HY5-P測量 Current
HY5-P原邊理論值 5A
HY5-P精度 : 1 %
HY5-P封裝 : -
HY5-P測量范圍 15 A
HY5-P供電電壓 12 - 15
HY5-P供電電壓類型 Bipolar
HY5-P副邊信號
4 V
12月12日，工業和信息化部軟件與集成電路促進中心（簡稱CSIP）主任邱善勤發布報告預測：到2017年20nm、16nm及以下的先進工藝將成為主流，這對我們設計業、制造業是一個很大的啟示：我們怎么樣適應全球先進工藝。
當天，由CSIP、南京市經信委等共同舉辦的2013年中國集成電路產業促進大會在南京隆重召開，邱善勤在致辭中作出上述預測。
邱善勤說：過去幾年，我們比較先進的工藝還是保持在60nm、45nm，但是從2013年開始，28nm、32nm成為主流的先進工藝，特別是28nm，將每年保持高增長的態勢。邱善勤預測：32nm、20nm是過渡型工藝，不是主流，到2017年20nm、16nm及以下的先進工藝將成為主流。
邱善勤預測：TSV（硅通孔封裝）預計從2014年開始要有大的采用，TSV是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通,實現芯片之間互連的最新技術。這意味著一種新的工藝大量采用的情況下，芯片的集成度會越來越高，成本將逐漸下降。預計到2017年TSV將逐年加速增長，這一趨勢的一個很大的啟示：未來芯片將隨著線寬越來越細，集成度越來越高。
邱善勤預測：2013年上半年呈下降趨勢，但到了下半年明顯增長，預示著明后年行業高速增長。2014年將趨于穩定，預計2012-2017年整個行業設備采購支出的年增長率將達到5%左右，與整個行業的增長率（預測亦為5%）是一致性的。
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