品牌:IR國際整流器
類別:分離式半導體產品
家庭:FET - 陣列
系列:HEXFET®
FET 型:2 個 N 溝道(雙)
FET 特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:10A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13.4 毫歐 @ 10A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.55V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs:11nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds:960pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:管件
標準包裝:95
數量:29800
單價:面議
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