IRFR5410TRPBF的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
IRFR5410TRPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
8006012226
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China, USA
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks 3 days
風險等級
0.57
Samacsys Description
Infineon IRFR5410TRPBF P-channel MOSFET, 13 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-252AA
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-07-07 09:20:34
YTEOL
5.6
其他特性
HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas）
194 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
100 V
最大漏極電流 (ID)
13 A
最大漏源導通電阻
0.205 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252AA
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
1
端子數量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
66 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
52 A
認證狀態
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRFR5410TRPBF 場效應管的特性及應用研究
引言
場效應管（Field Effect Transistor，FET）是一種半導體器件，在現代電子電路中發揮著重要作用。與傳統的雙極型晶體管相比，場效應管憑借其高輸入阻抗、低功耗和良好的熱穩定性，成為了許多電子設備的關鍵組成部分。IRFR5410TRPBF 作為一種特定型號的場效應管，因其優異的性能和廣泛的應用領域而受到關注。本文將對 IRFR5410TRPBF 的工作原理、特性參數、應用實例及其在未來電路設計中的潛力進行詳細探討。
IRFR5410TRPBF 的基本工作原理
IRFR5410TRPBF 是一種N溝道增強型場效應管，它的基本工作原理主要依賴于電場對半導體材料中載流子的調控。在其結構中，N型區域中富含電子，而P型區域則富含空穴。當外加電壓使得柵極電壓超出一定閾值時，N型溝道中的電子數量會顯著增加，從而形成一個可以調節的導電通道。這一過程稱為電場效應。
具體而言，當源極與漏極之間施加了反向電壓時，若柵極施加的正電壓超出門限電壓，電子便會在N型區域與P型區域之間形成導電通道，使得泄漏電流得以流動。這種特性使得 IRFR5410TRPBF 能夠在開關電源、放大器和其他電子設備中有效運作。
主要電氣特性
IRFR5410TRPBF 具有一系列優異的電氣特性，使其在不同應用領域中具有廣泛的適用性。首先，該器件的最大漏極源極電壓為100V，確保了其可在高壓環境中可靠運行。其次，其連續漏極電流為33A，保證了在較大功率輸出下仍能保持良好的性能。
在開關特性方面，IRFR5410TRPBF 的開關速度非常快，具有良好的頻響特性。因此，在高頻應用中，能夠有效降低開關損耗。同時，該器件的輸入電容較低，使得它在驅動其它電路時能夠快速響應。
熱特性方面，IRFR5410TRPBF 的結溫范圍為-55°C至+150°C，顯著提升了其在苛刻環境下的穩定性與耐用性。此外，優良的熱導性能進一步提升了其散熱能力，適合高功率應用需求。
應用領域
IRFR5410TRPBF 的多種特性使其在多個領域得到了廣泛的應用。在開關電源中，IRFR5410TRPBF 常被用作高效開關元件，能夠有效降低能耗，提高工作效率。在直流-直流轉換器中，其快速的開關特性和耐高壓能力，確保了電源的穩定性和可靠性。
此外，該器件在電機控制、LED驅動和音頻功率放大器等領域也得到了廣泛的應用。在電機控制中，利用 IRFR5410TRPBF 的低導通電阻特性，可以有效降低溫升和功率損耗，提高電機的效率。在音頻功率放大器中，它能夠提供高增益和低失真，確保信號的高保真率。
發展趨勢與前景
隨著科學技術的不斷進步與發展，電子器件的性能也在不斷提升。IRFR5410TRPBF 作為一種主流的場效應管，其未來的發展趨勢主要體現在幾個方面。首先，隨著對能效的關注度日益加深，更高效的電源管理需求將促進 IRFR5410TRPBF 等器件的研發。
其次，針對高頻應用，IRFR5410TRPBF 的進一步優化將是未來的一個研究重點。提升開關頻率與降低開關損耗將有助于實現更小型化和輕量化的電子產品。此外，隨著智能化技術的快速發展，IRFR5410TRPBF 在物聯網（IoT）和自動化控制領域的應用前景將更加廣闊。
最后，不斷提升的制造工藝水平也將為 IRFR5410TRPBF 的性能提升提供新的可能。隨著納米技術的發展，晶體管尺寸的縮小將使得該器件的性能進一步提高, 滿足未來電子設備對高效能和高集成度的需求。
通過對 IRFR5410TRPBF 的特性及應用進行深入分析，可以看出其在現代電子工程中不可或缺的地位和廣泛的應用潛力。在未來的技術發展中，繼續推進對該器件性能的研究和應用，將為電力行業及相關技術的進步作出重要貢獻。
IRFR5410TRPBF
IR(國際整流器)
MT25QL128ABA1EW7-0SIT
micron(鎂光)
AT89C5131A-RDTUM
Atmel(愛特梅爾)
ATSAME70Q21A-AN
Microchip(微芯)
STM32L151CCT6
ST(意法)
TJA1044GT/3Z
NXP(恩智浦)
EPM7128STC100-15N
ALTERA(阿爾特拉)
PESD5V0L1BA
Nexperia(安世)
GD32F107VCT6
GD(兆易創新)
TLIN1021ADRQ1
TI(德州儀器)
TLV320AIC3101IRHBR
TI(德州儀器)
10CL120YF484I7G
XILINX(賽靈思)
VL53L1CXV0FY/1
ST(意法)
AT32F415CBT7
Atmel(愛特梅爾)
TLV2333IDGKR
TI(德州儀器)
TPS53314RGFR
TI(德州儀器)
BCM56160B0KFSBG
Broadcom(博通)
ESP32-PICO-D4
ESPRESSIF 樂鑫
D44H11G
ON(安森美)
MC33204DR2G
ON(安森美)
CC2592RGVR
TI(德州儀器)
KSZ8721BL
Microchip(微芯)
FQD13N10LTM
Fairchild(飛兆/仙童)
MP3202DJ-LF-Z
MPS(美國芯源)
PIC18F46K22-I/P
Microchip(微芯)
STM32F765IIT7
ST(意法)
TNY276PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ADUM5411BRSZ
ADI(亞德諾)
FR9888SPGTR
FITIPOWER(天鈺科技)
MPC8548ECVJAUJD
NXP(恩智浦)
TPS61170QDRVRQ1
TI(德州儀器)
74HCT04D
NXP(恩智浦)
FT245BL
FTDI(飛特帝亞)
W25Q32JVZPIQ
WINBOND(華邦)
FDD120AN15A0
ON(安森美)
AT24C02N-10SU-2.7
Atmel(愛特梅爾)
GD32F450ZGT6
GD(兆易創新)
MK10DX128VLH5
NXP(恩智浦)
MP2482DN-LF-Z
MPS(美國芯源)
TUSB3410IVF
TI(德州儀器)
MBT3906DW1T1G
LRC(樂山無線電)
NCP1203D60R2G
ON(安森美)
INA2132UA
TI(德州儀器)
HMC441LC3B
ADI(亞德諾)
AD8231ACPZ
ADI(亞德諾)
K4F8E3S4HD-MGCL
SAMSUNG(三星)
ESP-WROOM-02D
ESPRESSIF 樂鑫
A3P060-VQG100
Microsemi(美高森美)
MC56F8357VPYE
Freescale(飛思卡爾)
MCIMX285AVM4B
Freescale(飛思卡爾)
ADR01ARZ
ADI(亞德諾)
FQB55N10TM
ON(安森美)
MAX9288GTM/V+T
Maxim(美信)
MIMXRT1051CVJ5B
NXP(恩智浦)
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice(萊迪斯)
OPA656U
Burr-Brown(TI)
STM32L072RBT6
ST(意法)
PIC12F1501-E/SN
MIC(昌福)
SN74LVC1G08DCKT
TI(德州儀器)
TW8819-NA2-CRT
Renesas(瑞薩)
LM337T
TI(德州儀器)
MC33771BTA1AE
Freescale(飛思卡爾)
LMC555CMX
NS(國半)
AD8532ARZ
ADI(亞德諾)
AP0101AT2L00XPGA0-DR
ON(安森美)
STM32F103ZDT6
ST(意法)
LM2575SX-ADJ
NS(國半)
LM2673SX-ADJ
NS(國半)
TLV320AIC32IRHB
TI(德州儀器)
ADP123AUJZ
ADI(亞德諾)
ADP150AUJZ-3.3
ADI(亞德諾)
ADS1248
TI(德州儀器)
AR0132AT6C00XPEA0-VA-DPBR
BCM84848A1KFSBLG
Broadcom(博通)
FS32K118LAT0MLF
LM3478QMM
TI(德州儀器)
MP2359DJ
MPS(美國芯源)
STTH2R06S
ST(意法)
STWA12N120K5
ST(意法)
TPS386000RGPR
TI(德州儀器)
INA121U/2K5
TI(德州儀器)
TLV3701IDBVR
TI(德州儀器)
5M80ZE64C5N
ALTERA(阿爾特拉)
NRF52833-QIAA-R
NORDIC
DRV8872DDAR
TI(德州儀器)
M95512-WMN6TP
ST(意法)
ADP-2-1W+
Mini-Circuits
REF5025AIDGKR
TI(德州儀器)
PIC16F886-I/SP
MIC(昌福)
FDC658AP
Freescale(飛思卡爾)
TMS320F28377SPZPT
TI(德州儀器)
BAV99WT1G
ON(安森美)
BCM5241A1IMLG
Broadcom(博通)
25LC256-I/SN
Microchip(微芯)
HCPL-7800A-500E
ALLEGRO(美國埃戈羅)
UA78L05AIPK
TI(德州儀器)
TPS63802DLAR
TI(德州儀器)
VN750PTTR-E
ST(意法)
L9637D013TR
ST(意法)
UC3525ADWTR
TI(德州儀器)
ULN2003LVPWR
TI(德州儀器)
AUIR3313STRL
Infineon(英飛凌)
NCP1117LPST33T3G
ON(安森美)
TLC6C5912QPWRQ1
TI(德州儀器)
LMBT3904LT1G
LRC(樂山無線電)
LAN9303I-ABZJ
smsc
TAS6424EQDKQRQ1
TI(德州儀器)
LNK304PN
Raspberry Pi
LD1117S50CTR
ST(意法)
PIC16F720-I/SS
Microchip(微芯)
AT45DB041D-SU
Atmel(愛特梅爾)
VN340SPTR-E
ST(意法)
10M04DAU324C8G
ALTERA(阿爾特拉)
24LC02BT-I/OT
Microchip(微芯)
APM32F103RCT6
APM
XC6SLX9-2CSG324C
XILINX(賽靈思)
IRFP4868PBF
Infineon(英飛凌)
EN5336QI
ALTERA(阿爾特拉)
PCF8563T/F4
NXP(恩智浦)
STM32F411VET6
ST(意法)
XC2S200-5PQG208C
XILINX(賽靈思)
EFM8BB21F16G-C-QFN20R
SILICON LABS(芯科)
UC3846DWTR
TI(德州儀器)
TLV431ACDBZR
TI(德州儀器)
XC7Z035-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
STM32F469ZIT6
ST(意法)
TMP468AIRGTR
TI(德州儀器)
INA210AIDCKR
TI(德州儀器)
PEX8606-BA50BIG
PLX
ACT8846QM490-T
ACTIVE-SEMI
88E6095-A3-TAH1C000
Marvell(美滿)
ESP-WROOM-02
ESPRESSIF 樂鑫
