標準包裝 90
類別 集成電路 (IC)
家庭 嵌入式 - 微控制器，
系列 STM32 F1
包裝 托盤
核心處理器 ARM® Cortex™-M3
核心尺寸 32-位
速度 72MHz
連接性 CAN， 以太網， I²C， IrDA， LIN， SPI， UART/USART， USB OTG
外設 DMA，POR，PWM，電壓檢測，WDT
I/O 數 80
程序存儲容量 256KB（256K x 8）
程序存儲器類型 閃存
EEPROM 容量 -
RAM 容量 64K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd) 2 V ~ 3.6 V
數據轉換器 A/D 16x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型 內部
工作溫度 -40°C ~ 85°C
封裝/外殼 100-LQFP
英飛凌科技（Infineon Technologies）推出專為UHF TV 廣播發射器設計的50V LDMOS 電晶體，其中包括一款為市面上針對該應用提供最高功率峰值輸出的產品。在整個470 - 806 MHz TV 廣播頻帶提供更高的功率輸出，讓放大器設計人員可選擇使用更少的電晶體達成目標輸出功率，進而減少組件數量降低成本，并以更簡單的設計提升可靠性。
英飛凌新型射頻功率電晶體瞄準UHF TV功率放大器設計
高功率PTVA047002EV 擁有135W 的平均額定功率輸出及DVB-T（8k OFDM）信號，比市面上的其他產品高出8%，并具備17.5dB 增益。對12KW 的廣播放大器設計而言，提升功率最多可減少20 個射頻功率電晶體，因此能夠大幅降低總體系統成本，同時以更簡單、組件數更少的設計提升可靠性。功率較低的PTVA042502EC 和PTVA042502FC 電晶體提供55W 的平均輸出功率及18.5dB 增益和DVB-T（8k OFDM）信號，非常適合補隙站（gap fillers）等應用。
絕佳的效率（在500MHz 時一般為26%）可減少熱能輸出，再加上英飛凌的50V LDMOS 技術，讓封裝享有低熱阻特性（Rth 攝氏0.20 度/ 瓦），因此能夠提供更出色的散熱管理及更精巧的散熱片設計，進一步降低成本及提升可靠性。
所有英飛凌50V LDMOS 電晶體的其他重要共同特色包括高耐用度（能夠承受10:1 VSWR 不匹配負載及3dB 輸入過度驅動）、寬廣的閘極源極電壓范圍（-6V 至12V）及整合式ESD 保護。
PTVA047002EV 將采用具有耳式凸緣STM32F107VCT6（eared flanged）的開放腔式（open cavity）275 型封裝，而PTVA042502EC 及PTVA042502FC 則將分別采用具有耳式凸緣及無耳式凸緣的開放腔式248 型封裝。
目前已提供新UHF TV 廣播功率電晶體的工程樣品，而PTVA042502EC 及PTVA042502FC 將于本季開始量產。PTVA047002EV 則預計于2014 年第一季開始量產。此外也提供完整的參考設計/ 評估板套件，包括Gerber 檔案及相關文件。
