LMV324IDR的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid LMV324IDR
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1504655627
零件包裝代碼 SOIC
包裝說明 GREEN, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14
針數 14
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China, Malaysia, Mexico
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.33.00.01
風險等級 0.49
Samacsys Description Quad Low-Voltage Rail-to-Rail Output Operational Amplifier – see LMV324A for upgraded version
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
放大器類型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架構 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置電流 (IIB) 0.25 µA
25C 時的最大偏置電流 (IIB) 0.25 µA
最小共模抑制比 50 dB
標稱共模抑制比 65 dB
頻率補償 YES
最大輸入失調電流 (IIO) 0.05 µA
最大輸入失調電壓 7000 µV
JESD-30 代碼 R-PDSO-G14
JESD-609代碼 e4
長度 8.65 mm
低-偏置 NO
低-失調 NO
微功率 YES
濕度敏感等級 1
功能數量 4
端子數量 14
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP14,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
包裝方法 TR
峰值回流溫度（攝氏度） 260
功率 NO
可編程功率 NO
認證狀態 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
標稱壓擺率 1 V/us
子類別 Operational Amplifier
最大壓擺率 0.832 mA
供電電壓上限 5.5 V
標稱供電電壓 (Vsup) 2.7 V
表面貼裝 YES
技術 BIPOLAR
溫度等級 AUTOMOTIVE
端子面層 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子節距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
標稱均一增益帶寬 1000 kHz
最小電壓增益 10000
寬帶 NO
寬度 3.9 mm

LMV324IDR運算放大器及其應用研究

引言

運算放大器是現代電子電路中不可或缺的基礎元件之一，其廣泛應用于信號處理、控制系統、信號放大和調制解調等領域。在眾多運算放大器型號中，LMV324IDR作為一種低功耗、低噪聲的四路運算放大器，因其獨特的性能優勢而受到廣泛關注和應用。本文將深入探討LMV324IDR的結構特點、性能參數、應用場景及其在實際電路設計中的重要性。

LMV324IDR的基本結構與特性

LMV324IDR是一種集成四個獨立的運算放大器于一體的芯片，其內部結構采用了現代CMOS工藝，具有低功耗和高輸入阻抗的優點。LMV324的電源電壓范圍為2.7V至5.5V，適合用于電池供電的便攜式設備中，其電流消耗僅為幾百微安。這一特性使得LMV324IDR在移動設備和低功耗應用中尤為重要。

LMV324的輸入偏置電流非常低，通常在數個皮安的量級，在信號處理過程中能夠有效減少因偏置電流引起的誤差和干擾。此外，其共模輸入電壓范圍寬，可涉及到接近供電電壓的范圍，從而在多種應用中確保信號的完整性。這些特性使得LMV324IDR成為音頻放大、傳感器信號調理以及模擬信號處理等領域的理想選擇。

性能指標分析

在選擇運算放大器進行電路設計時，了解其關鍵性能指標至關重要。LMV324IDR的主要性能參數包括增益帶寬積、輸入失調電壓、輸出短路電流、總諧波失真等。

1. 增益帶寬積（GBP）：LMV324IDR的增益帶寬積為1MHz，這意味著在高增益設置下，其頻率響應會有所限制。因此，在設計交流放大電路時，設計師需要考慮到增益與頻率之間的權衡，以確保所需的信號帶寬能夠滿足應用需求。

2. 輸入失調電壓：LMV324IDR的輸入失調電壓通常在幾毫伏的范圍，這是一個非常重要的參數，在高精度的測量系統中，輸入失調電壓的存在會直接導致輸出信號的誤差。因此，在設計高精度信號處理電路時，可能需要采取措施來校正這種失調。

3. 輸出短路電流：LMV324IDR具有較高的輸出驅動能力，能夠提供較大的負載電流，通常能夠達到幾十毫安。這一點在驅動重負載的應用中尤為重要，能夠確保輸出信號強度足以滿足后續電路的需求。

4. 總諧波失真（THD）：LMV324的THD在小信號下非常低，這使得它在音頻應用中表現出色。音頻信號處理要求低失真特性，LMV324的性能特征使其能夠保證音頻信號的真實性。

LMV324IDR在實際電路中的應用

基于其優越的性能指標和廣泛的適用性，LMV324IDR在多個領域得到了應用。首先，在音頻設備中，LMV324可以作為前置放大器或音頻處理模塊，能夠有效提升信號強度，同時保持較低的噪聲水平。在此類應用中，設計師通常會結合其增益帶寬特性來配置反饋網絡，以實現所需的增益和頻率響應。

其次，在傳感器信號處理方面，LMV324的高輸入阻抗和低輸入偏置特性使其非常適合用于測量微弱信號的應用。例如，在溫度、壓力和光照傳感器的應用中，LMV324可以有效放大傳感器輸出的微小信號，確保在后續電路中可以準確處理。

此外，LMV324IDR也被廣泛用于信號調制與解調電路中，尤其是在無線通信領域。其具有超寬輸入共模范圍的特性，使其能適應各種信號源的變化，保證信號的穩定傳輸。

在濾波器設計中，LMV324的多路特性允許設計師在一個IC內部實現多種濾波功能，從而節省電路板空間并降低系統成本。利用其作為主干結構，可以設計出各種一階和二階濾波器，為后續信號處理提供更加干凈的信號。

電路設計中的注意事項

在使用LMV324IDR進行電路設計時，設計者需要注意幾個關鍵因素。首先，確保適當選擇電源電壓，雖然LMV324可以在2.7V至5.5V范圍內工作，但為確保最佳性能，應盡量在其推薦工作電壓下運行。其次，合理選擇反饋電阻和輸入電阻，以確保在目標頻率下獲得所需增益，而不產生過多的增益誤差或相位延遲。

另外，設計時應盡量避免在高頻下操作，以減少由于增益帶寬限制引起的信號失真。同時，在PCB布局中，應盡量減少信號路徑和避免干擾，確保高質量信號的傳輸。

LMV324IDR的多功能和高性能使其成為現代電子設計中的重要組成部分，對于諸多電子應用的實現與發展具有重要意義。

LMV324IDR TI(德州儀器)
TMS320F28075PTPT TI(德州儀器)
FGH60N60SMD ON(安森美)
UC3843BD1013TR ST(意法)
EP4CE30F23C7N ALTERA(阿爾特拉)
KSZ8463RLI Microchip(微芯)
FS32K144HAT0MLHR NXP(恩智浦)
MKE02Z64VLC4 Freescale(飛思卡爾)
MAX232CSE Maxim(美信)
STM32F769BIT6 ST(意法)
LTM4622IY#PBF ADI(亞德諾)
AT45DB321E-SHF-T ADESTO(領迎)
VN5T006ASPTR-E ST(意法)
PIC12F675-I/P Microchip(微芯)
TMS320VC5502PGF300 TI(德州儀器)
W25Q256JVFIQ WINBOND(華邦)
PCA9685PW NXP(恩智浦)
MT41K128M16JT-125 micron(鎂光)
SCTH40N120G2V7AG ST(意法)
DP83848IVVX NS(國半)
INA128UA/2K5 TI(德州儀器)
1N4148W-7-F Diodes(美臺)
VN808TR-E ST(意法)
STM32F746BGT6 ST(意法)
BC847C Diodes(美臺)
TLV73333PDBVR TI(德州儀器)
LM2675MX-ADJ NS(國半)
LM2678SX-ADJ TI(德州儀器)
AD7193BRUZ ADI(亞德諾)
SN74LVC1G07DCKR TI(德州儀器)
SM712.TCT TASUND(泰盛達)
EP3C40F484I7N ALTERA(阿爾特拉)
HI-1573PSI Holt Integrated Circuits Inc.
MBR2H200SFT1G ON(安森美)
SPW47N60C3 Infineon(英飛凌)
MJD122T4G ON(安森美)
LPC1768FBD100K NXP(恩智浦)
MCP2515T-I/SO Microchip(微芯)
STM32F401RET6 ST(意法)
S912ZVCA96F0MLF NXP(恩智浦)
LSM6DS3TR ST(意法)
EN5311QI Echelon Corporation
PCF8563T Philips(飛利浦)
ADIS16470AMLZ ADI(亞德諾)
AD823ARZ TI(德州儀器)
ADXL345BCCZ-RL7 ADI(亞德諾)
TPS53319DQPR TI(德州儀器)
PGA281AIPWR TI(德州儀器)
MCP73831T-2ACI/OT Microchip(微芯)
DAC8760IPWPR TI(德州儀器)
AD698APZ ADI(亞德諾)
ATMEGA328PB-MU Microchip(微芯)
ADSP-BF537BBCZ-5A ADI(亞德諾)
TLV70033DDCR TI(德州儀器)
SN74LVC1G125DCKR TI(德州儀器)
AT27C256R-70PU Atmel(愛特梅爾)
TP8485E-SR 3PEAK(思瑞浦)
AT89C51ED2-RLTUM Atmel(愛特梅爾)
SRV05-4.TCT TASUND(泰盛達)
AT91SAM7X512B-AU Microchip(微芯)
BQ7694003DBTR TI(德州儀器)
TL431BIDBZR Nexperia(安世)
ATF1504AS-10JU44 Microchip(微芯)
ATMEGA324PA-AU Atmel(愛特梅爾)
RI-TRP-DR2B-40 TI(德州儀器)
AS179-92LF Skyworks(思佳訊)
MCIMX6U5DVM10AC NXP(恩智浦)
AD8361ARMZ ADI(亞德諾)
FAN6208MY ON(安森美)
MIC2017YM6 Microchip(微芯)
LM1117IMPX-3.3/NOPB NS(國半)
REF3012AIDBZR TI(德州儀器)
TPS62140RGTR TI(德州儀器)
MMSD4148T1G ON(安森美)
DRV8825PWPR TI(德州儀器)
AO3400A AOS(萬代)
STW15NK90Z ST(意法)
HFBR-2412TZ Avago(安華高)
RTL8211FI-CG REALTEK(瑞昱)
SPF5043Z Qorvo(威訊聯合)
ATMEGA16-16AU Microchip(微芯)
AD210BN ADI(亞德諾)
MCIMX6D5EYM10AD NXP(恩智浦)
AD8310ARMZ ADI(亞德諾)
FS32K142HFT0VLHT NXP(恩智浦)
LM2675MX-ADJ/NOPB NS(國半)
EPM3064ATI44-10N ALTERA(阿爾特拉)
USB3320C-EZK-TR Microchip(微芯)
BMI160 Bosch(博世)
MP2161GJ-Z MPS(美國芯源)
STM32L431CCT6 ST(意法)
LM2576SX-5.0 NS(國半)
TLV70450DBVR TI(德州儀器)
KSZ8863RLLI Micrel(麥瑞)
STM32F405ZGT6 ST(意法)
TPS63030DSKR TI(德州儀器)
LMR33630CQRNXRQ1 TI(德州儀器)
IRF540NSTRLPBF IR(國際整流器)
MKV58F1M0VLQ24 Freescale(飛思卡爾)
DAC7714U Burr-Brown(TI)
LM2675M-5.0 TI(德州儀器)
S9S12G64AMLF NXP(恩智浦)
CA-IS3760HW
AD8605ARTZ-REEL7 ADI(亞德諾)
TPS92611QDGNRQ1 TI(德州儀器)
ADAU1701JSTZ-RL ADI(亞德諾)
INA219AIDR TI(德州儀器)
STM32F103C6T6A ST(意法)
MBRS2040LT3G ON(安森美)
XC6SLX45-2FGG484I XILINX(賽靈思)
LM258DT TI(德州儀器)