在抗輻射加固電子系統的設計中， OP42GS首要的任務是如何合理地選擇電子元器件。選擇的一般原則是，所選用的器件既能實現系統的電氣性能指標，又具有較好的抗輻射潛力。為了正確地選用抗輻射能力強的電子元器件，掌握以下規律是十分重要的。應該指出的是，這里對不同器件抗輻射能力的比較是在其他條件相同或相當的前提下進行的，只具有相對的意義，不要把它們絕對化。

   1)雙極型器件抗中子輻射的能力差，最敏感的參數是電流放大系數hFE; MOS器件抗電離輻射的能力差，最敏感的參數是閾值電壓VT。MOS場效應管的抗中子輻射能力比雙極型晶體管高1～2個數量級，但它的抗電離輻射能力卻比雙極型晶體管低2～3個數量級。

   2)在分立半導體器件中，晶閘管、單結晶體管和太陽電池的抗輻射能力最差，所以應該盡可能避免在輻射環境中使用此類器件。

   3)在二極管中，隧道二極管的抗輻射能力最強，其次為電壓調整二極管和電壓基準二極管，普通的整流二極管最差。

   4)在具有不同的參數指標、結構或管芯材料的雙極型二極管中，大功率晶體管的抗輻射能力優于小功率晶體管，高頻晶體管優于低頻晶體管，開關晶體管優于放大晶體管，鍺晶體管優于硅晶體管，NPN晶體管優于PNP晶體管。