品牌：IR/國際整流器
類別：分離式半導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
漏極至源極電壓(Vdss)：150V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：51A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：32 毫歐 @ 36A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：89nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds：2770pF @ 25V
功率 - 最大：3.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：D2PAK
包裝：管件
標準包裝：50
批號：2013+
數量：8000
單價：面議
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