靜電損傷模式包括突發性失效和潛在性失效。

   1．突發性失效

   突發性失效使器件的一個或多個參數突然劣化，完全失去規定功能，HCPL-M611-500E通常表現為開路、短路或電參數嚴重漂移。如介質擊穿，鋁條熔斷，PN結反向漏電增大甚至擊穿。對CMOS電路，可因靜電放電而觸發閂鎖效應，器件會因過大電流而燒毀。    。

   2．潛在性失效

   如帶電體的靜電勢或儲存的能量較低，或ESD回路中有限流電阻存在，一次ESD不足以引起器件發生突然失效，但它會在器件內部造成一些損傷。這種損傷是累積性的，隨著ESD次數的增加，器件的損傷閾值（電壓或能量）在降低，其性能在逐漸劣化，這類損傷叫潛在性失效。它降低了器件的抗靜電能力。因此器件不能進行抗靜電篩選。