固體鉭電解電容器的介質氧化膜五氧化二鉭(Ta。O。)，由于原材料不純或工藝中的原因而存在雜質、裂紋、孔洞等疵點和缺陷，雖然鉭塊在高溫燒結時，M27C2001-15C1大部分被燒毀或蒸發掉，但仍有少量存在。在賦能、老練過程中，這些疵點在電壓、溫度的作用下成為場致晶化的發源地——晶核，在長期作用下，促使介質膜以較快的速度發生物理、化學變化，也就是應力的積累，到一定時候引起介質的局部擊穿和過熱。例如，在一定溫度下(425～450℃)因Mn0。的熱分解還原成電阻系數較大的Mn。O。和新生態氧而得到自愈；如果溫度更高(550～800℃)無定形的介質氧化膜還會轉變成介電性能很差的結晶型氧化膜，通常把此轉變稱為熱致晶化。如果介質中含有雜質，在強電場的作用下，即使在比較低的溫度下（例如，在O～100℃）也能出現晶化，把此稱為場致晶化。當介質中因工藝原因已出現晶核，則在電場和溫度作用下，晶區不斷擴大，而形成晶化的氧化膜，從而導致漏電流急劇增大而擊穿。

   進一步分祈發現：這些晶化的氧化物還包含由鉭、錳共融結晶形成的黑色物質。此外，當介質氧化膜中的缺陷部位較大而集中時，一旦發生瞬時擊穿，則很大的短路電流將使產品迅速過熱而失去熱平衡，局部的自愈已無法修補氧化膜，從而導致迅速擊穿失效。