近年來，AT89C2051-24PI隨著納米技術的不斷發展，納米結構與光學相關的特性被不斷探索開發出來。例如，美國ICx Photonics公司在微米量級的金屬輻射層上利用表面粗糙化技術研制出了小體積、低功耗、高輻射率的PulsIR@ MEMS紅外光源[54]，如圖8-2所示。瑞士Leister公司也研制了集成鉑黑納米結構的MEMS紅外光源55，

通過在半導體薄膜表面上沉積鉑黑材料，使光源在2~ 14 p.m波段內的輻射強度達到90 010，如圖8-3所示。2008年，荷蘭代爾夫特理工大學的J．F．Creemer等人研制出了以TiN納米薄膜材料作為發熱層的MEMS紅外光源[56]，TiN不僅有良好的耐高溫特性，而且與CMOS工藝兼容，降低了制造成本。另外，美國In-tex公司于201 1年通過等離子體增強型化學氣相沉積(PECVD)方法在光源表面沉積納米無定形碳材料作為輻射層，通過離子注入摻雜來改變其硬度、導電性等，提高了光源的輻射強度[57]。德國FRAUNHOFER物理測量技術研究所結合現有的MEMS工藝技術，加工得到微橋型紅外光源，并在其表面涂覆了由納米Al：0，顆粒形成的涂層，使紅外光源的發射率得到了很大的提升[58]。在國內，復旦大學使用Pt電阻絲與SixNy-空氣表面二維光子晶體制作了MEMS紅外光源，其發射率較傳統紅外光源提高了2倍[59]。