制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: Transistors
RoHS: 詳細信息
配置: Single
晶體管極性: PNP
集電極—基極電壓 VCBO: - 60 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO: - 50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: - 5 V
最大直流電集電極電流: 3 A
增益帶寬產品fT: 70 MHz
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK
商標: ROHM Semiconductor
集電極連續電流: - 3 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 82
直流電流增益 hFE 最大值: 390
最大功率耗散: 1 W
最小工作溫度: - 55 C
封裝: Reel
工廠包裝數量: 2500
供應分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT >2SB1184TLQ
發布時間:2014/7/3 9:44:00 訪問次數:403 發布企業:深圳市金嘉銳電子有限公司
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