的輸出電流，適用于高功率的應用需求。其結合了多種保護機制，包括過流保護和熱關斷功能，以確保穩定和安全的操作。

2. 效率: 在負載范圍內，TPS54628DDAR的效率可達到96%。高效率的實現不僅減少了功耗，還降低了熱量的產生，延長了設備的使用壽命。

3. 頻率: 該芯片的開關頻率可設置在300kHz至1.5MHz之間。更加靈活的開關頻率設置，有助于優化電源設計的響應速度和輻射干擾特性。

4. 輸出電壓調整范圍: TPS54628DDAR的輸出電壓可以通過外部電阻進行精確調節，輸出范圍可以從0.8V至5.5V不等，適應了多種應用的需求。

5. 封裝: TPS54628DDAR采用了HTQFP封裝，便于設計集成，適合大規模生產。

應用場景

TPS54628DDAR因其優良的性能，被廣泛應用于多個領域。例如，在數據中心的服務器中，需對各種I/O接口提供穩定的電壓源，TPS54628DDAR能夠滿足這一需求，支持高達12A的輸出。

在汽車電子中，隨著電動汽車和智能車載系統的逐步普及，對電源管理系統的要求也愈加嚴格。TPS54628DDAR的高效轉換能力和良好的 EMI 性能使其有望在這些系統中得到廣泛應用。此外，工業自動化設備中常常需要多個不同電壓的電源，TPS54628DDAR的可調輸出特性使得它成為該類應用的理想選擇。

設計考慮

在實際設計中，TPS54628DDAR的選擇與布局是十分關鍵的。首先，PCB布局設計要盡量減少電源線的長度，以降低電源的阻抗，并提升轉換器的穩定性。在選擇外部元件時，電感和電容的選擇直接影響了轉換器的性能和效率。例如，采用高頻性能良好的電感器可以提升輸出電流能力，并降低紋波電壓。

其次，設計中應考慮到芯片的熱管理。雖然TPS54628DDAR內置熱保護，但是在高負載下，仍需確保有效的散熱設計。可以通過增加散熱器或設計更開闊的 PCB 布局來降低工作溫度，確保芯片在安全范圍內運行。

同時，EMI 設計也是不可忽視的一部分。高頻開關電流可能引起的電磁干擾會對敏感電路造成影響。因此，在設計電流路徑和布局時，需遵循相關的 EMI 設計原則，如使用地平面、減少電流環路面積等。

結論

雖然電源管理在現代電子產品中扮演著極其重要的角色，但TPS54628DDAR電源芯片憑借其高效、靈活的特點，為各種應用提供了優異的解決方案。在設計過程中，合適的布局、元件選擇以及熱管理策略是成功實現高性能電源系統的關鍵。隨著技術的進一步發展，TPS54628DDAR在未來的電子產品中將繼續發揮重要作用，為行業的進步和創新做出貢獻。

TPS54628DDAR TI(德州儀器)
LPC1857FET256 NXP(恩智浦)
SN74LVC1G06DCKR TI(德州儀器)
SI2323DS-T1-E3 GC
UCC27511DBVR TI(德州儀器)
SN74CBTLV3126PWR TI(德州儀器)
MAX8556ETE+T Maxim(美信)
LM2941T/NOPB NS(國半)
NTD5865NLT4G ON(安森美)
ADG704BRMZ-REEL7 ADI(亞德諾)
EPM7064STI44-7N ALTERA(阿爾特拉)
SN74HC573NSR TI(德州儀器)
TPS56121DQPR TI(德州儀器)
IRF7351TRPBF IR(國際整流器)
LC4064V-75TN48C Lattice(萊迪斯)
THVD1410DR TI(德州儀器)
TLV9001IDPWR TI(德州儀器)
SGTL5000XNAA3R2 Freescale(飛思卡爾)
HMC349ALP4CETR Hittite Microwave
TLV62084DSGR TI(德州儀器)
NVF2955T1G ON(安森美)
MAX999EUK+T Maxim(美信)
MLX91205KDC-AAL-003-RE Melexis(邁來芯)
STM32H730ZBT6 ST(意法)
STBB1-APUR ST(意法)
INA180A1IDBVR TI(德州儀器)
MCP7940NT-I/SN Microchip(微芯)
NCN5120MNTWG ON(安森美)
ADM706SARZ-REEL ADI(亞德諾)
BD139 Fairchild(飛兆/仙童)
HSMS-2812-TR1G Avago(安華高)
VN7040ASTR ST(意法)
PC817B COSMO(冠西)
MB10S 中性
AD8429BRZ ADI(亞德諾)
SPC560P40L1CEFBR ST(意法)
TMS320VC5509AZHH TI(德州儀器)
HMC516 ADI(亞德諾)
TPS549B22RVFR TI(德州儀器)
C8051F380-GQR SILICON LABS(芯科)
H11L1M ON(安森美)
KSZ8081MNXCA-TR Micrel(麥瑞)
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 Fujitsu(富士通)
MP2144GJ-Z MPS(美國芯源)
B320A-13-F Diodes(美臺)
OPA189IDBVR TI(德州儀器)
ST25R3916-AQWT ST(意法)
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C micron(鎂光)
TPS65070RSLR TI(德州儀器)
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A micron(鎂光)
MUR3020WTG ON(安森美)
GD32F305VET6 GD(兆易創新)
2SK3018 中性
FQD16N25CTM Freescale(飛思卡爾)
L293D TI(德州儀器)
NB680GD-Z MPS(美國芯源)
PCT2075DP NXP(恩智浦)
STH12N120K5-2 ST(意法)
ATA6561-GAQW Microchip(微芯)
GTL2014PW Philips(飛利浦)
ALC5616-CGT REALTEK(瑞昱)
CA3140EZ Intersil(英特矽爾)
MC14541BDR2G ON(安森美)
PIC18F8720-I/PT Microchip(微芯)
S9S12G128AMLHR NXP(恩智浦)
MAX96752FGTN/V+T Maxim(美信)
AONR21357 AOS(萬代)
ACSL-6400-00TE Avago(安華高)
IRF7317TRPBF IR(國際整流器)
MPXV5010GP NXP(恩智浦)
CC110LRGPR TI(德州儀器)
CD4066BE TI(德州儀器)
SI7115DN-T1-GE3 Vishay(威世)
ATECC608A-MAHDA-S Microchip(微芯)
GD32F407ZGT6 GD(兆易創新)
STPS5H100BY-TR ST(意法)
PCF85063AT/AY NXP(恩智浦)
MK21FN1M0AVMC12 Freescale(飛思卡爾)
SI2307BDS-T1-E3 Vishay(威世)
5M2210ZF324C5N INTEL(英特爾)
IRFP260MPBF IR(國際整流器)
TL082CDT ST(意法)
ADS7953SBDBTR TI(德州儀器)
L9333MD ST(意法)
LP5907QMFX-3.3Q1 TI(德州儀器)
TPS75733KTTR TI(德州儀器)
AD7606C-18BSTZ ADI(亞德諾)
EP2C+ Mini-Circuits
MCP6541T-I/LT Microchip(微芯)
PCA9555APW NXP(恩智浦)
SN65LVDS31DR TI(德州儀器)
THVD1520DR TI(德州儀器)
ZXCT1107SA-7 Diodes(美臺)
W29N02GVSIAA WINBOND(華邦)
24LC1025-I/SM MIC(昌福)
CJ431 CJ(江蘇長電/長晶)
PBSS4140T Nexperia(安世)
STM32L152VCT6 ST(意法)
ATMEGA162V-8AU Microchip(微芯)
EG2131 Egmicro(屹晶微)
IRFH7440TRPBF Infineon(英飛凌)
M25P16-VMW6TG ST(意法)
STM32L452RET6 ST(意法)
XCKU085-2FLVA1517E XILINX(賽靈思)