采用互補金屬一氧化物一半導體結構的COMS固體攝像器件是早期開發的一類光電成像器件。FW82801AA基于COMS工藝的COMS圖像傳感器較CCD具有可在芯片上進行系統集成、隨機讀取和低功耗、低成本等潛在的優勢。最早出現的COMS攝像器件是無源像素PPS( Passive Pixel Sensors)，但受到低靈敏度、高噪聲等困擾。隨著COMS技術和制造工藝技術的進展，通過改進結構，采用PG( Photo Gate)、PD( Photo  Diode)像素結構和相關雙采樣CDS( Correlated Double Sampling)、雙A采樣DDS( Double Delta Sampling)技術，特別是采用固定圖像噪聲消除電路等，使得CMOS傳感器在低端成像系統中得到了廣泛應用，事實上目前它已成為CCD成像器件的一個有力的競爭者。

   CMOS圖像傳感器至今已發展了兩代：第一代為CMOS無源像素傳感器(CMOS -PPS)；第二代為CMOS有漯像素傳感器(CMOS - APS)。其中CMOS - APS發展最快，已由最初的幾萬像元、幾十萬像元發展至今的百萬像元( 1280×1024；2048×2048)乃至上千萬像元(4096 x4096)的CMOS圖像傳感器。現在CMOS技術在兩個前沿獲得突破：用于計算機和手提電話的低檔產品和超高速、大規模的高檔產品。從根本上說，考慮到視頻速率下的讀出噪聲和靈敏度問題，CMOS圖像傳感器比CCD技術更有優勢，有著更低的

瞬態噪聲，而且這個優勢隨著像素數目的增大而更加明顯。最設計的高速CMOS - APS能實現2368×1728分辨率下的240幀／s的幀速和1280 x1024下的600幀／s的幀速。

   CMOS成功的關鍵是低能源消耗、片內集成以及較CCD更低的成本，用CMOS圖像傳感器開發的數碼相機、微型和超微型攝像機已大批量進入市場。