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4G牌照的發放為業界帶來一片光明。發牌既標志著4G新時代的開篇，也是我國在3G時代技術積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的芯片廠商，或將在新的時間節點下完成新的“使命必達”。

邁向新制程

隨著TD-LTE產業成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進。

全產業鏈的相對成熟是4G發牌時必需的考量，雖然在芯片環節還受限于多模多頻的挑戰，但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關鍵。大唐電信集團董事長真才基就對《中國電子報》記者表示，從芯片角度來看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國際的28nm技術已經成熟，能夠與4G發展的要求相匹配。希望中國4G終端芯片能夠較長時間穩定在28nm工藝上發展，因其產業化平臺越長，對提高終端供給能力越有好處。

在3G時代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發展。但隨著TD—LTE時代的到來，隨著多模多頻基帶以及平臺芯片復雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，如果說TD-LTD芯片的發展要汲取教訓的話，那顯然28nm制程將成為未來芯片廠商采取的主要技術。

聯芯科技副總裁劉積堂也強調，對于TD-LTE芯片市場來說，在產業發展初期，基于40nm工藝芯片的數據類終端可以滿足TD-LTE應用需求。隨著TD-LTE產業成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進，以提供更佳的用戶體驗。聯芯正在研發的四核五模十頻TD-LTE芯片預計年底推出，將采用28nm工藝。

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